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低影响影响力评分:8/100

康奈尔大学研发单晶氮化铝衬底射频晶体管

康奈尔大学研发出基于单晶氮化铝衬底的新型高电子迁移率晶体管架构,用于射频功率放大器。该研究旨在应对当前基于氮化镓技术的供应链脆弱性问题。中性:此为远期研发里程碑,尚未进入商业化量产阶段,对当前交易市场无直接影响。

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来源:Semiconductor Today · 2025/12/11 · 查看原始来源

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