ADEPT台湾举行首次线下会议，PLP与基板标准化工作获得推进动能
全球电子协会旗下的先进电子封装技术（ADEPT）委员会在台湾举行首次线下会议，同时面板级封装（PLP）与基板标准化工作正在获得推进动能。原文未说明原因，也未给出具体时间、参与厂商或标准化工作的具体进展细节。
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全球电子协会旗下的先进电子封装技术（ADEPT）委员会在台湾举行首次线下会议，同时面板级封装（PLP）与基板标准化工作正在获得推进动能。原文未说明原因，也未给出具体时间、参与厂商或标准化工作的具体进展细节。
TrendForce转发消息称，NVIDIA展示了一款新的CPO（共封装光学）原型，该设计将光引擎从封装基板移至硅中介层上，可能提升带宽密度。报道称这是早期阶段的设计，并提出其能否塑造NVIDIA未来AI互连的问题；来源未说明任何量产、供应或价格影响。
据原文，GaN与SiC功率半导体公司Navitas Semiconductor Corp（美国加州Torrance）宣布推出面向先进能源与电网基础设施的超高压（UHV）SiC功率模块系列。原文未给出价格、产量、日期或相关组件价格变动等信息，仅为产品发布消息。
据报道，尽管英特尔EMIB-T基板良率不佳，谷歌仍坚持让HumuFish完全采用EMIB-T。行业消息人士称，EMIB-T基板良率在2026年第三季度约为35%，远低于年底设定的50%目标；良率不佳的原因据称为ABF基板与嵌入硅桥在高温处理中热膨胀差异导致对准困难，以及桥下TSV所用的NCF（非导电膜）在键合时可能困住气泡、削弱粘附力。虽然市场有HumuFish延迟的传闻，且存在转用台积电CoWoS-L的可能性，但供应链查核显示HumuFish仍'100%' commitment于EMIB-T。英特尔已调整基板电镀工艺，Ibiden、欣兴（Unimicron）、新光（Shinko）等供应商持续努力改善良率。谷歌TPU v9系列确认包含三个变种：博通设计的WhaleFish（预计采用台积电CoWoS-L，2027年下半年量产）、联发科设计的HumuFish（计划2028年上半年量产，完全依赖英特尔EMIB-T）和TriggerFish（计划采用EMIB-T，目标2028年下半年或之后量产）。据TechNews援引分析师郭明錤，TriggerFish定位为推理能力更强的升级版TPU v9，相对HumuFish有三项升级：SRAM容量提升2–3倍、增加一颗仿真die、从HBM4转向HBM4E。延迟方面，谷歌设计的Compute Die A（基于台积电N2工艺）流片已推迟至10月下旬，其他die仍按计划进行，预计将推迟完整封装的试产；Commercial Times进一步指出，联发科参与的谷歌TPU v9项目（HumuFish）流片可能因设计修订推迟至2027年1月，出货可能因此延迟至2028年第一季度。由于HumuFish要到2028年上半年才量产，供应链仍有一些时间解决EMIB-T的剩余问题，但若流片推迟到2027年1月将压缩缓冲时间。
NVIDIA在SEMICON West 2026上以"Optical Integration for the Next Generation of AI"为主题展示下一代共封装光学(CPO)技术，包括光学引擎从有机封装基板移至承载计算芯片的硅中介层上的OOI原型，据The Elec称该设计可消除电信号路径中的有机基板，通过更短的细间距中介层连接提高带宽密度并降低功耗。NVIDIA还演示了DWDM技术，据Wccftech称在单根光纤上结合8个波长、每波长最高32 Gb/s，合计每光纤256 Gb/s。两项技术仍处于研究阶段，未公布商业化时间表，NVIDIA表示正为潜在未来产品进行评估。展望未来，NVIDIA计划以Kyber NVL1152架构扩展光互连，将8个机架连接为单一1,152-GPU NVLink域并支持Feynman平台；据Wccftech称Feynman预计于2028年推出。现有CPO产品方面，2026年5月NVIDIA宣布Spectrum-X Ethernet Photonics交换机已进入全面量产，为Vera Rubin平台集成200Gb/s SerDes与CPO技术，早期采用者包括CoreWeave、Lambda和Oracle Cloud Infrastructure；制造生态中TSMC提供硅光子制造，SPIL负责芯片级封装组装测试，TFC封装激光器并做可靠性验证，Foxconn负责整机系统集成，另有Coherent、Lumentum、Sumitomo Electric提供外置激光源模块，Corning、Senko、Browave提供光纤及相关组件，Fabrinet负责散热与最终测试。
英伟达CEO黄仁勋周三在柏林GTC大会上呼吁欧洲加快AI落地，称欧洲要享受AI红利、打造AI生态与AI经济，就必须让所有终端行业用上AI，并举例汽车、金融、医疗赛道。本次发布会面向欧洲市场发布了新的数据中心硬件、软件、模型，并公布与当地龙头企业合作。核心新品为DSX Pod，一款集装箱式迷你数据中心，单套集装箱内预装、调试完毕服务器、线缆与配套管路，客户到货后只需通电并与其他同型号单元互联即可使用；该方案由戴尔等英伟达合作伙伴打造，把硬件部署周期从原先6个月缩短至14天，适合小于1吉瓦规模的中小型算力部署。英伟达称，欧洲已有多家客户采用DSX AI数据中心方案及最新的Vera Rubin处理器，其投资的数据中心开发商Nscale是其中之一。针对全球市值最高上市公司英伟达长期受供应链产能瓶颈制约的情况，揖斐电、三星电机、欣兴电子将为其增加封装基板供给；安靠计划到2028年底把芯片封装产能提升至原来四倍；京元电子扩充芯片测试产能。具身智能方面，英伟达表示今年上半年该板块营收最高同比增长30%，规模约110亿美元；其与思灵机器人打造开源机器人开发平台，配套硬件为搭载Jetson Thor的Agile ONE SN人形机器人，并称人形机器人赛道研发复杂度高、投入巨大，目前只有资金雄厚的企业能够参与。此外，英伟达宣布与西门子旗下业务部门合作落地基于AI的先进放疗设备；汽车领域沃尔沃采用英伟达芯片研发自动驾驶车辆，大众商用车业务搭载英伟达方案，Bolt Technology OU依托英伟达软硬件开发自动驾驶出租车。报道还提及，过去两周AI板块股价持续承压，费城半导体指数走出2008年以来最长连跌行情。
QYResearch（北京恒州博智国际信息咨询有限公司）统计及预测：2025年全球AR眼镜用碳化硅衬底市场销售额达到1.35亿美元，预计2032年将达到7.69亿美元，年复合增长率（CAGR）为28.6%（2026-2032），其中2032年数据为预测值而非已实现结果。报告称高纯半绝缘型4H-SiC是高性能AR光波导的主要材料体系，折射率约2.6—2.7；主要产品规格包括4英寸、6英寸和8英寸，12英寸产品正处于技术突破、客户验证及逐步产业化阶段；200mm光学级产品已出现规模化制造进展，300mm产品处于逐步产业化和客户验证阶段。报告中提到，2024年Meta发布的Orion原型机采用光学级碳化硅材料，实现约70°视场角；天岳先进已推出300mm碳化硅光学衬底技术，晶瑞所属上市公司披露200mm光学级产品已实现规模化生产、300mm光学级产品实现小批量生产，天科合达推出了200mm光波导型碳化硅衬底并与衍射光波导技术企业建立合作。报告同时指出，制造成本较高、合格品率、公开成交价格与平均售价数据有限以及替代高折射率材料竞争是行业限制因素，行业规模和未来需求的准确预测存在不确定性。
三星电机获得一份价值3605亿韩元（2.718亿美元）的长期合同，为存储器半导体供应封装基板。原文将此举描述为加强其在不断增长的AI服务器元件市场中的地位。
据行业高管在台北IMPACT 2026会议上表示，封装、基板、印刷电路板（PCB）及组装厂商需要更紧密的协调，以满足AI和高性能计算（HPC）的需求，因为封装到电路板的集成（package-to-board integration）正成为日益严重的技术瓶颈。原文未提供具体厂商名称、数量、价格或时间进度等数据。
这是SK hynix于2026年10月21日发布的AI生态系统系列第4篇技术评论文章，作者为OXMIQ Labs创始人兼CEO Raja Koduri（曾负责Apple、AMD和Intel的GPU与AI加速器架构开发），主题为半导体范式正转向存储器。文章观点认为：AI性能正从纯算力转向数据移动与放置，存储器带宽与层级主导成本；Transformer模型增长使缓存复用假设失效，系统反复从DRAM或HBM读取数据，低延迟小批量推理中存储带宽可能成为瓶颈。文中指出HBM通过TSV和中介层将多个DRAM裸片垂直堆叠，将计算与存储距离从厘米缩短到毫米；作者称2015年在AMD参与基于HBM的GPU开发，后在Intel主导开发集成47个chiplet和四个HBM2e堆叠的Ponte Vecchio。文章还介绍混合键合（铜对铜直接键合取代微凸点）以及PIM（存内处理）技术，称PIM在特定工作负载下可将能耗降低10到100倍，但同时面临热管理等挑战。文章为作者个人观点、属背景分析，不构成价格、产能、库存或供需的实际事件报道。
复旦大学衍生公司Nexilumen在Micro LED光互连方面取得新进展，通过空分复用（SDM）与波分复用（WDM）提升聚合带宽。其16通道Micro LED阵列实现37 Gbps数据速率；SDM方案采用集成16个独立驱动像素的4×4绿色Micro LED阵列，每像素平均数据速率约2.3 Gbps，16通道同时工作实现37 Gbps聚合速率。WDM方案在单块硅衬底上集成紫色、蓝色、绿色InGaN Micro LED以及黄色和红色混合Micro LED/量子点像素，在320×290μm面积内容纳五个独立驱动的波长通道，五通道实现18.66 Gbps数据速率，按总发光芯片面积计算对应约201 Gbps/mm²的数据速率密度。该公司此前在Nature Communications发表的研究中，通过通信链路与算法优化，在1.5 Gbps通信速率下实现0.056 pJ/bit的发射机能量效率。在CIOE 2026上，Nexilumen展示了长波长InGaN Micro LED、405 nm高速光源和多通道并行光链路，其中长波长器件在6.25 A/cm²电流密度下实现2.85 GHz电光调制带宽，405 nm光源在全工作电流范围内保持3 GHz以上调制带宽。公司正计划开发并验证目标1.6 Tbps的原型光互连系统，并聚焦面向短距互连（包括CPO和芯片间光I/O）的Micro LED光源、驱动器和系统方案。2026年7月，Nexilumen宣布完成由复旦创新和馥榕投资联合投资的数千万元种子轮融资。
文章介绍MEMS（微机电）开关正受到关注，称其在AI驱动的光网络、数据中心及其他领域日益普及，并被视为半导体开关的可靠替代品。光MEMS开关（光路交换机OCS）通过微镜阵列直接路由光信号，省去光电转换，可节省数据中心成本与功耗，分为2D和3D两类；RF MEMS开关分为欧姆（DC接触）和电容两类，可替代PIN二极管和FET。文中称MEMS开关比半导体对应产品小90-95%。同时指出局限：开关速度较半导体开关慢微秒级、需要高驱动电压、运动部件会磨损、需密封防潮；高效MEMS开关仍处于企业和供应商的研发阶段，AC/DC高功率处理系统尚待商业化。文中未提及任何价格、产量或订单数据。
这是一篇技术综述性文章（非市场事件），介绍以仿真为主的SiC和GaN功率变换器热建模方法。文章指出，宽禁带（WBG）器件开关速度更快、击穿电压更高、单位面积导通电阻更低，但热量集中在极小区域，局部热流密度可达每平方厘米数千瓦；若散热不当，可能导致热失控、栅氧化层退化、焊点开裂和灾难性器件失效。一篇发表于MDPI期刊Electronics的综述强调，WBG性能主要受器件内发热位置和封装散热有效性制约，而非仅取决于半导体本身的电气特性。文章说明4H-SiC在室温下热导率约为硅的3倍（约490 W/m·K 对 150 W/m·K），但工作时随温度按非线性规律显著下降；横向GaN HEMT的热量集中在栅极边缘附近微观区域，易形成局部热点，热建模需在栅漏区采用高空间分辨率。仿真工具链分三层：器件与封装级3D FEA/CFD仿真（如Ansys Icepak、Siemens Simcenter Flotherm）、降阶模型（Cauer/Foster RC网络ROM，Siemens的Embeddable BCI-ROM技术可在保护IP的前提下共享封装热模型），以及系统级电热协同仿真。文中举例Onsemi与Ansys开发了多保真热建模流程用于验证工业应用中的SiC MOSFET功率模块，并介绍了基于机器学习的快速结温估计方法。原文未涉及价格、产能、供需或任何市场变化。
文章为背景性内容，未涉及具体价格或事件：从碳化硅功率器件到硅光子学，新加坡正在建设所需的基础设施和产业伙伴关系，以将深科技研究推向市场。原文未说明原因，也未给出任何具体数字、日期、公司或产品细节。
Unimicron董事长简山杰在TPCA Show 2026开幕致辞中表示，到2030年载板尺寸将达到当前规模的14倍（此为标题中的预测性表述，正文未重复该数字）。正文指出，他称解决高性能计算（HPC）中AI加速器面临的三大挑战，仅靠半导体工艺微缩并不足够，必须同步引入先进封装与异构集成技术，这将显著提高PCB与载板行业的技术要求。原文未说明原因之外的因果细节。
友达光电董事长暨执行长彭双浪表示，公司正针对半导体制程需求量身打造玻璃核心基板规格，而非与群创在面板尺寸上竞争。友达计划运用其玻璃加工专业，向日月光投控、力成科技等委外封测(OSAT)龙头供应关键零组件与技术。此为公司规划方向，文中未提及具体产能、投资金额或时间表。
三星电机10月19日在监管文件中表示，已签署一份3605亿韩元（360.5 billion won）合同，向一家全球大型公司供应存储半导体用封装基板，合同期为2027年1月1日至2027年12月31日，相当于该公司去年合并收入的3.2%。这是三星电机首个公开披露的封装基板长期协议（LTA），使其今年披露的LTA总数达到七个；此前合同集中在硅电容（Si-Caps）、多层陶瓷电容（MLCC）和电感等元件业务，现已扩展至封装解决方案部门，累计合同金额约4.3万亿韩元。原文称，市场对AI服务器用GPU和CPU基板以及异构集成chiplet等高价值产品不断增长的需求被认为促成了该LTA。此外，三星电机上月披露计划投资4.27万亿韩元用于世宗FC-BGA生产设施，并投资2.51万亿韩元用于越南封装基板制造设备；加上越南厂房扩建投资，总支出预计超过8万亿韩元。公司此前还宣布作为政府主导的大型项目的一部分，计划到2040年在世宗投资8万亿韩元、在釜山投资15万亿韩元。
市场传闻称，联发科与谷歌合作的张量处理器（TPU）v9项目可能推迟量产，原因据称为谷歌正在重新修改该芯片的设计，标题并提及玻璃基板良率问题；但据称其2026年订单依然强劲。该消息为市场报告/传闻，量产推迟尚未被证实。行业观察人士预计，联发科可能在10月下旬的财报会议上回应部分相关疑虑。
瑞萨电子近日发布了基于Gen 4+技术的650-V、20-mΩ d-mode GaN FET，采用8×8 mm双面散热（DSC）PQFN封装，型号为TP65H020G4PLSGBD，目前已向AI数据中心OEM和ODM送样，量产计划于2027年中。据瑞萨称，Gen 4+相较Gen 4通过单元设计和比导通电阻的渐进式改进，实现更低的RDS(on)、更小的尺寸、更低的栅极电容（CGS、CGD）和输出电容（Coss）；Gen 6预计要到2027年才提供样品。该器件为d-mode，与LV硅MOSFET配对使用。封装支持顶面、底面或双面散热，当前支持20-mΩ器件，未来10–15-mΩ器件或可单冷板散热。相比TOLT封装，DSC PQFN在x-y轴封装面积减少约57%至60%，高度约1 mm（对比TOLT的2.35 mm，表格中为2.3 mm），热阻抗低9%至10%（0.36 °C/W对比0.4 °C/W），四开关功率级PCB面积可减少约15%至25%。在6-kW、800 V转48 V、运行于650 kHz至1 MHz的IBC演示板风冷测试中，DSC全负载效率提升0.14%，相当于6-kW转换器中约10+ W的额外功率；测试未使用液冷，下一步将进行液冷测试。DSC 8×8（含650-V GaN）应用于初级侧，每个模块仅承受约400 V，两个模块串联以适应800 V总线。DSC封装技术的主要应用是初级侧800 V DC转换为48 V、12 V和6 V的中间总线转换器（IBC）。针对800 V转6 V输出电流超过3,000 A的情况，瑞萨正与EPC合作推进LV GaN的DSC封装选项。瑞萨在10月12日至15日于加州圣何塞举行的OCP全球峰会上展示了该器件，作为其800-V电源解决方案的一部分。
据行业消息人士10月19日消息，三星显示正在开发一款不使用精细金属掩膜版（FMM）的7英寸级OLED原型，并准备采用其自主的Micro Patterned OLED（MPO）技术制作工程样品（ES）。该项目自3月启动，并非针对特定客户，而是基于假设的客户需求按接近量产标准开发；初步目标为2026年底，若样品准备情况不足，开发可能延至2027年第一季度。MPO开发在2026年初之前实际处于搁置状态：2025年9月，三星显示在其忠清南道牙山A2产线安装了应用材料旗下AKT的5.5代四分之一尺寸垂直沉积设备以评估无FMM技术，但该技术据称与公司现有中小尺寸及大尺寸OLED面板开发路线图不符，商业化方向也不明确。在3月获得并分析了一块采用Visionox无FMM ViP技术的智能手表OLED面板后，开发获得动力——分析结果显示其器件特性与FMM技术相当，与此前认为ViP良率和器件性能明显较低的判断不同；行业消息人士称Visionox仍在努力确保足够良率，但三星显示内部认为良率提升是其强项并可实现大幅进步。MPO通过微观隔离结构和光刻形成RGB像素而不使用FMM，且据称在制造后移除隔离结构，与保留隔离结构的ViP和LG Display的FliPP不同；业界观察人士认为这些工艺顺序与最终结构差异或可避开涵盖Visionox ViP、LG Display FliPP及应用材料无FMM技术的专利。该工艺被认为尤其适合高分辨率OLED显示：更易实现更紧的像素间距、减少有机层损伤和精细工艺控制复杂度、降低材料消耗和制造步骤数，省去蚀刻步骤也有望简化制造并降低成本。消息人士称MPO的开发方向比中大型面板更适合高分辨率OLED显示，一旦7英寸级样品可用，即可评估MPO技术优势在实际产品尺寸上的实现程度。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |