意法半导体推出面向空调、热泵和家用电器的IGBT功率模块，20-A智能模块集成控制驱动级并采用顶部冷却SLLIMM封装
STMicroelectronics推出面向空调、热泵和家用电器的IGBT功率模块。该公司的紧凑型20-A智能功率模块将控制和驱动级与智能控制及保护功能集成于紧凑的顶部冷却SLLIMM模块中。原文未说明价格、产能或供货时间等信息。
- Related manufacturers
- STMicroelectronics
- Impact score
- 0 / 100, low impact
STMicroelectronics推出面向空调、热泵和家用电器的IGBT功率模块。该公司的紧凑型20-A智能功率模块将控制和驱动级与智能控制及保护功能集成于紧凑的顶部冷却SLLIMM模块中。原文未说明价格、产能或供货时间等信息。
美国能源部于周五（文章发布日期为2026年10月24日）宣布将氦列入关键材料清单，理由是该元素对美国国内制造业和半导体生产至关重要，且越来越容易受到供应链中断的影响；能源部表示在许多关键应用中这种惰性气体没有可行的替代品。已列入清单的其他元素包括钴、镁和锂。能源部称，尽管美国拥有'可观'的富氦天然气储量，但全球需求增长快于产量增长，使美国制造商面临供应风险，且精炼能力有限和审批周期漫长制约美国国内供应扩大。据美国地质调查局数据，美国是全球最大氦生产国，去年产量约占全球43%，卡塔尔和阿联酋也是主要供应国。氦主要用于半导体制造中冷却和保护制造芯片所需的硅晶圆。该清单依据《2020年能源法》设立。
Delta在Energy Taiwan 2026（10月14日至16日，台北南港展览馆1馆4楼，摊位M0319a）展出面向AI工厂、高性能计算（HPC）数据中心和智能制造的微电网解决方案。其基于固态变压器（SST）的预制化直流电源系统采用容器化架构，集成SST、DC/DC转换器和控制设备，减少功率转换级数，SST能效最高达98.5%；据Delta称，该方案可将AI数据中心的电网到芯片能效提升4–5%。系统可配置高倍率电池以应对AI负载快速变化，提供毫秒级电力支撑，其模块化预制设计最多可缩短50%的部署时间，架构支持未来随算力需求增长的容量扩展。Delta还展出可用于分布式发电的固体氧化物燃料电池（SOFC）技术，热回收后系统总效率最高可达85%；Delta计划在2026年底前开始SOFC方案的试产。展会还包括由Delta ESG咨询办公室开发、基于ISO 50001能源管理方法的EnergiQ数字能源管理平台，以及来自台湾工业技术研究院、台湾经济研究院和Delta智慧能源与微电网团队的专家演讲。
美光在本周的一次活动中宣布，其下一代3D NAND（G11）计划于2027年下半年进入量产，据称将带来三大优势：存储密度翻倍（约达G9的2倍，3D TLC从21 Gb/mm²提升至42 Gb/mm²）、I/O性能较公司现款NAND提升最高50%（接口速度从3,600 MT/s提升至5,400 MT/s）、每bit数据传输能耗降低超过25%。G11将采用晶圆级键合（wafer-on-wafer bonding）技术，将NAND阵列（新3D NAND节点）与外围电路及I/O（逻辑工艺）分别制造后键合在一起，并过渡到超过400层的NAND；美光未披露G11的具体有效字线层数与堆叠数。美光高管Scott DeBoer称G11是世界上最先进的NAND，将于明年下半年开始爬坡。美光还计划在2027年披露更多G11技术细节，并在G11之后开发高迁移率新材料、更致密的单元架构等以延续XYZ方向扩展；G11之后的世代的具体架构细节、密度目标或量产时间表尚未披露。以上为厂商公布的计划与预期，量产尚未实现。
SK海力士于2026年10月23日早间宣布,决定放弃其美国企业级SSD子公司Solidigm的潜在首次公开募股(IPO)计划,理由是股市环境不利及半导体股价走势不佳;同时确认计划在美国为Solidigm新建一座晶圆厂,以应对企业级SSD日益增长的需求。SK海力士称尽管IPO本可为美国新厂提供融资,但子公司扩张仍是优先事项;公司已终止对pre-IPO融资和IPO的评估,并将继续评估其他融资机制。原文说明,新厂产能、投资规模及建设时间表尚未披露。Solidigm专注于基于浮栅3D QLC NAND的大容量数据中心SSD,其现有产能仅勉强满足预计需求。
本篇为网站过去一周最受欢迎文章的汇总榜单。第5位：Google与Synaptics推出xMCU，一种结合异构AI原生计算与加速、并集成可扩展至数百MB高带宽定制DRAM的MCU，Astra SR200系列面向AI可穿戴和电池供电传感设备，可在设备端运行更大AI模型。第4位：据Data Centers Processor Market Monitor 2026年第三季度报告，代理式AI正在复苏数据中心CPU需求，CPU营收增长35%，高于AI ASIC（+23%）和GPU（+13%），GPU与AI ASIC设计商因DRAM价格急剧上涨而缩减路线图。第3位：伦敦 neocloud 初创公司Nscale的IPO计划再遇挫折，微软退出其埃塞克斯郡Loughton数据中心的锚定租户协议，双方均未说明退出原因，但UK Power Networks已告知Nscale，在2030年代早中期之前无法为该站点供应足够电力。第2位：据Seoul Economic Daily报道，Nvidia要求三星、海力士和美光为其名为NVHBM的定制HBM使用台积电3nm节点制造的基础裸片（base die），基础裸片包含HBM堆栈底部处理内存控制器和接口的逻辑层；Nvidia提出该要求的理由原文未展开说明。第1位：据路透社看到的高通CEO Cristiano Amon致员工的备忘录，高通将在全球范围裁员，通知将于下月开始，涉及人数未知；公司2025年9月拥有5.2万名员工，备忘录将此次裁员描述为“年度评审后以绩效为重点的精简”。
XP Power推出UCH750系列750W对流冷却AC-DC电源，面向需要低噪音、高效率与可靠性能的医疗及工业设备。该系列采用底盘安装、无风扇设计，降低声学噪音并消除易磨损机械部件，适用于医疗影像、患者监护、诊断仪器、治疗设备及家用医疗器件等噪音敏感应用，亦覆盖医院设备、工厂自动化、半导体制造、测试测量系统与电信基础设施。转换效率最高达96%，单机尺寸203.2 × 127.0 × 40.0 mm。系列支持BF（人体浮动）应用部分分类，提供2 × MOPP输入输出隔离，在264 VAC、60 Hz条件下最大患者漏电流为100 µA；报告符合IEC 60601-1，并已获UL和TÜV安全认证，另有IEC 62368-1安全认证，满足EN 55032 Class B传导与辐射发射限值；提供Class I与Class II版本。五个型号在90–264 VAC通用输入下提供12 V、24 V、36 V、48 V、54 V标称DC输出，100 VAC输入且环境温度最高+50°C时可输出全功率750 W；具备远程开关控制、5 VDC/2 A待机输出及过载、短路、过压、过温保护。产品通过Avnet Abacus、DigiKey、element14、Farnell、Mouser、RS、TME、授权区域分销商及XP Power直销供应，附带三年保修。此为产品发布信息，不构成产能或价格变化的确认事实。
快科技10月23日报道，长城汽车旗下2027款坦克500于当晚正式上市，共推出4款车型，售价33.5万-37.5万元：Hi4-T 33.5万元、Hi4-T智享版 35.5万元、3.0T五座 35.5万元、Hi4-Z智享版 37.5万元，官方定位“全域科技豪华SUV”，本次改款带来软硬件及安全冗余方面296项优化升级。10月31日前订车可享总价值至高76000元的上市权益。智驾方面，新车搭载Coffee Pilot 4辅助驾驶系统，配备700TOPS算力的英伟达Thor-U芯片，以及包括禾赛192线激光雷达、前向4D毫米波雷达在内的27个传感器，支持全场景NOA；Coffee Night Vision 2.0远红外夜视系统探测距离达300米。动力方面，Hi4-Z版系统综合功率635kW、峰值扭矩1195N·m，59.05kWh电池带来201km WLTC纯电续航、综合续航1134km；Hi4-T版综合功率310kW，37.1kWh电池纯电续航110km；3.0T V6燃油版最大净功率260kW。上市近五年，坦克500已积累超20万用户。
STMicroelectronics（总部位于瑞士日内瓦）扩展其MasterGaN集成晶体管/驱动器系列，推出新的MasterGaN7器件，其中包含具有6A最大电流额定值的650V增强型氮化镓（GaN）晶体管。原文未说明原因。新系列旨在帮助设计人员提升电源适配器、充电器、工业照明设备和太阳能微型逆变器等应用中的效率和功率密度。
10月23日，标普全球公布的数据显示，美国10月综合PMI初值降至57.6，低于9月的58.4，但仍处于近五年来的高位区间；服务业PMI初值从58.8降至57.9，制造业PMI初值从55.9升至56.0，创2022年5月以来最高（53个月新高），三项指数均高于50的荣枯线。新订单增速创逾四年半新高，就业扩张加快；企业销售价格涨幅升至2022年8月以来最高，其中制造业出厂价格涨幅达2022年7月以来最高；综合投入成本涨幅升至2022年11月以来最高水平之一。原文指出，油价、原材料（钢铁、铝、铜受关税和供应短缺影响）及运输成本上涨加剧通胀压力，经济学家克里斯·威廉姆森警告未来数月美国通胀可能进一步偏离美联储目标。
Microchip Technology（Nasdaq: MCHP）于2026年10月23日宣布推出POL-05-20S-T，这是一款耐辐照的Point-of-Load（POL）转换器，面向太空处理应用的电源需求。该器件采用氮化镓（GaN）功率器件，可提供高达20A的输出电流；封装为1.51” x 1.51” x 0.45”的25g表面贴装封装。输入电压范围4.75V至13.2V，输出可在0.7V至5V范围内调节，适用于FPGA、微控制器、ASIC等处理密集型数字负载的核心电压轨。该器件电气参数已在总电离剂量（TID）高达50 krad的辐照前后进行规定，单粒子效应（SEE）表征至43 MeV·cm²/mg的线性能量传输（LET），全负载工作温度为−55°C至+100°C。该产品现已可按生产数量供货，可直接从Microchip购买或通过其销售代表及全球授权分销商购买。原文未说明原因（属于产品发布，无需因果说明）。
在SEMICON West 2026期间，Soitec首席产品官René Jonker接受采访，介绍这家1992年从CEA-Leti分拆、以Smart Cut工艺为核心的衬底公司。公司现运营五个主要技术平台：RF-SOI（用于几乎每部5G手机和Wi-Fi模块中的RF开关和低噪声放大器）、FD-SOI（用于汽车雷达、IoT微控制器和边缘设备，可在不缩小工艺节点的情况下降低功耗30%至50%）、Power-SOI（用于高压汽车和工业电路）、POI（面向5G和6G声学RF滤波器），以及十年前开发、当前承载公司的Photonics-SOI平台。Jonker称Photonics-SOI被视为'新的黄金'，AI集群互联需求使流量转向光纤，该平台以'非常可观的增速'驱动Soitec业务，并支撑正在进入AI数据中心的共封装光学。文中提及，在巴黎泛欧交易所上市的Soitec，2026年1月投入100美元的投资者到10月初持有超过600美元。Jonker表示直接竞争主要来自GlobalWafers（其'曾经或现在能接触Soitec的IP'），技术层面竞争包括FD-SOI客户可选TSMC FinFET，以及硅与铟磷化物在光波导上的权衡。SmartSiC（降低EV逆变器SiC功率器件成本）与面向6G功率放大器和航空航天的RF-GaN仍在开发中，FD-SOI正向更小几何尺寸推进。
Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) 宣布推出面向先进能源与电网基础设施的超高压 (UHV) SiC 功率模块家族。新型 G4H08MT23GB4 2300 V 全桥模块家族采用行业标准 SiCPAK 封装形态，具有同类领先的 RDS(ON) (8 mΩ)，基于 Navitas 第四代 GeneSiC Trench-Assisted Planar (TAP) 架构开发，用于提升固态变压器、电网级电池储能系统、太阳能逆变器和 EV 兆瓦级充电基础设施的效率与功率密度；此次发布扩展了 Navitas 的 2300 V 和 3300 V 超高压 SiC 产品组合。模块采用氮化铝 (AlN) 活性金属钎焊 (AMB) 基板，支持超过 5 kV 的隔离能力，环氧树脂灌封技术热导率较硅胶提升 10 倍，高压弹性压接引脚每引脚载流能力为标准压接连接的两倍，并提供可选预涂热界面材料 (TIM)。新模块家族将按 Navitas 的 AEC-Plus 可靠性基准进行认证，该基准测试超出 AEC-Q101 和 JEDEC 标准要求，包括动态反向偏置 (DRB) 和动态栅极开关 (DGS) 测试，静态高温高压测试 (HTRB、HTGB、HTGB-R) 时长增加超过三倍，并实现扩展的功率循环和温度循环测试以及针对功率模块、分立器件和已知良品裸片 (KGD) 的 HV-H3TRB (HV-THB) 认证。公告将该模块家族置于 Navitas AI 基础设施产品组合的中心，作为将电网电力直接转换为 AI 数据中心机架内高压直流轨的固态变压器中的中压构建模块。
Darveen发布搭载Intel Core Ultra 5 125H/U系列处理器（Meteor Lake）的DPC-1210工业平板电脑，面向边缘AI应用。该产品总平台AI性能最高达34 TOPS，支持通过M.2 AI加速模块（如DEEPX DX-M1M）扩展AI性能；配备21.5英寸投影式电容触摸屏（全高清1920×1080、450尼特亮度、防眩光表面）、无风扇铜热管散热系统，I/O包括2x COM、4x USB 3.0、2x LAN、1x HDMI、1x DisplayPort，并支持安装两块2.5英寸SATA 3.0 HDD/SSD硬盘及RAID 1镜像。Darveen成立于2007年，产品覆盖车载电脑、工业平板电脑、工业显示器、嵌入式盒式电脑和加固平板等领域。
据韩国媒体ZDNet Korea援引的业内消息，三星电子已开始为其位于美国得克萨斯州泰勒市的泰勒一厂采购额外设备，计划进一步扩大2纳米制程芯片的生产能力，此次订购的设备预计可新增每月约6000片晶圆的生产能力。三星此前已启动相关设备采购和安装工作，目标是建立每月约1万片晶圆的生产能力；若将试产线和此前规划的产能一并计算，泰勒一厂有望逐步达到每月处理2万片晶圆的设计上限。如果后续设备安装和产线建设按计划推进，泰勒一厂2纳米制程月产能有望在2027年下半年达到2万片晶圆。原文明确指出，2027年下半年达到月产2万片晶圆目前仍属于预期目标，而不是已经实现的结果，设备到位后仍需完成工艺调试、良率提升和客户验证。三星于2021年宣布在当地建设先进制程工厂，最初公布的投资额为170亿美元。新增设备的安装和调试是实现这一目标的重要环节，原文未说明此次扩产的具体原因。三星计划在泰勒一厂采用2纳米级先进制程生产逻辑芯片，其2纳米制程采用GAAFET（公司称为MBCFET）。特斯拉是三星先进芯片制造业务的重要客户之一，但公开报道并未披露此次新增设备对应的具体客户订单及各客户所占产能比例。三星还计划继续扩建泰勒工厂园区，泰勒二厂计划于2026年底启动建设，并以2030年开始运营为目标。
MicroVision, Inc.（NASDAQ: MVIS）宣布MOVIA™ Pro正式开始商业生产并向客户出货传感器，以满足客户需求。MOVIA Pro是该公司下一代短距离激光雷达（lidar）传感器，为MOVIA S的量产版本，集成车载感知功能与多回波（multi-echo）感应，基于集成处理架构，可通过MicroVision的开放软件框架在传感器上直接运行感知软件。公司位于奥兰多的生产设施正在制造MOVIA Pro以满足日益增长的需求；CEO Glen DeVos表示客户正从原型评估转向启动商业项目。该传感器面向智能基础设施、无人机系统、工业自动化（AMR、AGV、叉车辅助驾驶）、安防与国防及部分汽车应用等领域。公告未提及价格或产量数字，原文未说明原因相关的产能限制或中断事项。
一篇2023年10月23日发布的分析文章（注：原文刊载日期为2026年10月23日）指出，出口管制使ASML最先进的EUV光刻机无法进入中国，中国芯片业转而依赖DUV光刻并通过多重曝光生产先进芯片，但代价是更大裸片、更多缺陷、更低良率、更长制造时间和更高成本。Fractilia联合创始人兼CTO Chris Mack称，业内惯常认为193nm浸没式工具三次曝光成本约等于EUV一次曝光，一旦达到四层掩模，EUV就更划算。2023年华为Mate 60 Pro拆解发现其Kirin 9000S由SMIC以无EUV的第二代7nm级工艺制造；对华为Kirin 9030的分析显示SMIC将其基于DUV的工艺进一步逼近5nm级密度，但仍落后于TSMC和三星的领先工艺。摩根士丹利6月报告估计，中国DRAM厂商CXMT每片晶圆产出的比特数仅为西方竞争对手约三分之一，其中旧工艺节点仅占差距约三分之一，光刻设备获取被视作中国存储发展的“硬天花板”。美光1-alpha代芯片在无EUV下开发，被视为DUV可拉伸的例证；其更新的1-gamma DRAM工艺采用EUV，美光称较前代1-beta每片晶圆比特密度提升超过30%。摩根士丹利假设CXMT无EUV将停留在1-alpha工艺，但靠新建产能将其全球DRAM比特供应份额从2026年的14%提升至2028年的16%，并预计中国AI芯片自给率从2025年的42%升至2030年的70%。Mack认为无EUV的3nm或2nm节点在经济上不可行。
快科技10月23日报道，今日晚间东风风神L8+正式上市，共推出4款配置，上市指导价13.99-16.99万元，限时置换价12.99-15.99万元：220KM卓越版指导价13.99万元（限时置换价12.99万元）、220KM旗舰版指导价14.99万元（限时置换价13.99万元）、220KM激光雷达卓越版（700TOPS算力）指导价15.99万元（限时置换价14.99万元）、220KM激光雷达旗舰版（700TOPS算力）指导价16.99万元（限时置换价15.99万元）。权益方面，11月30日前下定并完成交车可享限时至高七重豪礼，包括10000元厂家置换补贴、至高13万元5年长贷2年0息、限时赠送价值8000元19扬声器WANOS全景声音响、首年辅助驾驶无忧服务、999元购价值5000元出行无忧服务包、3年免费娱乐流量、首任车主10年不限里程质保加三电终身质保。智驾方面，风神L8+全球首搭天元智驾T800，配备小米澎程同款英伟达Thor-U芯片，算力700TOPS，官方称该算力达同级主流水平的3.5倍、可确保5年不过时；车顶配备禾赛ATX半固态激光雷达。算法层面融合Momenta R7世界模型，官方称其能力媲美华为乾崑ADS Max；风神L8+是全球首批Momenta R7完全体量产车型，无需OTA直接现货上车。新车上市前在央视直播见证下完成智驾珠峰108拐挑战，全程零接管。此外官方称支持车位到车位智驾、最长3公里最多跨7层的跨层记忆泊车、全域无图NOA；车身尺寸4762/1910/1686mm，轴距2825mm；搭载4挡马赫电混，发动机热效率45.18%，30.3kWh电池实现220km CLTC纯电续航，CLTC综合续航超1500km。官方称在13-17万插混SUV市场与比亚迪宋PLUS DM-i、吉利银河L7等对手相比具性价比。
本文为技术综述（背景类），讨论FinFET结构与垂直GaN在高功率电子（工业、电动车、AI数据中心）功率应用中的角色，未涉及价格或供需变化。要点：FinFET自逻辑转向功率路径，GlobalFoundries等代工厂提供FinFET工艺；Empower Semiconductor（现属Analog Devices）基于超快FinFET功率晶体管开发FinFast平台；Claros（现属Navitas）宣布将在三星美国14nm FinFET工艺上制造其集成稳压器（IVR）。据Empower，其Crescendo IVR瞬态响应较传统方案快约20倍；通过并联最多50个IVR（每个约60A）可向负载供应超过3,000A，电压跌落降低2倍，公司称可使典型AI工作负载的xPU功耗额外降低15%。2026年5月，Analog Devices宣布以15亿美元现金收购Empower Semiconductor的最终协议，交易于2026年7月完成。垂直GaN方面：2024年Power Integrations收购Odyssey Semiconductor资产以开发650V与1,200V垂直导通GaN FET；onsemi推出专有GaN-on-GaN垂直架构（vGaN），称能耗降低近50%，该技术在位于纽约Syracuse的晶圆厂（2024年底从NexGen Power Systems收购）生产；2025年10月，MIT衍生公司Vertical Semiconductor筹集由Playground Global领投的1,100万美元种子轮，基于8英寸晶圆展示100V至1.2kV垂直GaN工艺，并希望年底前推出 fully integrated 产品。原文未说明价格影响或市场供需原因。
据IT之家10月23日消息，机械革命极光产品线在极光X之外又上架一款极光16 Pro游戏本，搭载英特尔酷睿i7-13645HX处理器、RTX 4050独立显卡（6GB显存、支持140W满功耗释放）、16GB内存、512GB固态硬盘，京东显示定价8799元，首发价暂未公布，10月30日开售。该机采用16英寸电竞屏（2560×1600分辨率、180Hz刷新率、92%屏占比、500nits典型亮度、100% sRGB色域）、航空级铝镁合金机身，券后价8499元（领300元券）。此为新品上架信息，非价格变动或产能事件。
Whose chips are really inside the hottest new products? We open them up and show you, one part at a time.
All teardowns| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| Connector | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |