pSemi 推出两款 2.4 GHz 前端模块 PE566212/PE566213 用于物联网
pSemi（穆拉塔公司）推出两款完全集成的2.4 GHz前端模块PE566212和PE566213，集成功率放大器、低噪声放大器和RF开关，采用硅-on-绝缘体(SOI)设计，旨在提升物联网设备的无线连接能力。
pSemi（穆拉塔公司）推出两款完全集成的2.4 GHz前端模块PE566212和PE566213，集成功率放大器、低噪声放大器和RF开关，采用硅-on-绝缘体(SOI)设计，旨在提升物联网设备的无线连接能力。
格芯（GlobalFoundries）公布FDX Fusion全耗尽绝缘体上硅（FD-SOI）工艺路线图，第一代目标达到"7纳米级数字性能"（指数字逻辑性能等级，并非恢复2018年暂停的7纳米FinFET制程，也不等同于其他晶圆厂的7纳米节点或晶体管密度），面向机器人、汽车、工业自动化等物理AI设备。按公司路线图，演示芯片预计2027年初交由客户评估，首版工艺设计套件计划2027年年中提供，量产目标为2028年，地点为德国德累斯顿工厂。公司公布的指标包括射频器件ft/fmax最高0.5太赫兹（射频器件指标，非处理器运行频率），以及相较第一代FDX工艺密度提升超过两倍，但尚未公布足够详细设计数据供外部独立验证，也已与部分客户开展早期评估但未公布具体产品或量产客户订单。格芯同时说明，德累斯顿FDX Fusion项目的开发启动仍取决于德国联邦政府是否批准IPCEI先进半导体技术项目，路线图存在政策审批条件。此外，格芯在德累斯顿推进11亿欧元的SPRINT扩产计划，目标到2028年底将该厂年产能提高至超过100万片300毫米晶圆，该扩张覆盖工厂整体业务，并非全部用于FDX Fusion。原文未说明原因之外的事件动因，属计划性质，尚未实现量产。
GlobalFoundries以称为FDX Fusion的方案重回先进节点竞赛，该方案基于全耗尽绝缘体上硅（FD-SOI）技术。背景方面：2018年，GlobalFoundries曾宣布无限期停止其7 nm节点开发，原文将此归因于节点设计成本日益高昂（需要数十亿美元投资）、复杂度提升以及许多厂商遇到良率与制造困难；此后该公司继续开发不专注于更小晶体管尺寸的独特半导体方案。原文称FDX Fusion通过在沟道下方创建全绝缘层进一步强化衬底隔离，可实现超低功耗存内计算、嵌入式非易失性存储（如eMRAM）的无缝集成以及高效密集逻辑设计。GlobalFoundries声称FDX Fusion在尺寸方面具备7 nm级节点特性，且晶体管密度为第一代22FDX节点（22 nm级设计）的两倍。上述性能数据为公司声称，事件状态为公布/计划性质。
GlobalFoundries宣布推出7nm级FDX Fusion节点，密度较22FDX翻倍。该工艺定位于汽车、边缘AI及工业领域，计划于2028年在德累斯顿量产。
FD-SOI相关芯片供应预期，长期产能扩张可能引发价格承压。
GlobalFoundries 于 10 月 9 日举行 SPRINT 扩建项目的封顶仪式，标志其在德累斯顿的 11 亿欧元扩建达到里程碑。扩建预计将使厂区年产能提升至超过 100 万片 300 毫米晶圆，目标时间为 2028 年底；目前德累斯顿年产能最高可达 95 万片，扩建后将增加约 5% 的产能。施工已按计划且在预算内完成，项目获得欧盟、德国联邦政府和萨克森自由州在欧洲芯片法案下的支持。
GlobalFoundries表示，应变硅FD-SOI（FDX Fusion）技术可以在不使用EUV光刻的情况下实现7纳米级性能，并有望为欧洲开辟一个新市场。该消息由Manfred Horstmann以'GlobalFoundries押注FDX Fusion瞄准Physical AI'为题发表。原文未给出具体时间、产能计划或投资金额，上述性能与市场前景属于公司宣称的技术潜力，并非已实现的结果。
ZJ InnoLight子公司斥资约23.2亿元入股PCB巨头Avary Holding，持股比例达1.04%。此次投资旨在打通光收发器与PCB供应链，Avary Holding凭借HDI及SLP技术切入800G/1.6T高端光模块市场，并因AI服务器需求激增而加速扩产。
Avary Holding宣布投资110亿元建设高端PCB基地，产能扩张虽缓解部分供应压力，但AI算力需求爆发仍支撑行业长期景气度。
长存资本完成对瑞立平芯微电子投资，布局FD-SOI特种工艺。该投资旨在扩大利基半导体制造产能。
产能扩张可能增加供应，压制价格。
UMC与SILITH宣布完成首批硅光子IC晶圆量产交付。该合作结合了SILITH的1.6T平台与UMC的12英寸产线，服务于AI数据中心光互连。
产能扩张与量产准备就绪，暂无供需缺口信号。
Qorvo宣布推出用于国防和航空航天应用的SOI射频开关及数字步进衰减器，旨在简化设计并降低BOM复杂度。该产品组合通过消除负电压轨需求，实现了比传统GaAs方案更优的性能。
此举有望提升Qorvo未来营收并抢占传统射频控制市场份额。
格芯获得15.75亿美元CHIPS法案资金，2025年营收达67.9亿美元，同比增长1%，其中汽车业务增长17%。公司专注特种工艺，包括22FDX和45RFSOI。
资金注入与汽车需求增长支撑其特种工艺产能利用率，但营收增速平缓显示成熟制程市场竞争激烈。
La Luce Cristallina在奥斯汀新厂开始生产200mm钛酸钡晶圆，年产能200-250片，并计划推出300mm产品。该材料针对6G通信、AI数据中心等高性能光子集成电路应用。
此为小众技术研发进展，对主流电子元件供应链及现货价格无直接影响。
Imec牵头欧盟50亿欧元SPINS联盟，建立半导体自旋量子比特试产线。该项目聚焦Si/SiGe、Ge/GeSi及SOI平台，旨在缩小量子研究到量产的差距。
长期技术布局，短期现货价格无直接影响。
Soitec与NSIG同意将现有制造与商业许可框架延长10年，且不涉及新技术转移。此举旨在回应中国市场对SOI产品增长的需求，并强化Soitec在中国的知识产权。
/利多/关注: 中性。此为长期合作框架的延续，对SOI晶圆的短期供应、价格及交易无直接影响。
FAMES中试线启动2026年开放申请，提供四款新工艺设计套件，涵盖7-15GHz声波射频滤波器、相变材料射频开关、硅基磁性集成及FD-SOI 10nm路径探索。此举旨在通过共享研发设施提升欧盟技术主权。
此为长期研发合作项目，对当前组件供需及价格无直接影响。
STMicroelectronics推出ST64UWB超宽带芯片家族，支持IEEE 802.15.4z及未来IEEE 802.15.4ab标准。该芯片采用18nm FD-SOI工艺，专为汽车、智能家居及工业应用设计。
新产品发布暂无供需影响，价格走势平稳。
百谏方略报告预测，全球腔体SOI市场规模2026年达0.29亿美元，2033年增至0.48亿美元，年复合增长率7.51%。报告为长期市场预测，未提供影响当前交易的现货价格、短缺或产能变动数据。
/利多/关注: 中性，此为远期市场分析报告，对当前交易决策无直接影响。
拆解分析证实iPhone 17采用基于Soitec FD-SOI衬底的GlobalFoundries 22FDX工艺制造的Qualcomm QTM565毫米波天线封装模块。FD-SOI技术因其在高频射频集成中的性能优势，正被高端消费电子采用。
此为技术趋势确认，对相关组件现货供应、价格及短期交易决策无直接影响。
Tower Semiconductor计划在2026年Q4前将硅光晶圆月产能提升至2025年同期的五倍以上，且截至2028年的总产能已有超70%被客户预订。格芯通过收购AMF成为全球最大纯硅光子代工厂，以应对AI数据中心对800G/1.6T光模块的爆发需求。
代工巨头竞相扩产锁定产能，预示硅光芯片供应持续紧张，2026年商用元年产能缺口达5%-15%，对上游代工价格构成支撑。
SNS Insider报告预测，SiC-on-insulator (SiCOI)薄膜市场将从2025年的8255万美元增长至2035年的624.96亿美元，年复合增长率达94.05%。增长动力来自电动汽车、工业自动化、可再生能源及5G通信等领域对高性能功率半导体的需求。
此为长期市场分析报告，未提供影响当前现货交易的具体供应、价格或短缺信息。
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All teardowns| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| Connector | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |