NuAxi Stream - Real-Time Semiconductor Intelligence

Mon, Oct 19

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16:35Impact score 55
铭芯启睿10月19日宣布完成超4亿元A轮融资，资金用于RRAM产业化及启动第一代LPU推理芯片研发，LPU尚处研发阶段
10月19日，北京铭芯启睿科技有限公司宣布完成超4亿元A轮融资，由博原资本领投，博世创投、米哈游、兆易创新等跟投，小米战投等老股东持续加注；相关报道未披露本轮估值及股权稀释比例。本轮资金将用于RRAM（阻变存储器）产业化、商业化及新产品LPU（语言处理单元）研发。同日披露前Graphcore总裁兼大中华区总经理卢涛加入公司，出任CEO兼联合创始人，并启动第一代LPU研发，面向大模型推理场景；卢涛表示第一代LPU不采用RRAM，将使用更成熟的存储介质，目标为支持数万亿参数完整模型、实现每用户每秒1000 Token，该指标为研发目标，尚无实测性能支撑；LPU目前处于研发阶段，未披露流片、验证或交付时间表。此前10月14日，公司发布首代1Gb RRAM芯片泰山一号流片信息，基于1TnR技术路线（1T4R结构，一个选择晶体管对应四个阻变存储单元），搭配28纳米CMOS工艺，披露存储密度30Mb/mm²、访问延时小于20纳秒，并集成片上硬件纠错电路；泰山一号已完成流片、正在推进验证，尚未披露量产进展。公司三条产品线中的嵌入式RRAM IP已进入客户场景并计划扩大规模，但未披露客户名称、订单金额或出货量；混合存算产品未披露具体芯片型号、流片进度或商业化节点。
LPU（语言处理单元）推理芯片 RRAM（阻变存储器）1Gb RRAM芯片泰山一号铭芯启睿Partnership/M&A

Sun, Oct 18

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07:40Impact score 60
台积电日本合资公司JASM第二晶圆厂转产3nm计划获日本经产省批准，月产能6,000片，预计2028年12月完工投产
10月18日消息，据日本经济产业省官网公示，台积电控股的在日合资子公司JASM第二晶圆厂转产3nm的计划已获批准。该厂原规划生产40nm、12nm、6nm，总月产能6.3万片晶圆（40nm月产1.5万片、12nm和6nm合计月产4.8万片），现调整为仅生产3nm，月产能6,000片晶圆，项目预计2028年12月完工，同月投产。原文未说明调整原因。JASM同时调整了已量产的第一晶圆厂规划：原计划生产22/28nm和12/16nm芯片，设计产能5.5万片晶圆；现舍弃12/16nm节点，调整为月产4.5万片22/28nm晶圆和5,000片40nm晶圆。
3nm 22/28nm 12/16nm台积电, JASMCapacity Change

Fri, Oct 16

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10:04Impact score 45
Galaxy Z Fold8折叠手机“缺芯”拖累出货：三星拟引入格芯代工打破联电独供格局
据韩国媒体ZDNet 10月15日报道（IT之家10月16日消息），因Galaxy Z Fold8市场需求超出预期，三星此前要求独家代工方联电追加生产DDI，但联电的22纳米DDI产线已满负荷运转，无法承接紧急订单，导致三星削减Z Fold8部分零部件的9月生产计划并顺延至10月，拖累出货节奏与营收表现。为降低对单一供应商的依赖并避免再度出现生产瓶颈，三星正考虑为Galaxy手机OLED DDI引入第二家代工厂，格芯成为主要评估对象，消息称三星正在考察格芯位于新加坡和德国的22纳米、28纳米生产设施。若合作落地，格芯代工的DDI芯片最快可能在2027年底进入Galaxy供应链，并率先用于搭载OLED屏幕的中低端Galaxy A系列机型。三星尚未正式公布相关供应安排，格芯能否获得订单仍取决于产能、良率、成本及认证测试等因素。
OLED显示驱动芯片（DDI）三星, 格芯（GlobalFoundries） and 3 totalPartnership/M&A
00:26Impact score 50
三星拟将Galaxy手机显示驱动芯片供应商扩至两家考虑引入格芯
据韩国ZDNet援引业内人士，三星电子正考虑为OLED版Galaxy手机的显示驱动芯片（DDI）增加第二家代工供应商，以降低对台湾联电（UMC）的依赖，并可能从2027年底起在部分中低端Galaxy A系列手机中采用格芯（GF）生产的DDI。目前相关芯片由三星系统LSI部门设计、全部交由UMC以22纳米制程代工；三星据称正评估让GF使用22纳米或28纳米制程代工，候选产能涉及新加坡和德国工厂，但具体设计导入、验证及量产安排尚未公布，三星和GF也未正式确认合作，2027年底的时间点仅为业内预计。报道称此调整与存储器需求旺盛带动成熟制程产能吃紧有关：三星7月推出Galaxy Z Fold8后市场需求高于预期，曾要求UMC加急生产，但UMC的22纳米产线已接近满载，三星因此将原定9月Fold8零部件生产计划中的约10%顺延至10月，并据称动用了原本留给下一代产品开发的部分DDI库存。此次调整针对OLED Galaxy手机DDI的晶圆制造，并不意味着三星将把自家芯片设计业务或全部手机处理器转交给GF。
OLED版Galaxy手机显示驱动芯片（DDI）三星电子, 联电（UMC） and 3 totalPartnership/M&A

Thu, Oct 15

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23:30Impact score 60
【新闻】成熟制程产能趋紧，三星或增加GlobalFoundries为Galaxy DDI代工，终结UMC独家地位
据ZDNet援引业内消息，三星考虑为OLED Galaxy智能手机所用显示驱动IC（DDI）增加GlobalFoundries作为第二家代工伙伴，可能结束UMC的独家代工地位；GlobalFoundries代工的DDI最早或于2027年底出现在Galaxy智能手机中，部分中低端Galaxy A系列机型或率先采用，三星据报正在评估GlobalFoundries的22nm或28nm节点，其在新加坡和德国拥有兼容制造设施。背景原因：自2025年下半年以来成熟制程需求超过供给，UMC无法承接额外订单；据ZDNet，三星在7月发布Galaxy Z Fold8后因需求超预期要求加快DDI生产，但UMC因22nm DDI产能已达上限而无法满足，三星因此将9月Galaxy Z Fold8零部件计划产量削减10%，将延后产量移至10月。另据Economic Daily News，机构投资者预计UMC 12英寸产能利用率到2026年底达93%，受三星System LSI与联咏22/28nm DDI订单及55/65nm Apple Mac相关芯片需求支撑；TrendForce称部分产能受限的12英寸成熟制程节点2026年第二至第三季度出现5–10%涨价迹象，2027年预计更大范围涨价。以上均为报道/评估或预期，非已确定事项。
display driver IC (DDI)Samsung, UMC and 3 totalCapacity Change
15:56Impact score 15
红魔12 Pro+发布：6.85英寸185Hz真全面屏，搭载第六代骁龙8超级至尊版，补贴后6499元起
10月15日下午，红魔12 Pro+正式发布。定价方面，12GB+256GB版本6999元，16GB+512GB版本7999元，16GB+1TB版本8999元，补贴后分别为6499元、7499元和8499元。该机采用6.85英寸1.5K真全面屏，刷新率185Hz，搭载高通第六代骁龙8超级至尊版，内置8400mAh电池，支持120W有线充电和50W无线充电。屏幕由京东方独家提供，采用屏下X11发光材料，首发第九代屏下技术；定制超高刷显示芯片G1制程从28nm升级到22nm，功耗降低30%。散热搭载驭风5.0，风扇转速达25500r/min，并行业首发RGB脉动水冷引擎。游戏方面支持2K+185Hz超分超帧并发，已适配《和平精英》等10多款主流游戏。原文未说明该发布与元器件价格或供需变化存在关联。
6.85英寸1.5K真全面屏高通第六代骁龙8超级至尊版屏下X11发光材料红魔, 京东方

Fri, Sep 18

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17:05Impact score 25
MediaTek推2nm芯片降内存使用
MediaTek发布2nm Dimensity 9600 Pro以降低内存使用。在内存成本高企背景下，该芯片旨在减少内存占用。
利空
DRAM短期需求，关注移动端芯片架构优化趋势。
DRAM Mobile SoCMediaTekProduct Launch

Wed, Jul 29

1 items

03:12Impact score 65
TSMC确认JASM复工，TEL暂停工厂
TSMC确认熊本JASM厂无结构损伤并逐步恢复运营，TEL暂停熊本工厂进行安全检查。地震震级为5，TSMC产能占比不足3%，且第二厂3nm量产计划受影响较小。
关注
短期物流与设备厂商的检修风险，但整体供应链冲击有限。
28nm 22nm 16nmTSMC, Tokyo Electron and 4 totalDisaster/Disruption

Tue, Jul 21

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20:43Impact score 98
TSMC先进制程报价上调5%-25%
TSMC计划自2027年初起上调先进制程（7nm及以下）基准报价5%至10%，成熟制程（12nm/16nm/28nm）上调幅度最高达10%。针对超出原定需求的HPC芯片产能，客户需额外支付10%至15%溢价，部分服务总涨幅或达25%。
利多
晶圆代工价格，受AI需求激增及设备材料成本上涨驱动。
Advanced Process Nodes Mature Process Nodes HPC ChipsTSMC, Vanguard International Semiconductor and 3 totalPrice Movement

Mon, Jul 20

1 items

02:45Impact score 65
台积电追加2650亿美元美国投资，毛利率预计稀释4%
台积电将美国投资额增至2650亿美元，聚焦2nm及更先进制程，预计毛利率稀释2-4%。尽管面临4-5倍建设成本及英特尔18A良率提升至85%的竞争压力，台积电仍坚持扩张以锁定长期需求。
关注
（利多需求预期 vs 利空毛利率及竞争格局）。
2nm 3nm 4nmTSMC, IntelCapacity Change

Sat, Jul 18

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18:07Impact score 20
RoboSense发布E2激光雷达体积减六成
RoboSense发布第二代全固态激光雷达E2，体积缩小60%且重量减少40%。该产品基于自研SPAD-SoC“孔雀”芯片，采用28nm制程与全固态扫描架构。
利多
提升激光雷达集成度与量产潜力。
Laser Radar SPAD-SoC 28nmRoboSenseProduct Launch

Fri, Jul 17

1 items

11:00Impact score 10
塔塔电子晶圆厂推迟至2028年，采用90纳米制程
塔塔电子印度首座晶圆厂将采用90纳米制程，投产时间推迟至2028年年中。相比原定28纳米计划，技术降级凸显了印度在成熟制程制造上的挑战，且需依赖力积电技术支持。
利空
成熟制程产能扩张推迟，短期对全球供需格局无显著冲击，但反映印度半导体战略落地难度。
Tata Electronics, Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation (PSMC)Capacity Change

Mon, Jul 13

1 items

07:02Impact score 75
中国氦气出口禁令生效，3nm工艺耗氦量超150升
中国商务部与海关总署7月10日宣布立即实施氦气临时出口管制。氦气是EUV光刻机冷却的关键介质，3nm工艺每片晶圆消耗超150升。
利多
氦气市场，此举虽因中国产量占比仅1.6%而影响有限，但将进一步收紧本已脆弱的全球半导体供应链。
Helium EUV Lithography Systems Semiconductor Manufacturing GasChina Ministry of Commerce, General Administration of Customs and 3 totalShortage Alert

Thu, Jul 9

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00:29Impact score 60
Rapidus 2nm无客户签约，2027量产推迟
Rapidus完成2nm GAA原型，获政府注资，但无量产客户签约。虽有60家潜在客户洽谈，但尚未签署量产协议，2027年量产目标面临不确定性。
关注
新厂产能扩张计划虽具潜力，但缺乏实际订单支撑，短期供需影响有限。
2nm Logic EUV LithographyRapidus, ASMLCapacity Change

Mon, Jul 6

1 items

20:00Impact score 5
英特尔拟为14A2工艺采用双面供电
英特尔拟为14A2工艺采用双面供电以应对M0晶圆间距缩小至21nm的光刻限制。此举旨在提升密度以增强竞争力，但属于研发技术调整，尚未对现货供应或价格产生直接影响。
关注
IntelTechnical

Tue, Jun 30

1 items

13:28Impact score 65
Nexchip拟集资8.9亿美元扩产，折旧致利润收窄
Nexchip拟在港集资8.9亿美元，用于合肥5.1亿美元40/28nm晶圆厂建设。公司去年营收15.8亿美元，利润率32%，但预计今年因新厂折旧导致利润下滑。
利空
新产能投放叠加折旧压力，加剧供应过剩风险，压制现货价格。
Automotive Chips CMOS Image Sensors Display Driver ICsNexchip SemiconductorCapacity Change

Mon, Jun 22

2 items

03:23Impact score 65
日本五大晶圆设备商中国销售跌10%
日本五大晶圆设备商对华销售总额1.47万亿日元，同比下滑12%。受中国半导体设备本土化政策推动，前道设备销售下滑近20%，中芯国际等国产厂商份额提升。
利空
日本设备商，本土化替代趋势加剧。
Wafer Fabrication Equipment Assembly & Packaging EquipmentTokyo Electron, Advantest and 9 totalMarket Analysis
01:36Impact score 85
TSMC削减28nm产能逾25%，成熟制程价格看涨
TSMC将28nm月产能削减逾25%，从年初的20万片降至6月的15万片，Fab 15A正转型为4nm制造基地。此举旨在提升资本效率并引导客户转向12nm，导致部分客户转向联电和力积电。
利多
成熟制程供应链，预计将引发价格上行压力及产能溢出效应。
28nm Mature Node WaferTSMC, UMC and 4 totalCapacity Change

Fri, Jun 19

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23:42Impact score 5
imec台积电ASML实现50nm二维晶体管
imec、ASML 与台积电在 300mm 晶圆上实现 50nm 接触栅极间距的二维互补晶体管集成。该成果采用单次 EUV 光刻与反向薄膜晶体管结构，验证了二维材料在先进逻辑工艺中的可行性。
利多
关注：该技术路线图将二维半导体推向后硅时代，但预计 2041 年前难以量产。
imec, ASML and 3 totalTechnical
21:13Impact score 10
imec ASML TSMC集成2D晶体管50nm节距
imec、ASML与TSMC在300mm晶圆上成功集成互补2D晶体管，实现50nm节距。该成果利用EUV光刻技术打印28nm栅极，94%器件正常工作，是2D材料集成的重要里程碑。
中性
该技术突破属于长期研发进展，对当前现货市场供需及价格无直接影响。
imec, ASML and 3 totalTechnical

Analog	$0.68	−5.9%
Connector	$0.75	+0.2%
CPU	$386.74	−21.3%
DDR4	$88.40	−0.2%
DDR52026-W13	$14.89	−11.2%
GPU	$478.20	+8.2%
MCU	$0.68	−61.7%Unusual
MLCC	$0.01	+54.0%Unusual
MOSFET	$0.12	−82.8%Unusual
PMIC2026-W13	$0.44	−12.5%
SSD/HDD	$288.43	n/a

NuAxi Stream - Real-Time Semiconductor Intelligence

Mon, Oct 19

铭芯启睿10月19日宣布完成超4亿元A轮融资，资金用于RRAM产业化及启动第一代LPU推理芯片研发，LPU尚处研发阶段

Sun, Oct 18

台积电日本合资公司JASM第二晶圆厂转产3nm计划获日本经产省批准，月产能6,000片，预计2028年12月完工投产

Fri, Oct 16

Galaxy Z Fold8折叠手机“缺芯”拖累出货：三星拟引入格芯代工打破联电独供格局

三星拟将Galaxy手机显示驱动芯片供应商扩至两家考虑引入格芯

Thu, Oct 15

【新闻】成熟制程产能趋紧，三星或增加GlobalFoundries为Galaxy DDI代工，终结UMC独家地位

红魔12 Pro+发布：6.85英寸185Hz真全面屏，搭载第六代骁龙8超级至尊版，补贴后6499元起

Fri, Sep 18

MediaTek推2nm芯片降内存使用

Wed, Jul 29

TSMC确认JASM复工，TEL暂停工厂

Tue, Jul 21

TSMC先进制程报价上调5%-25%

Mon, Jul 20

台积电追加2650亿美元美国投资，毛利率预计稀释4%

Sat, Jul 18

RoboSense发布E2激光雷达体积减六成

Fri, Jul 17

塔塔电子晶圆厂推迟至2028年，采用90纳米制程

Mon, Jul 13

中国氦气出口禁令生效，3nm工艺耗氦量超150升

Thu, Jul 9

Rapidus 2nm无客户签约，2027量产推迟

Mon, Jul 6

英特尔拟为14A2工艺采用双面供电

Tue, Jun 30

Nexchip拟集资8.9亿美元扩产，折旧致利润收窄

Mon, Jun 22

日本五大晶圆设备商中国销售跌10%

TSMC削减28nm产能逾25%，成熟制程价格看涨

Fri, Jun 19

imec台积电ASML实现50nm二维晶体管

imec ASML TSMC集成2D晶体管50nm节距

Chip Teardown Lab1 opened

Component price indexNPI, vs. prior period

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