25PS6规格泄露：2027年发布3nm RDNA5
索尼PS6规格泄露，预计2027年底发布，采用台积电3nm工艺及RDNA5架构。爆料显示其性能约为PS5的2.5至3倍，并计划推出原生掌机。利多未来高性能GPU及3nm芯片需求，但当前现货市场无直接影响。
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索尼PS6规格泄露，预计2027年底发布，采用台积电3nm工艺及RDNA5架构。爆料显示其性能约为PS5的2.5至3倍，并计划推出原生掌机。利多未来高性能GPU及3nm芯片需求，但当前现货市场无直接影响。
台积电2Q26营收达40.2亿美元，同比增长33.7%，毛利率升至67.7%。受HPC强劲需求驱动，先进制程（2nm、3nm、5nm、7nm）贡献营收占比达77%，净利同比大增77.4%。利多。先进制程需求旺盛且产能利用率提升，抵消海外扩产压力，显示晶圆代工行业景气度持续向上。
台积电2026年Q2营收同比增长36%，净利润大增77.4%，毛利率达67.7%。先进制程（2nm至7nm）合计占比77%，显示AI及高性能计算需求强劲。利多。高利润率与产能利用率表明供应紧张，预计现货价格将维持坚挺。
台积电2Q26净利同比大增77%至706.6亿新台币，毛利率创历史新高67.7%。受益于3nm及2nm制程需求强劲及CoWoS先进封装产能紧缺，公司营收与利润均超预期。利多。先进制程与封装产能利用率维持高位，预示后续供需紧张格局延续。
中国商务部与海关总署7月10日宣布立即实施氦气临时出口管制。氦气是EUV光刻机冷却的关键介质，3nm工艺每片晶圆消耗超150升。利多 氦气市场，此举虽因中国产量占比仅1.6%而影响有限，但将进一步收紧本已脆弱的全球半导体供应链。
SJSU与Sandia国家实验室发表技术论文，评估3nm GAA-FET SRAM的自热与辐射硬度。研究对比了传统底部介电隔离（BDI）与穿通停止器（PTS）等隔离技术。中性：该技术验证有助于提升先进制程SRAM的可靠性，但短期内无供应影响。
苹果削减iPhone 17标准版产能三分之一，因存储芯片和3nm代工成本飙升。三星与SK海力士将产能转向HBM，导致手机端DRAM与NAND紧缺。利多存储芯片与晶圆代工板块。
摩托罗拉预热Edge 70 Max确认搭载骁龙8 Gen 5芯片。该机采用3nm工艺，配备7100mAh电池及25W磁吸无线充电。关注：新产品发布，对当前供应链价格影响中性。
Rapidus计划2nm晶圆报价3万至3.5万日元（约1.85万至2.15万美元），低于台积电约3万美元及三星约2万美元。面对台积电与三星因需求旺盛而上调5%-15%售价，Rapidus采取激进定价策略以抢占市场。关注（利空台积电/三星长期溢价能力，利好Rapidus市场地位）。
Rapidus完成2nm GAA原型，获政府注资，但无量产客户签约。虽有60家潜在客户洽谈，但尚未签署量产协议，2027年量产目标面临不确定性。关注：新厂产能扩张计划虽具潜力，但缺乏实际订单支撑，短期供需影响有限。
联发科与富士康合作，将3nm Dimensity AX C-X1平台集成至高端汽车座舱。该平台结合NVIDIA GPU与AI技术，旨在提升智能座舱体验。利多联发科汽车芯片需求前景。
三星将1.4nm工艺量产时间推迟至2029年，优先提升2nm良率。此举导致三星在1.4nm节点上落后台积电约一年。利多苹果供应链多元化策略，但短期对现货市场影响中性。
移远通信在MWC26上海展会上推出SP805FL系列模组，基于联发科Genio Pro 5100（MT8894），采用台积电3nm工艺，配备50+ TOPS NPU。中性。这是一个新产品发布，目前不直接影响价格或供应。
台积电3nm产能依然紧张，CoWoS与SoIC产能年复合增长率分别超80%与90%。AI需求激增推动台积电扩大产能，在台湾新建封装测试设施。利多。短缺与扩产计划支撑价格上涨。
Semidynamics在ISC HPC 2026展示全栈AI推理方案，强调3nm硅与机架级集成，旨在解决内存瓶颈并降低TCO。AI推理市场对可信替代方案需求迫切。该技术趋势对短期现货价格无直接影响。
TSMC将28nm月产能削减逾25%，从年初的20万片降至6月的15万片，Fab 15A正转型为4nm制造基地。此举旨在提升资本效率并引导客户转向12nm，导致部分客户转向联电和力积电。利多成熟制程供应链，预计将引发价格上行压力及产能溢出效应。
Marvell与台积电洽谈A14制程用于下一代AI连接芯片，并承诺10亿美元预付款锁定产能。此举紧随博通试产3nm DSP之后，显示行业正积极利用先进制程满足AI数据中心带宽需求。利多：锁定先进产能显示其对AI需求前景的信心，可能引发后续供应链紧张预期。
台积电因成本压力上调2nm晶圆报价，可能迫使英伟达和苹果评估三星作为替代代工伙伴。设备投入与封装难度攀升推高成本，三星GAA工艺定价更具优势。利多台积电定价权，但需关注供应链多元化风险。
SK海力士将HBM4E样品交付时间提前至6-7月，瞄准英伟达下一代AI芯片。随着三星已率先交付样品，SK海力士加速追赶并采用1c DRAM与台积电3nm工艺。利空，供应提前释放将缓解HBM4E市场短期紧张，压制现货价格。
NVIDIA计划8月起向中国客户开放Vera CPU销售，单一大客户已预订超300台服务器。针对H200出货受阻，且全球AI推理需求激增导致Intel和AMD服务器CPU供应紧张。利多NVIDIA CPU业务及SK海力士、台积电等供应链，有望抢占受限市场。