88SK会长预警内存短缺持续五年
SK集团会长崔泰源预测，因AI对HBM需求旺盛且基础晶圆供应缺口超20%，内存短缺将持续4-5年。短缺局面预计将延续至2030年。利多：HBM及上游晶圆供应将持续紧张，支撑价格。
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SK集团会长崔泰源预测，因AI对HBM需求旺盛且基础晶圆供应缺口超20%，内存短缺将持续4-5年。短缺局面预计将延续至2030年。利多：HBM及上游晶圆供应将持续紧张，支撑价格。
Micron宣布DDR5利润率反超HBM，现货DRAM价格近期涨幅超60%。受益于供需紧张及HBM产能被占用，通用DRAM价格随行就市上涨，而HBM受长期合同锁定价格。利多：现货DRAM价格飙升推动非HBM业务利润率超越HBM。
三星在GTC 2026展示Groq-3晶圆并确认量产，展位访客超1500人。黄仁勋确认三星为代工厂，展示HBM4/HBM4E及SSD产品。关注三星HBM4及SSD供应链地位稳固，但暂无具体价格变动数据。
Orum Material开发出首款可接触HBM微凸块的超细测试插座，精度达±1.0μm。针对HBM4 65μm节距及1.6万+凸块结构，该技术利用MEMS悬臂梁解决传统探针无法接触的难题。关注：该技术旨在提升HBM良率，目前处于原型验证阶段，对现货价格影响中性。
美光FQ2营收达238.6亿美元，同比增长196%，所有业务部门均创纪录，AI需求为主要驱动力。公司已开始为英伟达下一代平台量产36GB HBM4产品，并签署了首个五年期战略客户协议。利多：创纪录业绩与长期供应协议表明，AI驱动的存储芯片（尤其是HBM与数据中心DRAM）需求与定价将持续坚挺。
三星在2026年股东大会展示HBM产品，推进AI内存战略。此举旨在强化半导体竞争力，聚焦高带宽内存领域。关注：战略布局或预示未来需求，但缺乏当前供需数据。
三星电子正与谷歌、微软谈判多年期内存供应协议，可能涉及超100亿美元预付款，以锁定采购量并采用挂钩现货价的浮动定价。此举源于AI数据中心扩张导致内存成为关键瓶颈，美光也已披露首个五年期战略客户协议。利多：大厂通过预付款锁定长期需求，将平滑行业周期、支撑资本开支并利好内存价格稳定性。
Topco Scientific宣布2026年将聚焦AI、汽车和数据中心等高增长领域，目标实现两位数增长。该战略由AI应用推动先进制程、HBM及封装技术对硅片、光刻胶等关键材料的需求增长所驱动。中性：此为市场展望，未提供影响当前供需的具体行动或数据。
英伟达发布基于Groq技术的LPX机架系统，每系统集成256颗LP30 LPU以加速AI推理。此举源于其以200亿美元收购Groq知识产权与团队，旨在弥补GPU在高交互、低延迟场景的效率短板，并应对AMD及AWS-Cerebras的竞争压力。关注：此为面向未来AI负载的战略产品整合，对当前元器件供应链、需求及价格无直接可量化影响。
美光Q2 FY2026营收达236.8亿美元，同比增长194%，毛利率升至74.4%。受AI需求激增及HBM短缺推动，公司上调了DRAM和NAND价格。利多：预计Q3将继续创纪录，供需紧张支撑价格上行。
三星将平泽厂50%以上产能转至自研HBM4基板，利用率超90%。为满足NVIDIA、AMD及OpenAI等大客户需求，公司调整策略优先HBM4而非服务器DRAM。利多 - 外部HBM4供应受限，供需紧张加剧。
三星电子成为AMD MI455X AI加速器HBM4内存的独家供应商，并已开始出货。双方合作还延伸至AMD Helios平台的DDR5内存，并探讨了未来芯片的代工制造可能。关注：独家协议巩固了三星在高端HBM市场的地位，可能影响竞争格局，但对现货价格的直接影响尚不明确。
SK海力士考虑采用台积电3nm工艺制造HBM4E逻辑芯片，以对标三星计划采用的4nm工艺。此举旨在通过更先进的逻辑工艺在下一代HBM竞争中获取性能优势。利多：此为2026年后的技术路线规划，对当前HBM4/HBM3e的供应和价格无直接影响。
英伟达GTC 2026主题演讲明确将AI行业竞争焦点从算法转向算力、效率与商业部署。此举强化了美国在AI计算基础设施的领先地位，进一步拉大与中国的技术差距。利多：长期结构性需求利好英伟达AI GPU及HBM等关联组件，但地缘政治导致的供应风险仍是关注焦点。
2025年全球半导体销售额达8300亿美元，DRAM收入同比涨超50%至1500亿美元。受AI需求驱动，前十大厂商市场份额升至42%。利多：AI与内存需求强劲，推动行业增长。
继英伟达后，AMD亦确认获得三星HBM4供应，三星可能借此将部分AI芯片生产从台积电转移。此举是三星晶圆代工利用内存供应优势争夺先进封装与AI芯片订单的战略。关注：高端AI芯片的代工格局可能生变，影响长期供应链配置。
SK集团会长预测行业内存供应缺口超20%将持续至2030年，主因晶圆产能不足且扩产需4-5年。公司计划集中投资韩国本土晶圆厂以加速响应，并避免全面转向HBM生产以防止DRAM短缺恶化。利多：长期且严重的供应约束预示内存价格将持续面临上行压力。
AMD与三星达成HBM4供货协议，并可能将部分先进AI芯片生产转移至三星晶圆厂。此举源于AMD为MI400系列确保HBM4供应的紧迫性，以及英伟达大规模订单导致的供应紧张。关注：AMD可能长期调整其先进制程芯片的代工份额，影响台积电与三星的代工竞争格局。
美光将FY26资本支出上调至超250亿美元，并签署首个五年期战略客户协议。此举由AI内存需求驱动，旨在支持其在美国和台湾的晶圆厂扩张计划。关注：大规模产能扩张在长期需求锁定下，可能改变未来现货市场的供需结构与价格波动性。
AMD CEO苏姿丰3月18日访问三星平泽园区，重点商讨HBM4供应及代工合作。鉴于台积电产能接近上限，三星先进制程良率提升，AMD计划将下一代AI加速器及EPYC处理器交由三星代工，并寻求更优的HBM供应条款。利多三星代工及HBM供应链，确认AMD未来产能布局多元化。