PSMC Q2营收环比增27%至172.9亿新台币，DRAM代工价格7月上调45%。受益于AI算力需求激增及存储价格飙升，公司毛利率扩张至28%。利多。硅电容获Intel认证，2027年12吋产能目标破1万片，且与美光合作HBM及先进制程量产在即。

特斯拉AI5芯片在三星代工厂完成流片，将采用2nm工艺量产，集成12颗SK海力士内存。该芯片由三星和台积电双线代工，马斯克预计将成为史上产量最大的芯片之一。利多三星代工与SK海力士，高产能预期将推高相关供应链需求。

苹果M7 Ultra计划搭载1.5TB统一内存并瞄准Blackwell级AI性能。该芯片预计2028年发布，但受限于当前内存供应短缺，量产进度取决于短缺缓解。利多：高容量内存需求确认，加剧DRAM供应紧张。

SK海力士CEO预测2027年为最差年份，短缺将持续至2030年。AI数据中心需求激增及HBM产能紧缺是主因。利多，供需缺口扩大，价格维持高位。

苹果2026年新品全线涨价，DRAM与NAND闪存价格同比翻倍。AI产业疯狂抢占存储产能，2nm先进制程与自研基带推高整机成本。利多存储与先进制程板块，供需紧张将持续推高价格。

苹果削减iPhone 17标准版产能三分之一，因存储芯片和3nm代工成本飙升。三星与SK海力士将产能转向HBM，导致手机端DRAM与NAND紧缺。利多存储芯片与晶圆代工板块。

三星电子预计Q2利润同比暴涨18倍至580亿美元，受DRAM和NAND价格周环比上涨40%和50%驱动。利多存储现货价格。

TrendForce预测服务器DRAM合约价QoQ涨13-18%。尽管长协限制了涨幅，但供应紧张仍推动报价走高。利多：供应紧张支撑价格上行。

美光计划2035年前投资超2500亿美元，将美国DRAM产能占比提升至40%。此举旨在强化本土制造能力，利空DRAM价格，因产能大幅扩张可能加剧供应过剩。

预计2026年预算智能手机出货量将暴跌22%，内存成本占低端机型BOM比例高达64%。SK海力士、三星和美光将晶圆产能转向高利润的HBM，导致标准内存供应被“饿死”。利空：标准DRAM和NAND闪存价格面临下行压力，预算手机需求萎缩将加剧库存积压。

SK海力士与三星股价单日跌超6%，KOSPI暴跌5.35%，主因海力士ADR上市套利及杠杆ETF踩踏。利空短期股价，但HBM供需缺口仍存，ADR获大额认购。

Omdia 预计 2026 年 Q1 低端智能手机的存储芯片成本占比将升至 60%，导致出货量下降 22%。DRAM 和 NAND 价格上涨挤压了面板和传感器等部件的利润空间。利多：存储芯片价格面临上行压力，而高端手机需求保持韧性。