95TrendForce上调存储预测，DRAM NAND 2026年同比增超300%
TrendForce预测2026年DRAM市场规模将达6187亿美元（同比增303%），NAND闪存达2706亿美元（同比增281%）。AI重心转向推理驱动，叠加HBM产能挤占传统供给及云服务商资本支出提速。利多：供给缺口难弥合，价格上行动能将延续至2027年。
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TrendForce预测2026年DRAM市场规模将达6187亿美元（同比增303%），NAND闪存达2706亿美元（同比增281%）。AI重心转向推理驱动，叠加HBM产能挤占传统供给及云服务商资本支出提速。利多：供给缺口难弥合，价格上行动能将延续至2027年。
瑞银警告全球内存价格暴涨超400%，预计2026年下半年至2027年一季度将更猛烈冲击戴尔业务。戴尔虽在2026年一季度通过谈判消化了110%的成本增幅，但未来毛利率面临压力。利空：内存成本高位运行，利润率承压。
Cooler Master与G.Skill合作推出MasterDIMM DDR5内存模组，配备主动散热风扇与RGB灯效，容量最高达128GB。该产品专为高端游戏平台设计，宣称可将温度降低15°C，但尚未公布具体售价与上市时间。关注。此举仅影响高端DDR5细分市场需求，对整体市场供需及价格走势无显著影响。
三星电子开始向全球合作伙伴交付全球首款12层HBM4E样品，性能较HBM4提升20%，容量增加30%。该产品采用先进低功耗设计，计划随客户时间表进入量产，竞争对手SK海力士也在加速HBM4E研发。关注：尽管供应端出现新进展，但AI算力需求强劲，HBM4E的量产节奏对缓解当前缺货状况至关重要。
Valve将Steam Deck 512GB OLED版提价至789美元，1TB版涨超46%至949美元，主要受内存和存储成本上升影响。分析师预测2027年前内存短缺将持续，AI需求激增是主因。利多：AI需求推高内存价格，加剧供应链紧张。
全球DRAM收入在2026年第一季度激增至接近1000亿美元，受人工智能需求和供应紧张推动。这一趋势表明内存市场价格普遍走高。利多，交易员应关注DRAM价格进一步上涨。
SK海力士推出iHBM散热方案，将HBM热阻降低30%。该方案通过在D2D PHY区域集成ICE散热元件，解决高功率密度下的散热瓶颈，并利用MR-MUF技术实现量产。利多HBM需求及价格，提升AI芯片在高高温高压环境下的稳定性。
Powerchip将在COMPUTEX 2026展示3D WoW DRAM堆叠技术，旨在解决GenAI和高性能计算的带宽与功耗限制。关注未来3D堆叠技术的量产进展。
SK海力士推出集成散热元件的iHBM方案，将HBM5热阻降低30%。该技术通过在HBM与GPU间直接集成ICE，利用WLP和MR-MUF工艺解决高堆叠散热难题。利多：此举有望提升HBM5在AI数据中心的应用稳定性，强化SK海力士在高性能计算芯片领域的竞争优势。
寒武纪市值突破9000亿元，华虹半导体20%涨停，中芯国际涨16.6%。受华为“韬定律”及TrendForce预测2026年移动DRAM价格将上涨70-75%推动，半导体板块领涨A股。利多。市场情绪高涨，成交额放量至2.08万亿，煤炭板块因印尼出口限制及地缘政治因素同步走强。
英伟达推出独立版Vera CPU，为低功耗DRAM带来新需求。当前存储供应链本已紧张，此举进一步加剧了供需矛盾。利多三星与SK海力士，LPDDR价格及供应压力预计持续上行。
文章指出内存互连芯片需求上升，相关公司覆盖三星电子、SK海力士及美光等头部DRAM厂商。AI算力需求推动该细分领域市场回暖。利多，预计内存互连芯片供需紧张预期增强。
美光在弗吉尼亚工厂开始量产1-alpha DRAM。这是美国最先进的内存技术，也是扩大国内半导体制造的关键里程碑。利空：产能扩张将增加未来供应，压制价格。
英伟达CFO称竞争对手低估内存涨价，公司提前锁定供给。AI GPU需求激增导致HBM与DDR产能紧张。利多：DDR与HBM价格因供应短缺持续上涨。
美光在弗吉尼亚工厂量产1α工艺DDR4，产能将翻四倍。随着主要厂商转向DDR5和HBM，汽车DRAM供应紧张，价格预计2026年上涨70-100%，库存缓冲降至6-8周。利多汽车DRAM价格。
美光宣布启动弗吉尼亚州1α工艺DRAM生产，预计年内量产。该基地DDR4产能将增至当前四倍，以保障汽车、国防等利基市场供给。利空。大规模扩产将增加DDR4供应，可能压制现货价格。
美光在弗吉尼亚工厂启动1α DRAM工艺量产。该工艺为美国最先进内存技术，主要应用于DDR4和LP4产品。利多美光长期产能布局，但短期对现货价格影响中性。
TrendForce数据显示2026年Q1全球电视出货4712万台，同比增长3.3%，三星稳居第一，TCL出货768万台同比增长11.3%。受DRAM与NAND Flash供应趋紧及价格明显上涨影响，品牌提前备货以对冲成本压力。利多存储器价格，预计2026年全年出货量将同比下降1%。
台积电2026年资本开支预计达470亿美元，AI算力需求指数级增长。摩尔定律放缓推动产业转向系统级创新与国产替代。利多AI芯片及国产设备材料板块。
ASML预计数月内出货首颗高阶EUV芯片，英特尔与SK海力士加速采用，TSMC因成本高昂推迟布局。利多高阶光刻设备需求，但TSMC与三星策略分化将影响未来产能。