毫米波频段向30GHz以上迁移
行业正向30GHz以上的毫米波频段及波导技术转移以克服信号损耗。传统互连技术在高频下失效,工程师需重新设计信号路径。
GaN 与 GaAs 在射频领域的替代趋势。
- Related manufacturers
- Filtronic
- Impact score
- 10 / 100, low impact
行业正向30GHz以上的毫米波频段及波导技术转移以克服信号损耗。传统互连技术在高频下失效,工程师需重新设计信号路径。
GaN 与 GaAs 在射频领域的替代趋势。
Sivers与SemiNex联合推出340万美元InP光源研发项目,旨在提升光功率与波长数量以适应数据中心向共封装光学(CPO)架构的演进。
InP光电子技术发展,但短期现货市场供需无直接影响。
英特尔CEO陈立武指出先进封装是瓶颈,将重点投资氮化镓、碳化硅等新材料。这是解决摩尔定律放缓的关键战略方向。
关注相关材料厂商的长期研发与扩产预期。
Polar Light获110万欧元资助,启动为期18个月的双色Micro LED微显原型开发项目,并完成超500万欧元新一轮融资。该公司计划在2026年Q4启动单色绿光显示试产线。
此为远期技术路线图进展,对当前供应链、库存及现货价格无直接影响。
行业预测称AI数据中心互连将在5年内全面转向光互连,磷化铟激光器和硅光技术将与CMOS并列成为关键。此为长期技术路线图分析,未提供影响当前供应链的具体数据。
此为远期技术趋势判断,对当前组件交易无直接价格影响。
OpenLight宣布其与Tower合作开发的PH18DA磷化铟硅光平台获得首批量产订单。该平台基于800G/1.6T激光集成光子集成电路方案,面向AI与数据中心网络。
此为长期技术研发里程碑,对现有元器件供应、价格及交易决策无直接影响。
欧洲TNO、埃因霍温理工大学与SMART Photonics等机构联合投资超1.5亿欧元,在荷兰埃因霍温开建全球首个6英寸InP光子芯片工业产线,计划2028年全面投产,年产能达1万片晶圆。该项目获《欧洲芯片法案》支持,且中国2026年政府工作报告将6G列为未来产业,强化了InP的长期战略预期。
此为长期研发与产能布局,对当前元件供应、价格及交易决策无直接影响。
光子集成公司Photon Bridge指定加拿大光子制造中心CPFC为其磷化铟激光器代工合作伙伴,目标实现每波长超30mW的光功率输出。此举旨在验证其厚硅平台的可制造性,并为AI基础设施和传感系统开发可扩展的多波长光源。
此为长期技术合作与路线图验证,对当前组件供应、价格及产能无直接影响。
FAMES中试线启动2026年开放申请,提供四款新工艺设计套件,涵盖7-15GHz声波射频滤波器、相变材料射频开关、硅基磁性集成及FD-SOI 10nm路径探索。此举旨在通过共享研发设施提升欧盟技术主权。
此为长期研发合作项目,对当前组件供需及价格无直接影响。
荷兰埃因霍温动工建设一座6英寸磷化铟光子芯片工业级中试线。此举旨在加速InP芯片从研发到商业化的流程,但Coherent公司已于2024年宣布具备6英寸InP晶圆制造能力。
/利多/关注: 中性。此为长期技术研发进展,对现有电子元件供应、价格及短期交易无直接影响。
美国密歇根大学实验实现单通道AlN/GaN异质结2DEG面密度超1x10^14 cm^-2。该研究采用9nm氮化铝势垒层,旨在提升GaN HEMT器件的电子迁移率与性能。
此为远期材料研发突破,对当前功率及射频半导体供应链、库存及价格无直接影响。
Move2Thz项目旨在开发可持续的磷化铟硅基平台并扩大欧洲生态系统,以支持未来大众市场亚太赫兹应用。该项目针对现有磷化铟技术短板,旨在为更高频段应用构建商业化平台。
此为长期研发里程碑,对当前组件供应、价格及交易决策无直接影响。
康奈尔大学研发出基于单晶氮化铝衬底的新型高电子迁移率晶体管架构,用于射频功率放大器。该研究旨在应对当前基于氮化镓技术的供应链脆弱性问题。
此为远期研发里程碑,尚未进入商业化量产阶段,对当前交易市场无直接影响。
住友电气与东京大学在ICNS-15会议上揭示了ScAlN/GaN异质结中二维电子气的散射机制。该研究旨在提升下一代高频GaN HEMT中势垒层的性能。
此为远期技术研发进展,对当前组件交易、价格及供应无直接影响。
荷兰TNO研究所将于年底在埃因霍温开建一条6英寸InP光子芯片试产线,旨在实现规模化生产。该项目是与PITC及多所大学合作的研发设施,旨在提升光子集成技术能力。
此为长期研发里程碑,对现有商用半导体供应链、库存及价格无直接影响。
冲电气工业与NTT创新器件公司宣布,利用其专有晶体薄膜键合技术,建立了用于高功率太赫兹器件的量产技术。该技术将磷化铟基UTC-PD光电二极管键合到碳化硅衬底上,旨在提升散热性能和键合良率。
此为远期研发进展,对当前电子元件的供应、需求及现货价格无直接影响。
弗劳恩霍夫ISE与III/V-Reclaim联合开发出150mm的InP-on-GaAs衬底,可替代传统InP晶圆。该技术通过特殊表面处理提供外延就绪晶圆,为III-V族器件制造提供了可扩展的低成本路径。
该技术突破提供了低成本替代方案,若实现量产,可能增加有效供应,对高端InP晶圆的长期价格构成压力。
爱思强将向诺基亚供应G10-AsP MOCVD系统,用于生产6英寸磷化铟晶圆。此举标志着光子集成电路制造技术的一个研发里程碑。
此为单笔设备销售,支持客户研发,对当前半导体供应链、需求及价格无直接广泛影响。
Lumentum在OFC 2025上展示其新一代磷化铟芯片技术,旨在实现未来单通道400Gbps及更高效的200Gbps光互连。此举为满足AI数据中心对更高带宽和能效的需求提供技术路径。
此为远期研发进展,对当前光模块及芯片的供应、价格及库存无直接影响。
Lumentum与Marvell在OFC 2025上首次联合演示了集成400G/通道PAM4技术与InP发射器的450G高速光接口。该演示旨在为AI/ML及云基础设施推进下一代高带宽、低功耗光学方案。
此为远期技术研发里程碑,对当前组件供需及价格无直接影响。
Whose chips are really inside the hottest new products? We open them up and show you, one part at a time.
All teardowns| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| Connector | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |