德机构研发150mm InP-on-GaAs衬底替代方案

弗劳恩霍夫ISE与III/V-Reclaim联合开发出150mm的InP-on-GaAs衬底，可替代传统InP晶圆。该技术通过特殊表面处理提供外延就绪晶圆，为III-V族器件制造提供了可扩展的低成本路径。利空：该技术突破提供了低成本替代方案，若实现量产，可能增加有效供应，对高端InP晶圆的长期价格构成压力。

来源：Semiconductor Today · 2025/5/22 · 查看原始来源