NuAxi半导体贸易情报
低影响影响力评分：8/100
冲电气与NTT宣布太赫兹器件量产技术突破
冲电气工业与NTT创新器件公司宣布，利用其专有晶体薄膜键合技术，建立了用于高功率太赫兹器件的量产技术。该技术将磷化铟基UTC-PD光电二极管键合到碳化硅衬底上，旨在提升散热性能和键合良率。中性：此为远期研发进展，对当前电子元件的供应、需求及现货价格无直接影响。
Terahertz DevicesPhotodiodes (UTC-PD)
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来源：Semiconductor Today · 2025/6/23 · 查看原始来源
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