NuAxi半导体贸易情报
低影响影响力评分：10/100
住友电气揭示ScAlN/GaN异质结电子散射机制
住友电气与东京大学在ICNS-15会议上揭示了ScAlN/GaN异质结中二维电子气的散射机制。该研究旨在提升下一代高频GaN HEMT中势垒层的性能。中性：此为远期技术研发进展，对当前组件交易、价格及供应无直接影响。
GaN HEMTScAlN Barrier Layer
R&Dmaterial-scienceGaN
来源：Semiconductor Today · 2025/7/17 · 查看原始来源
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