中科院用DUV实现3nm级性能
中国科学院（CAS）据报道使用DUV光刻技术开发GAA晶体管，以实现3nm级性能，可能绕过对EUV光刻机的依赖。这是先进节点技术的一项重要研发里程碑。
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目前对现货价格或供应链可用性没有直接影响。
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中国科学院（CAS）据报道使用DUV光刻技术开发GAA晶体管，以实现3nm级性能，可能绕过对EUV光刻机的依赖。这是先进节点技术的一项重要研发里程碑。
目前对现货价格或供应链可用性没有直接影响。
英特尔14A缺陷密度下降速度创22纳米以来最佳，CFO称自22nm以来从未见过。该节点计划2027年下半年风险量产，2028年大规模量产，技术难度高。
未来产能需求，但距量产尚有两年，目前对现货价格影响中性。
台积电A14工艺性能与256Mb SRAM良率逼近90%，较四月提升约5%与10%。得益于N2代GAA技术的经验积累，A14开发进度显著快于N2。
AI与HPC客户强劲需求，但良率提升可能缓解未来供应压力。
SJSU与Sandia国家实验室发表技术论文，评估3nm GAA-FET SRAM的自热与辐射硬度。研究对比了传统底部介电隔离（BDI）与穿通停止器（PTS）等隔离技术。
该技术验证有助于提升先进制程SRAM的可靠性，但短期内无供应影响。
北京大学团队开发出首个全碳纳米管CFET数字逻辑电路，峰值电压增益达164。该成果采用无掺杂CMOS技术解决了驱动能力失配问题，展示了高稳定性与低功耗特性。
标志着碳纳米管作为后硅时代通道材料的重大技术进展，但短期内无商业量产影响。
imec、ASML 与台积电在 300mm 晶圆上实现 50nm 接触栅极间距的二维互补晶体管集成。该成果采用单次 EUV 光刻与反向薄膜晶体管结构，验证了二维材料在先进逻辑工艺中的可行性。
关注：该技术路线图将二维半导体推向后硅时代，但预计 2041 年前难以量产。
SemiAnalysis拆解华为麒麟9030发现，中芯国际N+3工艺局部金属间距达32.5nm，优于英特尔18A量产间距36nm。该芯片采用DUV光刻及多重曝光技术，通过双鳍、接触孔直接位于有源栅极等手段提升密度，但密度仍比英特尔18A低38%。
技术指标落后，短期无供需影响。
三星、英特尔及台积电已启动2nm量产并规划1.4nm节点。台积电侧重差异化技术，三星聚焦良率，英特尔则激进推进GAA与High-NA EUV。
未来先进制程产能与技术路线图将重塑供应链格局。
英特尔18A-P工艺在同等性能下功耗降低18%，TSMC A16将于6月VLSI大会亮相。此次VLSI大会被视为英特尔与台积电在先进制程领域的关键对决，双方均展示GAA等新技术。
苹果对英特尔18A-P的潜在采用意向，这可能改变未来先进制程的竞争格局。
AlixLabs的APS技术已与英特尔和联电合作演示，宣称可在无需EUV光刻下实现3nm级图形化，单层掩模成本或降低40%。该技术旨在为先进制程提供一种成本更低的替代性图形化路径，但仍处于研发与设备验证阶段。
此为远期技术路线探索，对当前晶圆产能、价格及采购决策无直接影响。
Alchip宣布其2nm ASIC设计平台取得进展，并完成测试芯片流片，验证了其先进芯粒集成方法。此举旨在为AI/HPC客户提供下一代芯片设计服务，属于长期技术研发。
此为远期技术里程碑，对当前元器件供应、价格及交易决策无直接影响。
三星计划在2030年前完成1nm制程节点开发并于当年量产，其2nm GAA工艺良率据称已提升至60%。此举旨在争夺下一代制程技术代工市场主导权。
此为远期研发目标，对当前元件供应、价格及交易决策无直接影响。
三星电子计划于2030年实现1纳米制程量产，将采用超越GAA的叉片晶体管架构。此举旨在缩小与台积电在先进制程领域的长期技术差距。
/利多/关注: 中性。此为远期研发路线图，对当前芯片供应、现货价格及库存无直接影响。
三星计划2030年推出1nm制程，并报告其2nm良率已超60%，特斯拉AI6芯片预计2027年采用SF2T工艺量产。台积电和Rapidus亦在推进1nm路线图，加剧先进制程竞争。
此为长期技术路线宣示，对当前供应链、库存及现货价格无直接影响。
三星计划2026年流片2nm Exynos 2800，并将1.4nm工艺量产推迟约两年。公司正从激进制程微缩转向提升良率稳定性，并采用DTCO优化设计。
此举反映三星在先进制程研发策略上的重大调整，优先考虑良率而非单纯缩小节点。
ASML首台High-NA EUV光刻机EXE:5200已在比利时imec研发中心完成安装，目标用于2纳米以下制程研发。此举旨在为未来AI/HPC芯片延续摩尔定律，属于长期技术路线图节点。
/利多/关注: 中性，此为远期研发里程碑，对当前芯片现货供应、价格及产能无直接影响。
文章介绍了旨在解决2nm节点GAA晶体管制造难题的三种工艺方法。其背景是GAA结构在先进制程中面临良率与性能瓶颈。
/利多/关注: 中性，此为远期技术研发进展，对当前供应链价格无直接影响。
三星首款2nm GAA工艺芯片Exynos 2600在游戏实测中发热控制表现显著改善，单核3105分，多核10444分。其散热提升源于2nm GAA工艺、FOWLP封装及创新的HPB铜基散热器设计。
此为技术研发里程碑，对当前电子元件供应链的价格、库存及供需无直接影响。
IEDM 2025会议聚焦钌金属互连与二维沟道材料研发，三星实验显示超细钌线电阻降低46%，imec展示了16nm间距下的高良率互连结构。背景是铜互连在先进制程面临电阻飙升问题，二维材料旨在解决晶体管漏电。
均为远期技术探索，对当前供应链、库存及现货价格无直接影响。
英特尔 Panther Lake 芯片实测显示其 18A 制程 HP 库的 M0 间距为 36nm，GAA 间距为 76nm，且背面供电技术仅用于逻辑芯片。报告指出该制程良率仍在爬坡，且 SRAM 因技术限制暂无法采用背面供电。
此为制程技术细节披露，对当前元器件供应、价格及产能无直接影响。
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All teardowns| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| Connector | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |