⚡ NuAxi半导体贸易情报
低影响影响力评分：10/100
中芯N+3密度落后38%，金属间距优于英特尔
SemiAnalysis拆解华为麒麟9030发现，中芯国际N+3工艺局部金属间距达32.5nm，优于英特尔18A量产间距36nm。该芯片采用DUV光刻及多重曝光技术，通过双鳍、接触孔直接位于有源栅极等手段提升密度，但密度仍比英特尔18A低38%。利空：技术指标落后，短期无供需影响。
Kirin 9030
node_teardowndensitypitchN+3
2026/6/16
查看 NuAxi 完整情报 →
实时定价、供应信号与 AI 分析，为半导体贸易商而生