IEDM聚焦钌互连与二维材料研发突破

IEDM 2025会议聚焦钌金属互连与二维沟道材料研发，三星实验显示超细钌线电阻降低46%，imec展示了16nm间距下的高良率互连结构。背景是铜互连在先进制程面临电阻飙升问题，二维材料旨在解决晶体管漏电。利空：均为远期技术探索，对当前供应链、库存及现货价格无直接影响。

来源：快科技 · 2026/3/1 · 查看原始来源