SJSU与Sandia研究3nm GAA SRAM自热与辐射

SJSU与Sandia国家实验室发表技术论文，评估3nm GAA-FET SRAM的自热与辐射硬度。研究对比了传统底部介电隔离（BDI）与穿通停止器（PTS）等隔离技术。中性：该技术验证有助于提升先进制程SRAM的可靠性，但短期内无供应影响。

来源：Semiconductor Engineering · 2026/7/12 · 查看原始来源