英特尔 18A 制程实测：GAA 间距 76nm，良率爬坡中

英特尔 Panther Lake 芯片实测显示其 18A 制程 HP 库的 M0 间距为 36nm，GAA 间距为 76nm，且背面供电技术仅用于逻辑芯片。报告指出该制程良率仍在爬坡，且 SRAM 因技术限制暂无法采用背面供电。中性：此为制程技术细节披露，对当前元器件供应、价格及产能无直接影响。

来源：IT Home · 2026/2/21 · 查看原始来源