台积电否认应Nvidia要求探索3D DRAM：先进存储技术距市场可行性尚需数年

发生了什么

据The Information的报道，两名知情人士称，应其最大客户Nvidia的要求，台积电已开始准备3D DRAM制造计划；该计划据报由台积电负责先进封装的副总裁、曾任Micron台湾业务负责人的徐国晋（Hsu Kuo-chin）监督。报道将此举背景归因于AI硬件需求激增令全球DRAM供应吃紧并推高价格，使存储从大宗商品转变为战略资产。台积电对报道予以否认：台积电发言人向Tom's Hardware表示，'台积电始终专注于核心业务，即专用IC代工'，使命是'在未来数年成为全球逻辑IC行业值得信赖的技术与产能提供者'；台积电并称其为纯逻辑代工厂且计划保持这一角色。文章同时指出，3D DRAM即使对主要存储制造商而言也距市场可行性尚有数年，推进3D DRAM战略至少五年内无法解决存储短缺；Micron、Samsung和SK hynix三大DRAM厂商均在开发各自的3D DRAM项目，其中Micron的DRAM战略要求在3D DRAM成为现实之前再引入至少四种平面DRAM工艺技术。台积电缺乏制造DRAM所需的工艺与产能，若进入DRAM业务需投入数十亿美元和多年研发，并可能面临周期性供应过剩风险、与大型DRAM厂商（尤其是2024年与台积电合作制造下一代HBM逻辑基底的SK Hynix）关系复杂化以及反垄断审视；文章还提到台积电可通过生产HBM逻辑基底、以SoIC混合键合集成存储、与GUC及既有DRAM厂商合作开发定制存储方案等方式在不制造DRAM的情况下受益于先进存储需求。该3D DRAM探索计划为媒体报道内容，台积电已否认，未获证实。

影响与信号

受影响器件与厂商

来源与时间

来源：Tom's Hardware · 2026/11/7 · 查看原始来源