台积电被曝应英伟达要求筹划生产3D DRAM内存芯片，正评估建新厂或收购厂房改造两条路径，生产时间表尚未披露

发生了什么

据快科技11月7日消息，台积电正在考虑生产3D DRAM内存芯片，推动该计划的是其最大客户英伟达。原文说明的原因是：人工智能服务器对内存的需求持续增加，供应紧张推高了价格，英伟达正在寻找更多供货来源，因此不仅找内存厂商，也找上长期为其代工芯片的台积电。目前全球DRAM市场主要由三星、SK海力士和美光主导，三家公司都在扩充产能，但新工厂从建设到投产需要时间，新增供应未必能完全跟上需求增长。台积电考虑的3D DRAM是将存储单元从平面排列改为向上堆叠，以提高容量密度，这与HBM将多颗DRAM芯片堆叠封装的做法不同。据知情人士透露，台积电负责先进封装业务的副总裁将牵头相关计划，其团队已有芯片三维堆叠经验，涉及CoWoS等先进封装技术。在工厂方面，台积电正在评估两条路径：一是建设新的先进内存工厂，二是收购现有厂房并改造成内存生产设施，后者有望缩短从建设到投产的准备时间。该计划仍处于考虑/筹划阶段，生产时间表尚未披露，台积电和英伟达也未回应置评请求。

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来源：快科技 · 2026/11/6 · 查看原始来源