三星将部分4纳米产能转向HBM基底芯片，计划以2纳米工艺制造M2800调制解调器，NVHBM基底芯片2纳米方案仍处验证阶段

三星电子正在调整先进芯片制造业务的资源分配，将部分4纳米生产能力转向HBM基底芯片，同时计划采用2纳米工艺制造下一代外置5G调制解调器M2800。该芯片由三星系统LSI部门开发，预计于2027年完成研发，目标是配合2028年推出的Galaxy S28系列手机，与下一代Exynos 2800处理器共同工作；此前三星的外置调制解调器主要采用4纳米工艺。根据目前披露的信息，三星仍计划使用4纳米工艺生产标准HBM产品的基底芯片，并非所有相关产品都立即转向2纳米。此外，英伟达的定制化HBM项目NVHBM要求相关供应商采用台积电3纳米工艺制造基底芯片，三星、SK海力士及美光等厂商参与该合作；行业消息称，三星正在验证利用自家2纳米工艺制造NVHBM基底芯片的可行性，以便在台积电先进制程产能紧张时拥有替代方案，相关计划仍处于验证阶段，尚不能视为已确定的大规模量产安排。文章还指出，目前尚无证据表明高通已决定将某一款旗舰骁龙处理器交给三星以2纳米工艺生产，三星能否获得订单取决于良率、性能、功耗、成本及高通的可靠性要求，相关报道提出的是一种可能的发展方向而非已确定的商业合作结果。原文将上述调整的原因归结为人工智能计算需求持续增长带来的HBM市场需求迅速扩大，正在改变半导体产业的产能配置。

来源：cnBeta · 2026/10/22 · 查看原始来源