消息称英伟达要求三星、SK海力士、美光以台积电3nm基底裸片生产定制NVHBM，核心裸片采用第六代DRAM；10月19日三星回应不对客户事项置评

据市场消息，英伟达已要求三星电子、SK海力士和美光科技为其生产NVHBM（英伟达的定制HBM技术，HBM即高带宽内存），其中基底裸片（BaseDie）采用台积电3nm制程，核心裸片（CoreDie）则采用第六代DRAM（动态随机存取存储器）技术，消息称三星电子已决定接受英伟达的技术要求。该消息的真实性尚属传闻层面：10月19日，三星电子回应称，公司不对涉及客户的事项发表评论。原文未说明原因。

来源：36氪快讯 · 2026/10/19 · 查看原始来源