碳点界面层实现二维半导体上超薄高κ电介质(UIUC、NETL、阿贡、莫纳什发表技术论文)
伊利诺伊大学香槟分校、美国国家能源技术实验室、阿贡国家实验室和莫纳什大学的研究人员发表了一篇题为《Integration of high-κ oxide on 2D semiconductors with carbon-dot monolayer assembly as van der Waals interfacial layer》的技术论文。论文摘要摘录称:这种原子级厚度的组装结构形成了一种范德华界面层,能够实现(high-κ氧化物的)沉积。该内容为研究进展类背景信息,未涉及价格、产能或供需变化,原文未说明其商业应用时间表。
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