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低影响影响力评分:10/100

德机构实现MoS2忆阻器与CMOS芯片集成

德国亚琛工业大学与于利希研究中心成功将低压纳米二硫化钼忆阻器集成至CMOS芯片。该研究旨在利用二维材料的优异电性能推动神经形态计算等先进电子应用发展。中性:此为远期研发里程碑,对当前半导体供应链、现货价格及交易决策无直接影响。

MemristorsNeuromorphic Computing Chips
R&D2D MaterialsMoS2CMOS Integration

来源:Semiconductor Engineering · 2026/2/20 · 查看原始来源

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