中国团队实现WSi₂N₄材料晶圆级生长

中国国防科技大学与中科院金属所团队利用液态金/钨双金属薄膜CVD法，实现了亚毫米级单层WSi₂N₄薄膜的晶圆级生长，生长速率较文献提升约1000倍。针对后摩尔时代传统硅基芯片面临的短沟道效应与功耗墙挑战，该技术有望解决现有2D材料中高性能p型材料稀缺的瓶颈。利多：该技术为下一代芯片材料提供了关键支持，但需长期产业化验证。

来源：TrendForce · 2026/4/12 · 查看原始来源