Infineon在SEDEX 2026展示人形机器人手部半导体方案，涵盖MCU、GaN功率器件及触觉传感器
Infineon 在 SEDEX 2026（于 2026 年 10 月 16 日在韩国首尔 COEX 举行）上推出其面向人形机器人手部的半导体解决方案，重点是微控制器（MCU）、功率半导体和触觉传感器，并展示了配备 MCU、氮化镓（GaN）功率半导体及功率/位置传感器的驱动板，可驱动最高 1.2 千瓦的电机，尺寸约 66 毫米。
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Infineon 在 SEDEX 2026（于 2026 年 10 月 16 日在韩国首尔 COEX 举行）上推出其面向人形机器人手部的半导体解决方案，重点是微控制器（MCU）、功率半导体和触觉传感器，并展示了配备 MCU、氮化镓（GaN）功率半导体及功率/位置传感器的驱动板，可驱动最高 1.2 千瓦的电机，尺寸约 66 毫米。
总部位于美国加州Commerce的XMax Inc(前身Nova LifeStyle Inc)——该公司原主营现代家具的设计、采购与分销,后多元化发展人工智能软件及平台服务——已同意收购Hexa Creation Inc。Hexa Creation是一家美国公司,专注于面向AI数据中心电源基础设施及其他高压应用的1200V垂直氮化镓(GaN)功率半导体技术。协议已达成,但来源未说明交易完成时间及是否需监管批准。
Microchip Technology推出辐照耐受型氮化镓(GaN)点-of-load(POL)转换器POL-05-20S-T,面向航天处理系统。该器件可提供最高20A连续输出电流，采用紧凑表贴封装，尺寸为1.51 × 1.51 × 0.45英寸，重量25 g,输入电压范围4.75 V至13.2 V,输出可在0.7 V至5 V之间调节，工作温度范围为满载时−55°C至+100°C。辐照耐受规格方面，Microchip规定了总电离剂量(TID)高达50 krad暴露前后的电气参数，并在线性能量转移(LET)高达43 MeV·cm²/mg水平下对单粒子效应(SEE)进行了表征。该产品面向FPGA、微控制器、ASIC等处理密集型器件的核芯电压轨等大电流、快速瞬变负载，现已有量产数量的供货。
Navitas Semiconductor宣布与NVIDIA合作开发一款24 kW、800 VDC转12 VDC的电源传输板(PDB),面向下一代AI数据中心基础设施，基于Navitas的GaNFast技术，支持NVIDIA MGX生态系统，可将电源直接传送给高性能计算处理器(xPU)。该方案计划在2026年OCP全球峰会的NVIDIA AI Factory MGX Wall合作伙伴展示区展出。此板为Navitas此前与NVIDIA合作发布的20 kW、800 V转6 V电源板的后续产品，两者均支持高压直流配电过渡及GaN和SiC技术在AI基础设施中的应用。新板设计目标为最高24 kW输出、满载效率97%、功率密度超过2,000 W/in³,采用NVIDIA 400 mm × 60 mm外形规格，可集成在计算主板靠近xPU处；采用单级转换架构，直接将800 VDC转换为12 VDC,省去常规50 V转12 V中间总线转换器(IBC)级，减少转换步骤、功率损耗和元件数量；12 V输出向VRM供电。初级侧功率级使用16颗NV6034 GaNFast FET(650 V耐压、18 mΩ导通电阻)，采用堆叠半桥拓扑和8 mm × 8 mm双冷却DFN封装。
SK hynix 披露其于 10 月 14 日在新闻室发布的研究，开发出使用铁电三维 NAND（3D FeNAND）的模拟计算内存（A-CiM）技术，能够在 NAND 闪存内直接执行人工智能计算。该技术通过调整编程脉冲数量区分电流状态，在非电路层通过引入气隙降低字线电阻，在页面层采用页面内流水线（IPP）优化数据放置和计算序列。仿真表明，基于 3D FeNAND 的 A-CiM 相比传统非易失性内存可实现最高 20 倍的吞吐量提升和 5,000 倍的能效提升。
Microchip Technology（美国亚利桑那州钱德勒）推出辐射加固（耐辐射）点负载转换器POL-05-20S-T，面向太空处理应用的严苛电源需求。该新器件采用氮化镓（GaN）功率器件，可提供最高20A输出电流，并具备高效率与高功率密度。该产品被加入其太空电源产品组合，原文未说明原因之外的其他背景，无价格或供应变化信息。
October 15, 2026, Dutch specialty foundry XIVER has acquired an ASML PAS 5500 DUV lithography tool for its Eindhoven foundry, with the tool expected to be operational in 2027. The DUV stepper will complement XIVER’s existing i-line lithography equipment, enabling finer and more precisely aligned structures, including double-sided wafer patterning and sub‑micron 3D micromachining. XIVER says it will be the only mid‑size pure‑play foundry offering in‑house DUV lithography. 原文未说明原因。XIVER was carved out of Philips at the High Tech Campus in Eindhoven and acquired by Dutch investors in early 2025. Since then, it has been expanding its manufacturing capabilities in line with its customers’ roadmaps and expected capacity needs.
SK hynix于2026年10月14日在Newsroom系列文章[Inside the Research]第2部分介绍其发表于2025 IEEE国际电子器件会议(IEDM)的研究论文《Co-Optimizing Cell, Non-Cell, and Page Schemes for Energy Efficient Analog Computing in 3D FeNAND》,作者为Won-Tae Koo与Jihun Kim。研究提出基于3D FeNAND的模拟存内计算(A-CiM)架构,通过对单元(cell)、非单元(互连/字线)和页(page)三类方案进行协同优化,在相同芯片面积约束下,相比传统3D阵列实现约10至20倍的吞吐量提升和约4,000至5,000倍的能效提升;文中亦说明这些数字反映了3D FeNAND相较被广泛研究的2D非易失性存储阵列的高密度优势。各项优化包括:字线采用低电阻金属使吞吐量最高提升16%、能效最高提升3%;引入空气间隙使字线间寄生电容降低约60%,吞吐量提升1.2倍、能效提升2倍;字线电阻与电容联合优化后吞吐量最高提升1.4倍、能效最高提升2.2倍;页内流水线(IPP)使能效翻倍、吞吐量提升9倍;将16KB页拆分为4个4KB子页使能效提升1.2倍、吞吐量提升1.7倍。研究团队还在300mm晶圆规模上演示了低电流区每单元四电平操作及稳定数据保持。文章称该研究展示NAND从存储介质向计算介质扩展的潜力,未涉及价格、出货、产能或市场状况。
据媒体当地时间10月13日报道，强厄尔尼诺事件预计将令亚洲今冬气温普遍偏暖，有望抑制能源需求，在一定程度上缓解美伊战事造成的能源紧张；主要季节性天气模型显示，日本、韩国、中国部分地区、越南、泰国和印度今冬气温普遍偏高，这些国家和地区都需要依靠LNG满足部分能源需求。战事已大幅削减中东LNG供应，并将现货价格推升至2022年末以来的最高水平；战前全球约五分之一的LNG供应需经霍尔木兹海峡运输。截至发稿，普氏日韩LNG（JKM）期货近月合约涨超0.4%，报26美元/百万英热单位附近。世界气象组织10月8日警告称，本轮厄尔尼诺预计将进一步增强，并持续至2027年初；报道还提到，今年11月至明年2月亚洲对LNG和煤炭的需求有望减少，但若极地涡旋出现异动仍可能出现短暂寒潮。伯恩斯坦9月下旬在研报中指出，即便本轮厄尔尼诺成为有记录以来最强之一，亚洲LNG每日进口降幅也可能不足10亿立方英尺，约占全球LNG进口总量的1%，仍处于正常年度波动范围内；以日本为例测算，超强厄尔尼诺情景下日本冬季采暖度日数将下降19%，但LNG消费量仅下降2%，原因是LNG消费中有很大一部分属于对天气不敏感的基础需求；该行认为库存水平、燃料替代的性价比、LNG价格、煤炭市场供需以及供应中断等因素对需求的影响可能比气温变化更大。另有分析指出，东北亚冬季转暖或拖累日韩LNG需求，但东南亚更热更干的天气可能推高燃气发电需求，部分抵消这一影响。总体来看，暖冬或能减轻亚洲能源市场部分压力，但在中东供应全面恢复之前，LNG市场供需偏紧的格局恐难根本改变。
Polar与imec的IC-Link合作，宣布为AI数据中心、汽车及国防等领域提供8英寸e-mode GaN器件制造服务。该合作旨在利用8英寸晶圆工艺提升功率器件产能，满足关键市场对高性能半导体的需求。
产能扩张预期将增加GaN供应，可能对现货价格形成压制。
Infineon 推出 XDP8HD40S-1 高压热插拔控制器，专为下一代 AI 服务器电源架构中的数字电源路径保护和监控设计，工作电压为 ±400 V 和 800 VDC，样品计划于 2027 年第二季度可用。
德州仪器（TI）推出ADC34DSO75，一款3吉样本每秒（GSPS）的模数转换器（ADC），设计用于检测AI数据中心中的瞬态电源事件，支持纳秒级分辨率的连续、低功耗、基于事件的远程监测，并在2026年OCP全球峰会上与新高压电源管理和时钟解决方案一同展出。TI还推出LMI800PS，一款800V隔离热插拔控制器，集成了此前需五颗独立集成电路实现的功能，将隔离偏置电源与PMBus遥测整合于单一封装，使板面积减少超过60%，支持±400V和800V两种配电架构，具备5kVrms增强隔离和超过8mm的爬电距离。TI还重点介绍了基于体声波（BAW）的LMK6B振荡器，在625MHz下抖动为9.6fs，支持数据传输速率向3.2Tbps提升的高速网络系统。此外，TI将展示面向NVIDIA MGX AI工厂生态系统的800V直流电源解决方案，包括热插拔保护以及采用氮化镓（GaN）功率级的800V转12V和800V转6V DC/DC转换，并定于2026年10月15日在加利福尼亚州圣何塞的OCP全球峰会上进行关于800V数据中心DC/DC设计考量、拓扑比较与权衡的技术演讲。
Stackpole Electronics推出RMAN系列芯片电阻器，将厚膜电阻技术与氮化铝(AlN)基板的散热能力相结合，面向高功率或持续负载下运行的工业与汽车电子。据原文，氮化铝的热导率比传统氧化铝高数倍，同时保持电气绝缘。功率规格方面，1206尺寸功率最高达2.4 W，2512尺寸最高达3.4 W，原文称其在紧凑PCB占位面积下比传统氧化铝基厚膜设计具备显著更高的功率能力。应用包括IGBT、SiC和GaN功率模块的栅极与缓冲电阻器，电机驱动、电源和逆变器中的预充、放电、泄放和电流检测功能，以及汽车电池管理系统、车载充电器、DC-DC转换器和逆变器栅极驱动。价格因尺寸、公差和TCR而异，需联系Stackpole或授权分销伙伴获取具体或批量价格。
Navitas Semiconductor与Microchip Technology已开发出面向AI数据中心机柜电源系统的800V DC转6V DC参考设计，基于开放计算项目(OCP) 800 V DC架构。该设计结合Navitas GaNFast™氮化镓功率器件与Microchip数字电源控制及硬件安全技术。主功率级采用16颗NV6034器件（额定650V、17 mΩ导通电阻），以堆叠半桥配置工作，GaN FET采用DFN 8×8 mm双面散热封装。控制部分使用Microchip dsPIC33AK256MPS306系列数字信号控制器（200 MHz 32位处理器、双精度浮点单元、78 ps高分辨率PWM、高达40 MSPS的12位ADC）。该平台目标为满载、1 MHz开关频率下峰值效率高达96%，功率密度为2,100 W/in³；架构将传统的800V转50V与50V转6V两级转换合并为单一转换器，实现比手机薄约20%的低矮外形，旨在与GPU板紧密集成。安全方面集成Microchip TA100 CryptoAuthentication™器件，dsPIC33AK平台还支持CNSA Suite 2.0后量子密码算法相关的加密功能。参考平台将包含评估硬件、软件和设计文档，并将于2026年10月12日至15日在加州圣何塞举行的Microchip OCP活动上展示。
行业正向30GHz以上的毫米波频段及波导技术转移以克服信号损耗。传统互连技术在高频下失效，工程师需重新设计信号路径。
GaN 与 GaAs 在射频领域的替代趋势。
KnowMade报告显示2026年第二季度功率GaN专利由工业受让人主导，中国大学在创新方面保持强劲。该趋势反映了工业界与学术界在功率半导体领域的研发竞争加剧。
专利布局对长期供应链格局的潜在影响。
ETRI研究员Bae Sung-beom指出，AI数据中心增长导致全球电力短缺，需采用高电压网络。NVIDIA的800V直流架构推动数据中心采用SiC和GaN等化合物半导体以提升效率。
SiC和GaN在高压高功率场景的应用趋势，长期利好功率半导体需求。
Navitas半导体完成对Claros的收购，旨在拓展AI基础设施电源组合。Claros专注于为下一代AI数据中心开发集成电压调节器（IVR）技术。
此次并购将强化Navitas在AI电源管理领域的布局，可能影响未来功率器件供应格局。
Renesas推出首款100V增强模式GaN FET，涵盖RTP100E005G1FL等型号。该产品专为AI数据中心、工业自动化等高功率密度场景设计，具备超快开关速度。
新产品线拓展有望提升公司在高功率半导体领域的市场份额。
微芯与Navitas推出800V DC至6V DC参考设计，采用GaNFast FETs与dsPIC33AK DSC。该设计旨在提升AI数据中心功率密度与效率，符合OCP 800V标准。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |