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Renesas推出100V GaN FET新品

Renesas推出首款100V增强模式GaN FET,涵盖RTP100E005G1FL等型号。该产品专为AI数据中心、工业自动化等高功率密度场景设计,具备超快开关速度。利多,新产品线拓展有望提升公司在高功率半导体领域的市场份额。

GaN FETsGallium Nitride FETsDiscrete Power Transistors
GaNNew ProductPower Transistor

来源:Semiconductor Today · 2026/10/6 · 查看原始来源

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