SK hynix 公布 3D FeNAND 用于 AI 计算的研究进展

SK hynix 披露其于 10 月 14 日在新闻室发布的研究，开发出使用铁电三维 NAND（3D FeNAND）的模拟计算内存（A-CiM）技术，能够在 NAND 闪存内直接执行人工智能计算。该技术通过调整编程脉冲数量区分电流状态，在非电路层通过引入气隙降低字线电阻，在页面层采用页面内流水线（IPP）优化数据放置和计算序列。仿真表明，基于 3D FeNAND 的 A-CiM 相比传统非易失性内存可实现最高 20 倍的吞吐量提升和 5,000 倍的能效提升。

来源：The Elec · 2026/10/15 · 查看原始来源