Stackpole发布RMAN氮化铝基板芯片电阻器 面向工业与汽车电子高功率应用

Stackpole Electronics推出RMAN系列芯片电阻器，将厚膜电阻技术与氮化铝(AlN)基板的散热能力相结合，面向高功率或持续负载下运行的工业与汽车电子。据原文，氮化铝的热导率比传统氧化铝高数倍，同时保持电气绝缘。功率规格方面，1206尺寸功率最高达2.4 W，2512尺寸最高达3.4 W，原文称其在紧凑PCB占位面积下比传统氧化铝基厚膜设计具备显著更高的功率能力。应用包括IGBT、SiC和GaN功率模块的栅极与缓冲电阻器，电机驱动、电源和逆变器中的预充、放电、泄放和电流检测功能，以及汽车电池管理系统、车载充电器、DC-DC转换器和逆变器栅极驱动。价格因尺寸、公差和TCR而异，需联系Stackpole或授权分销伙伴获取具体或批量价格。

来源：EE Journal · 2026/10/12 · 查看原始来源