英飞凌发布XDP8HD40S-1高压热插拔控制器，支持±400 V/800 VDC AI服务器电源
Infineon 推出 XDP8HD40S-1 高压热插拔控制器，专为下一代 AI 服务器电源架构中的数字电源路径保护和监控设计，工作电压为 ±400 V 和 800 VDC，样品计划于 2027 年第二季度可用。
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Infineon 推出 XDP8HD40S-1 高压热插拔控制器，专为下一代 AI 服务器电源架构中的数字电源路径保护和监控设计，工作电压为 ±400 V 和 800 VDC，样品计划于 2027 年第二季度可用。
德州仪器（TI）推出ADC34DSO75，一款3吉样本每秒（GSPS）的模数转换器（ADC），设计用于检测AI数据中心中的瞬态电源事件，支持纳秒级分辨率的连续、低功耗、基于事件的远程监测，并在2026年OCP全球峰会上与新高压电源管理和时钟解决方案一同展出。TI还推出LMI800PS，一款800V隔离热插拔控制器，集成了此前需五颗独立集成电路实现的功能，将隔离偏置电源与PMBus遥测整合于单一封装，使板面积减少超过60%，支持±400V和800V两种配电架构，具备5kVrms增强隔离和超过8mm的爬电距离。TI还重点介绍了基于体声波（BAW）的LMK6B振荡器，在625MHz下抖动为9.6fs，支持数据传输速率向3.2Tbps提升的高速网络系统。此外，TI将展示面向NVIDIA MGX AI工厂生态系统的800V直流电源解决方案，包括热插拔保护以及采用氮化镓（GaN）功率级的800V转12V和800V转6V DC/DC转换，并定于2026年10月15日在加利福尼亚州圣何塞的OCP全球峰会上进行关于800V数据中心DC/DC设计考量、拓扑比较与权衡的技术演讲。
英飞凌科技股份公司面向服务器ODM和OEM推出27 kW三相电源单元（PSU）解决方案，以应对AI工作负载推动数据中心向800 VDC或±400 VDC供电架构的转变。该参考设计满足OCP Open Rack V3（ORV3）规范及AI服务器机架架构要求。设计整合了英飞凌650V CoolSiC和CoolMOS MOSFET、EiceDRIVER栅极驱动器、XENSIV电流传感器及PSOC微控制器；在480 VAC输入电压、50%负载下实现超过98%的峰值效率；采用五电平ANPC PFC拓扑和三电平LLC转换器，功率密度达116 W/in³（ORV3最低要求为94 W/in³）；集成能量缓冲器可在电网短暂扰动时提供20毫秒保持时间；支持311至528 VAC三相输入电压范围，在大部分负载工作范围内功率因数高于0.99，工作环境温度为-5°C至45°C。公司背景：截至2025年9月底全球员工约57,000人，2025财年（截至9月30日）营收约147亿欧元。
Toshiba推出3300V高压SiC MOSFET模块，额定电流达800A。Vishay新增50-150A 650V超结MOSFET模块，工作温度范围宽达-55至+150℃。
新功率模块发布通常预示着产能扩充或技术迭代，短期对现货价格影响中性，但利好相关产业链。
英飞凌将向ADVANTICS供应1200V CoolSiC MOSFET及2EDB9259Y驱动器。该方案用于ADVANTICS的液冷功率转换器，应用于重卡MCS、数据中心微电网等场景。
该合作确认了英飞凌SiC器件在高压快充及储能领域的强劲需求。
英飞凌扩充CoolSiC JFET常关型产品组合，新增封装选项。此举旨在满足AI数据中心及工业应用对高性能功率分配与保护系统的需求。
新产品发布通常不直接改变现货价格，但有助于满足特定高需求场景。
Fraunhofer IZM展示了基于SiC MOSFET和AMB芯片嵌入技术的500 kW/l逆变器模块。该技术通过PCB嵌入和铜顶层金属化降低寄生电感，提升功率密度和热性能。
SiC功率器件封装技术，但当前对现货价格影响中性，属于研发里程碑。
Bourns推出MH3261-T系列高电流铁氧体磁珠，额定电流最高达11A，尺寸为3.2x1.6mm，专为高密度电源应用设计。该系列具备低直流电阻和宽阻抗范围，有助于在紧凑型系统中实现高效的电磁干扰抑制。对当前价格影响中性，但预示被动元件产能扩张。
英飞凌推出业界首款基于CoolSiC Gen2技术的750V碳化硅双向开关，目前已开始提供样品。该器件采用双裸片共漏极架构，主要面向车载充电器及AI数据中心高压电源等应用。
该产品尚处样品阶段，对当前SiC功率器件现货市场的供需与价格暂无直接影响。
英飞凌加入Nvidia MGX生态系统，提供800 VDC至<10 V的电源管理解决方案。该合作利用GaN和SiC技术提升AI服务器功率密度与能效。
预计将提振GaN和SiC功率器件在AI基础设施中的需求。
英飞凌扩充XHP 2功率模块范围，新增2300V CoolSiC MOSFET变体。该产品支持高达1500V的直流链路电压，旨在满足可再生能源基础设施对更高系统电压的需求。
新产品发布通常预示产能扩充，短期内对现货价格影响中性，但长期利好高电压能源系统供应链。
三家固态变压器初创公司融资2.8亿美元，多家巨头加码该技术。该技术利用SiC/GaN等宽禁带半导体，旨在替代传统变压器以实现800V DC数据中心配电。
长期功率半导体需求增长，但当前现货价格无直接影响。
罗姆推出两款新型通用运算放大器系列TLRx728和BD728x，输入失调电压分别为150µV和1.6mV，适用于汽车、工业和消费领域。此举属于常规产品线更新，旨在提供更广泛的封装和通道数选择，未提及产能、价格或供应变化。
/利多/关注: 中性，新品发布不构成对现有市场供需或价格的直接影响。
SiC MOSFET的SiO2/SiC界面存在碳残留、氧空位及界面态密度缺陷，导致阈值电压不稳定。这是材料物理层面的技术探讨，不涉及供需或价格变动。
文章探讨碳化硅JFET技术可提升AI数据中心能效与散热，以应对生成式AI的电力需求。该技术被视为满足兆瓦级AI算力挑战的潜在方案。
此为远期研发趋势，未提及具体厂商产能、价格变动或供应中断，对短期交易无直接影响。
英飞凌CoolSiC功率MOSFET获丰田新款bZ4X车载充电器和DC/DC转换器采用。该设计中标巩固了英飞凌在汽车碳化硅市场的地位，反映了该技术路线在电动车中的持续渗透。
此为具体产品采用案例，确认了长期需求趋势，但对现货市场供需及短期价格无直接影响。
英飞凌为其750V第二代CoolSiC MOSFET技术新增Q-DPAK和D2PAK等封装选项，典型RDS(on)值最高达60mΩ。此举旨在满足汽车和工业电源应用对更高效率与功率密度的需求。
新品发布属于常规产品线更新，未对现有碳化硅MOSFET的供需或价格产生直接影响。
英飞凌推出1400V CoolSiC G2 MOSFET新品。该器件支持更高直流电压并提升热性能。
技术升级有望提升SiC功率器件需求。
英飞凌为其CoolSiC MOSFET产品线新增了400V和440V器件，提供TOLT、TOLL及TO-247等多种封装选项。此举旨在满足服务器电源和太阳能逆变器等应用对高效功率半导体的需求。
此次新品发布属于常规产品迭代，未对现有元件的供应、需求或价格产生直接影响。
英飞凌推出75mΩ工业级650V G2 CoolSiC MOSFET，扩展其产品组合以满足中等功率应用的高功率密度需求。此举旨在响应市场对更紧凑、高效电源系统的需求，属于常规产品线更新。
新品发布未改变现有元件供需或价格，对交易无直接影响。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |