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Toshiba推出3300V高压SiC MOSFET模块
Toshiba推出3300V高压SiC MOSFET模块，额定电流达800A。Vishay新增50-150A 650V超结MOSFET模块，工作温度范围宽达-55至+150℃。关注：新功率模块发布通常预示着产能扩充或技术迭代，短期对现货价格影响中性，但利好相关产业链。
SiC MOSFETPower ModuleSuperjunction MOSFETGate Driver
SiCPower ModuleAutomotiveHigh Voltage
来源：Power Electronics News · 2026/10/9 · 查看原始来源
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