NuAxi半导体贸易情报
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英飞凌CoolSiC MOSFET 750V G2新增两款封装
英飞凌为其750V第二代CoolSiC MOSFET技术新增Q-DPAK和D2PAK等封装选项，典型RDS(on)值最高达60mΩ。此举旨在满足汽车和工业电源应用对更高效率与功率密度的需求。中性：新品发布属于常规产品线更新，未对现有碳化硅MOSFET的供需或价格产生直接影响。
SiC MOSFET
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来源：Semiconductor Today · 2025/12/10 · 查看原始来源
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