特斯拉英伟达拟投3.7万亿韩元锁定三星电机ABF产能
特斯拉和英伟达据报道将投资合计3.7万亿韩元（28亿美元），以帮助三星电机扩大韩国的Ajinomoto Build-up Film（ABF）基板生产设施。此举反映了全球科技公司为AI应用获取高性能半导体基板稳定供应的日益增长的努力。
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特斯拉和英伟达据报道将投资合计3.7万亿韩元（28亿美元），以帮助三星电机扩大韩国的Ajinomoto Build-up Film（ABF）基板生产设施。此举反映了全球科技公司为AI应用获取高性能半导体基板稳定供应的日益增长的努力。
据韩媒 THE ELEC 10 月 23 日报道，PCB 制造商 TLB 近日已同两家现有的内存制造商客户就 SOCAMM3 内存模组的设计和制造方案进行早期磋商，各方尚未决定最终规格。SOCAMM3 的量产预计将从 2028 年开始，可能随 NVIDIA 的 Rosa CPU 一道进入市场。技术方面，SOCAMM2 的 PCB 基板需要经过五次堆叠层压工艺，而 SOCAMM3 的堆叠层压次数还将进一步提升，导致连接各层的微通孔更难以加工。原文未说明原因。
10月22日晚间，沪深两市上市公司集中披露2026年三季度报告。据不完全统计，当日有10家公司第三季度归母净利润环比增超50%：行云科技约655%、奥士康约470%、华正新材约341%、中富电路约303%、晶丰明源约230%、华盛昌约179%、同花顺约55%、凯莱英约53%、宏和科技约52%、山东玻纤约52%。原文指出这些公司集中指向两条线索：PCB产业链上游基材的量价齐升，以及算力基础设施需求的规模化兑现。PCB板块4家公司中，华正新材称业绩增长主要系覆铜板单价及销量上升，第三季度归母净利润6.27亿元（同比增长3044.60%、环比增长341%），前三季度7.99亿元（同比增长1177.71%）；宏和科技归因于电子布销售单价上涨、特种电子布销量占比增加，第三季度归母净利润3.64亿元（同比增长607.73%），前三季度同比增长435.63%；中富电路归因于订单增长、生产规模扩大；奥士康第三季度归母净利润3.71亿元（环比增长470%），前三季度4.54亿元。晶丰明源称剔除四川易冲后营业收入同比增长明显，叠加并购四川易冲影响，第三季度归母净利润1.65亿元（环比增长230%）。行云科技环比增幅最大，2026年是其完成破产重整、产业投资人接管后的首个完整会计年度，确立跨境数字贸易与AI算力基础设施双主业战略，服务器贸易业务自2026年8月起规模化交付；第三季度营业收入9.21亿元（上年同期0.14亿元），前三季度由0.59亿元增至11.75亿元；近期与VB客户重新签订算力服务协议，协议总金额上涨至33.57亿元；此前半年报披露累计落地超154亿元长期算力、存储框架合同，今年已公告算力及存储相关订单合计约183.16亿元；公司自述业务模式发生重大变化，同比、环比数据可比性需结合重整背景甄别。同花顺归因于增值电信及广告与互联网推广业务收入增加，第三季度归母净利润10.85亿元（环比增长55%）；凯莱英第三季度归母净利润3.32亿元（环比增长约53%），并预计第四季度交付规模较第三季度大幅增加、2026年全年营业收入增长19%至22%；山东玻纤归因于玻纤纱价格同比上涨、销量同比增加，前三季度归母净利润5839.72万元，同比扭亏为盈；华盛昌未披露具体业绩变动原因，第三季度归母净利润1.60亿元（环比增长179%）。
据韩国《每日经济新闻》10月22日援引业内消息人士报道，特斯拉与英伟达承诺向三星电机合计投入约3.7万亿韩元，支持其扩大高端倒装芯片球栅阵列（FC-BGA）封装基板产能，提前锁定下一代AI芯片所需的关键供应资源；原因是随着AI推理需求增长，高端封装基板成为AI供应链扩张的重要环节。相关投资将纳入三星电机今年9月披露的4.27万亿韩元世宗工厂投资计划，新产线预计2027年底完工，2028年上半年完成设备安装与试生产，下半年进入量产，面向特斯拉的首批出货预计2029年启动。三星电机已与特斯拉签署2029年至2033年为期五年的FC-BGA基板长期供应协议，特斯拉将出资约1.1万亿韩元获得世宗工厂专属生产线优先供货，基板用于特斯拉自动驾驶汽车AI芯片及人形机器人Optimus。英伟达同步支持其他供应商：与日本Ibiden签署产能预付协议，承诺投入数十亿美元将其小野工厂产能扩大至原来的三倍，新增产能预计2028年第一季度开始释放；据《每日经济新闻》估算英伟达对三星电机的投资承诺约2.6万亿韩元（官方声明未披露具体金额）；在中国台湾地区通过产能预留协议支持欣兴电子扩充KF基板产能，新增产量预计2027年第二季度开始释放、2028年年中满产；目标是在未来三年内将IC基板总产能提升至现有水平的2.5倍。据业内估算，Ibiden在高端FC-BGA基板市场份额超过70%。此外，三星电机10月19日宣布与一家未具名全球客户签订价值3605亿韩元的存储半导体封装基板供应合同，供货期覆盖2027年全年。上述均为计划或承诺，尚未实现产能落地。
韩国芯片厂商LX Semicon宣布出售其碳化硅（SiC）相关专利，标志着其正式退出SiC市场。据披露信息，公司正在出售超过60项专利组合，涵盖SiC功率半导体器件和外延晶圆，预期售价低于10亿韩元；专利涉及SiC MOSFET技术（包括平面型和沟槽栅结构、终端及栅极焊盘设计）以及外延晶圆技术，组合覆盖韩国、美国、中国大陆、欧洲、日本和台湾地区，部分专利有效期至2045年。专利正出售给一家韩国功率半导体公司，具体交易细节尚未披露。原因方面：行业观察人士指出，电动汽车需求停滞拖累SiC市场增长，削弱了相关业务的近期回报预期；自Lee Yoon-tae于2023年末出任CEO以来，公司转向核心业务并通过资产处置精简运营，且已于2024年缩减其SiC研发团队；财务压力也加剧了这一决定，公司营收连续三年下滑，从2022年的2.1193万亿韩元降至2025年的1.6391万亿韩元，2026年上半年营收同比下降7.6%，营业利润骤降39%，而显示驱动IC（DDI）仍占公司总营收的86%以上。此次出售是LX Semicon退出SiC的最后一步，公司此前已清算与日本Sanken Electric的功率器件合资企业。
纳微半导体推出G4H08MT23GB4系列2300 V碳化硅(SiC)全桥功率模块，面向能源转换与电网基础设施，基于行业标准SiCPAK™封装形式，导通电阻(RDS(on))为8 mΩ，采用纳微第四代GeneSiC™ Trench-Assisted Planar™ (TAP)技术。该系列扩展了纳微包含2300 V和3300 V器件的超高压SiC产品组合，目标应用包括固态变压器、电网级电池储能系统、太阳能逆变器、兆瓦级EV充电基础设施和高压DC-DC转换。模块采用氮化铝(AlN)活性金属钎焊(AMB)基板以改善散热并提供超过5 kV的电气隔离，环氧树脂灌封可减少内部机械应力并限制湿气和污染物侵入，据纳微称其导热性是硅凝胶的十倍；大电流压接引脚每引脚载流能力是标准压接连接的两倍，并可选预涂导热界面材料(TIM)。该系列计划按纳微AEC-Plus可靠性基准进行资格认证(该基准超出AEC-Q101和JEDEC要求)；G4H08MT23GB4(HC)系列样品(含大电流变体和预涂TIM选项)现已可提供，工程师还可申请EVB-UHVSIC-GB-E-DPT-1双脉冲测试系统。原文未说明价格或供货量产时间表。
10月22日消息，据TrendForce报道，三星电机已与特斯拉签署为期五年的倒装芯片球栅阵列（FC-BGA）基板供应协议，并扩大其世宗工厂的专用生产线；生产的基板预计将用于特斯拉电动汽车和Optimus人形机器人的AI芯片。作为交换，特斯拉将为三星电机产能扩建提供约1.1万亿韩元（约合55.49亿元人民币）资金。三星世宗工厂的FC-BGA基板生产设施预计将于2027年底建成，设备安装和试运行计划2028年上半年进行，下半年启动量产，有望2029年开始交付。此外，英伟达也计划通过一系列供应协议，在未来三年内将IC基板总产能提升至当前的2.5倍，并已向日本IBIDEN公司预付数十亿美元用于预留产能；IBIDEN大野工厂计划将产能扩大至原来的三倍，新增产能预计将于2028年第一季度开始逐步释放。三星电机也在扩大世宗和釜山工厂的产能，预计到2028年英伟达将占据三星电机年度封装基板产能的相当大一部分。
Nvidia于当地时间10月21日宣布，为满足AI基础设施需求增长，正与三星电机、揖斐电、Amkor Technology、京元电子(KYEC)、硅品(SPIL)及欣兴(Unimicron)合作，通过预付款锁定半导体封装基板、测试及 co-packaged optics(CPO)产能。黄仁勋表示需求巨大但产能受限。基板方面：与揖斐电、三星电机及欣兴扩大协议，三年内将半导体封装基板产能提升至2.5倍；Nvidia已在揖斐电预订数十亿美元产能并预付，目标是其日本小野工厂产能提升至三倍，新增产能预计2028年第一季度全面运营；三星电机将于2026年起从韩国产线供应下一代封装基板，Nvidia将支持其世宗与釜山工厂设备升级及新厂建设；与欣兴签订产能预订协议支持台湾KF工厂扩产，产能自2027年第二季度开始增加，预计2028年中期达到满载。先进封装方面：与Amkor在韩国光州扩产，计划到2028年底将中介层(interposer)晶圆产能提升300%以上。测试方面：向KYEC预付11亿美元预订产能，美国、台湾及新加坡扩产将使2027年总测试产能较2026年水平翻倍；美国新测试工厂计划2027年4月量产，新加坡扩产产线2027年2月量产。CPO方面：与SPIL在台湾扩大光引擎产能，2027年中期提升至15倍，2028年底再翻倍。上述扩产均属计划/预期安排，非已实现结果。
据TrendForce转发的报道，特斯拉据称将投入1.1万亿韩元，以锁定三星电机（Samsung Electro-Mechanics）的FC-BGA基板供应至2033年；据报道英伟达（NVIDIA）也据称将获取相关产能。该消息为转载报道，措辞均为'reportedly'/'is said to be'，交易是否落实尚未确认。原文未说明原因。
全球电子协会旗下的先进电子封装技术（ADEPT）委员会在台湾举行首次线下会议，同时面板级封装（PLP）与基板标准化工作正在获得推进动能。原文未说明原因，也未给出具体时间、参与厂商或标准化工作的具体进展细节。
Nvidia与三星电机（Samsung Electro-Mechanics）将在韩国共同投资设立专用的ABF载板（封装基板）生产线，根据一项多年期协议，三星电机将成为Nvidia AI处理器与网络交换机所用封装基板的供应商。新生产线将设在三星电机位于世宗（Sejong）和釜山（Busan）的工厂，交付预计于2026年开始。两家公司均未披露投资金额或成本分担方式。协议涵盖Nvidia计算芯片组以及数据中心内连接芯片的高速网络交换机所用基板。三星电机预计其向Nvidia的供货量将以两位数年率增长；到2028年，Nvidia预计将占其年度封装基板总产能的重要部分。三星电机称该合作将为Nvidia的AI芯片量产提供稳定基板供应并缓解AI基础设施市场的供应链瓶颈，对三星电机而言则是进入技术壁垒极高的高端AI基板市场。协议发布于三星电机与一家未具名全球客户签署价值3605亿韩元的存储半导体封装基板供货协议之后不久。该扩产为计划状态，尚未投产。
快科技10月22日消息，英伟达宣布联合六家供应链伙伴扩产，覆盖基板、先进封装、测试和光引擎四个环节，理由是需求和产能之间的缺口已经拉得太大。基板是重头：英伟达计划用三年时间把自有产品的基板产能提高到2.5倍，具体落在三家供应商——揖斐电（IBIDEN）在日本大野市的工厂拿到数十亿美元级别的产能预留预付款，目标把该厂产能提到现在的3倍，新增部分预计2028年第一季度开始爬坡；三星电机首次进入英伟达基板供应链，先用韩国现有产线产能顶上，同时配合世宗和釜山两地新厂建设，到2028年分配给英伟达的部分预计占其封装基板年产能相当大一部分；欣兴电子（Unimicron）在中国台湾的KF基板扩产拿到产能预留协议，新增产能2027年第二季度启动，2028年年中达到满产。先进封装交由安靠（Amkor），双方计划在韩国扩产，目标到2028年底把中介层晶圆产能提高3倍以上。测试方面，英伟达预计半导体测试总产能从2026年到2027年翻倍，北美、中国台湾、新加坡三地同时扩建；英伟达给京元电子（KYEC）11亿美元（快科技注：约73.6亿元人民币）产能预留预付款，用于美国新测试厂和设备，目标2027年4月量产，新加坡测试业务预计2027年2月量产。光引擎方面，英伟达与硅品精密（SPIL）在中国台湾合作扩产，目标2027年年中把产能扩到15倍，2028年底再翻一倍，为共封装光学铺路。上述均为计划目标而非已完成产能，目前英伟达未披露这一轮扩产总额度，各项目具体投资规模和各地新增产能数字也未公布。
据22日业内消息，特斯拉、英伟达将分别出资1.1万亿韩元、2.6万亿韩元（合计3.7万亿韩元），与三星电机共建FC-BGA（倒装芯片球栅阵列基板）产线，这是面向AI半导体的新一代封装基板；当前FC-BGA已成为AI供应链新瓶颈，两家企业敲定对三星电机工厂的投资。三星电机已和特斯拉签署FC-BGA长期供货协议，并在世宗工厂新建专属产线；按照约定，特斯拉出资约1.1万亿韩元，用于产线扩建与设备投入，换取中长期稳定供货保障。这批基板将供给特斯拉自动驾驶电动车、人形机器人Optimus搭载的AI芯片。（新浪财经）
据业内消息（Reportedly，传闻性质），谷歌据称在基板良率仅为35%的情况下仍继续采用英特尔EMIB-T技术，而HumuFish版本的进度趋紧。行业消息人士指出，HumuFish版本是主要担忧领域，存在被报道的良率问题。围绕谷歌TPU v9可能延迟的不确定性正在增加；原文未说明延迟是否已发生，也未给出具体时间表，良率问题为消息人士报告的担忧原因。
Nvidia于10月21日表示，该公司正与六家供应链伙伴合作，以扩大基板、先进封装、测试及光引擎的制造产能，以满足其加速计算和AI工厂平台日益增长的需求。文中未说明新增产能的具体规模、投资金额或时间表。
TrendForce转发消息称，NVIDIA展示了一款新的CPO（共封装光学）原型，该设计将光引擎从封装基板移至硅中介层上，可能提升带宽密度。报道称这是早期阶段的设计，并提出其能否塑造NVIDIA未来AI互连的问题；来源未说明任何量产、供应或价格影响。
据每经（Maeil Business Newspaper）援引业内消息报道，三星电机（Samsung Electro-Mechanics）预计将获得特斯拉与英伟达合计3.7万亿韩元的投资，以扩大先进芯片基板产能；该报道属于媒体报道，投资为据报道的承诺。该公司已与特斯拉签署长期倒装芯片球栅阵列（FC-BGA）基板供货协议，并在其世宗（Sejong）工厂扩建专用产线。基板预计用于特斯拉自动驾驶电动车和Optimus人形机器人的AI芯片，协议为期五年，自2029年至2033年。特斯拉将出资约1.1万亿韩元以换取基板供应保障；该资金是三星电机9月公布的4.27万亿韩元世宗投资计划的一部分。世宗工厂新FC-BGA基板生产设施建设预计于2027年底完工，2028年上半年进行设备安装和试运行，下半年量产，2029年开始向特斯拉交付。据TechNews报道，英伟达还通过与供应商的合作扩大全球基板产能，目标是在未来三年内将总IC基板产能提升至当前水平的2.5倍：在日本，英伟达已向Ibiden支付数十亿美元的产能预留预付款，Ibiden小野（Ono）工厂目标将产能提升至三倍，新增产出预计2028年第一季度开始爬坡；在韩国，三星电机正扩建世宗和釜山设施，到2028年英伟达预计占其年封装基板产能的显著份额，英伟达未披露投资金额，但每经报道称该承诺据信价值约2.6万亿韩元；英伟达还通过产能预留协议支持台湾欣兴（Unimicron）扩大KF基板产能，新增产出预计2027年第二季度开始，2028年年中达到满产能。此外，三星电机于10月19日披露一项3605亿韩元合同，在2027年全年向一家未披露的全球客户供应存储半导体封装基板，因商业保密未透露客户身份（据Chosun Biz）。此轮扩产背景是高端FC-BGA产能集中在少数供应商手中，包括三星电机、日本Ibiden和台湾欣兴；每经援引的行业估计称Ibiden市场份额超过70%，三星电机正努力缩小差距。
三星电机于10月21日宣布，已与英伟达签署战略性业务合作协议，供应半导体封装基板。双方将共同投资，在三星电机的世宗和釜山工厂建立人工智能（AI）半导体封装基板的专用生产设施；通过客户支持投资扩大封装基板生产线的计划自2026年上半年以来一直在考虑之中，如今通过与英伟达的合作得以成形。产品包括用于AI计算芯片以及数据中心内实现芯片间高速连接的网络交换机的倒装芯片球栅阵列（FC-BGA）基板。三星电机将从其韩国生产设施供货，根据自2026年开始的多年期安排供应下一代基板。供应量预计自2026年起以两位数的年增长率增长；到2028年，英伟达相关生产预计将占公司总产能的相当大份额。基板还将嵌入包括多层陶瓷电容器（MLCC）和硅电容器（Si-Caps）在内的被动元件，用于控制超高速计算中产生的电源噪声并最大化电源效率。此为计划/预期状态，扩产实施尚待推进。
据报道，尽管英特尔EMIB-T基板良率不佳，谷歌仍坚持让HumuFish完全采用EMIB-T。行业消息人士称，EMIB-T基板良率在2026年第三季度约为35%，远低于年底设定的50%目标；良率不佳的原因据称为ABF基板与嵌入硅桥在高温处理中热膨胀差异导致对准困难，以及桥下TSV所用的NCF（非导电膜）在键合时可能困住气泡、削弱粘附力。虽然市场有HumuFish延迟的传闻，且存在转用台积电CoWoS-L的可能性，但供应链查核显示HumuFish仍'100%' commitment于EMIB-T。英特尔已调整基板电镀工艺，Ibiden、欣兴（Unimicron）、新光（Shinko）等供应商持续努力改善良率。谷歌TPU v9系列确认包含三个变种：博通设计的WhaleFish（预计采用台积电CoWoS-L，2027年下半年量产）、联发科设计的HumuFish（计划2028年上半年量产，完全依赖英特尔EMIB-T）和TriggerFish（计划采用EMIB-T，目标2028年下半年或之后量产）。据TechNews援引分析师郭明錤，TriggerFish定位为推理能力更强的升级版TPU v9，相对HumuFish有三项升级：SRAM容量提升2–3倍、增加一颗仿真die、从HBM4转向HBM4E。延迟方面，谷歌设计的Compute Die A（基于台积电N2工艺）流片已推迟至10月下旬，其他die仍按计划进行，预计将推迟完整封装的试产；Commercial Times进一步指出，联发科参与的谷歌TPU v9项目（HumuFish）流片可能因设计修订推迟至2027年1月，出货可能因此延迟至2028年第一季度。由于HumuFish要到2028年上半年才量产，供应链仍有一些时间解决EMIB-T的剩余问题，但若流片推迟到2027年1月将压缩缓冲时间。
NVIDIA在SEMICON West 2026上以"Optical Integration for the Next Generation of AI"为主题展示下一代共封装光学(CPO)技术，包括光学引擎从有机封装基板移至承载计算芯片的硅中介层上的OOI原型，据The Elec称该设计可消除电信号路径中的有机基板，通过更短的细间距中介层连接提高带宽密度并降低功耗。NVIDIA还演示了DWDM技术，据Wccftech称在单根光纤上结合8个波长、每波长最高32 Gb/s，合计每光纤256 Gb/s。两项技术仍处于研究阶段，未公布商业化时间表，NVIDIA表示正为潜在未来产品进行评估。展望未来，NVIDIA计划以Kyber NVL1152架构扩展光互连，将8个机架连接为单一1,152-GPU NVLink域并支持Feynman平台；据Wccftech称Feynman预计于2028年推出。现有CPO产品方面，2026年5月NVIDIA宣布Spectrum-X Ethernet Photonics交换机已进入全面量产，为Vera Rubin平台集成200Gb/s SerDes与CPO技术，早期采用者包括CoreWeave、Lambda和Oracle Cloud Infrastructure；制造生态中TSMC提供硅光子制造，SPIL负责芯片级封装组装测试，TFC封装激光器并做可靠性验证，Foxconn负责整机系统集成，另有Coherent、Lumentum、Sumitomo Electric提供外置激光源模块，Corning、Senko、Browave提供光纤及相关组件，Fabrinet负责散热与最终测试。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |