Deepx结合低功耗AI加速器、可移植软件与行业伙伴关系，推动物理AI走向生产并扩展到数据中心之外
Deepx正在将低功耗AI加速器与可移植软件相结合，并通过行业合作伙伴关系，将物理AI（physical AI）推向生产应用，目标是把物理AI扩展到数据中心之外。该内容为产业生态建设类公告，未提及任何价格、产能、政策或具体零部件信息，原文未说明具体时间、合作伙伴名单及实施状态。
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Deepx正在将低功耗AI加速器与可移植软件相结合，并通过行业合作伙伴关系，将物理AI（physical AI）推向生产应用，目标是把物理AI扩展到数据中心之外。该内容为产业生态建设类公告，未提及任何价格、产能、政策或具体零部件信息，原文未说明具体时间、合作伙伴名单及实施状态。
TrendForce于2026年10月22日发布观点称，AI代理正在重塑服务器CPU需求：AI机架中CPU与GPU/ASIC的比例预计将从传统的1:8转向1:2甚至1:1。该机构同时预计，2027年服务器CPU出货量将同比增长超过40%，其中Arm架构产品将持续（原文标题在此处被截断，未给出完整表述）。上述内容均为TrendForce的预测/预期，并非已实现的结果，原文未说明具体的预测方法或假设条件。
10 月 22 日消息，Durabook 现已发布 R12 三防平板，面向工业应用、应急救援等使用场景。新品采用英特尔 Panther Lake 处理器，可选配英伟达 RTX 独立显卡。处理器可选酷睿 Ultra 7 366H、Ultra 7 356H 和 Ultra 5 336H 等，最高可搭配 64GB LPDDR5X-8533 内存和 256GB NVMe SSD，并可选集成显卡或 8GB 显存的英伟达 RTX 2000 Ada 独立显卡。产品配备 12.2 英寸、1920 × 1200 分辨率、峰值亮度 1200nits 的触控笔支持屏幕；机身镁合金材质，厚度 23.5mm，重量约 1.45kg，具备 IP66 防护等级并通过 MIL-STD-810H 认证。接口方面配备 2 个雷电 4 接口、1 个 USB 3.2 Gen 2 Type-A 接口、1 个 2.5Gbps 以太网接口，支持 Wi-Fi 7 和蓝牙 6.0，可选配 4G LTE 或 5G 移动数据网络，并支持通过扩展模块增加双网口、条码扫描器、智能卡读卡器、RFID 读卡器或串口。
纳微半导体推出G4H08MT23GB4系列2300 V碳化硅(SiC)全桥功率模块，面向能源转换与电网基础设施，基于行业标准SiCPAK™封装形式，导通电阻(RDS(on))为8 mΩ，采用纳微第四代GeneSiC™ Trench-Assisted Planar™ (TAP)技术。该系列扩展了纳微包含2300 V和3300 V器件的超高压SiC产品组合，目标应用包括固态变压器、电网级电池储能系统、太阳能逆变器、兆瓦级EV充电基础设施和高压DC-DC转换。模块采用氮化铝(AlN)活性金属钎焊(AMB)基板以改善散热并提供超过5 kV的电气隔离，环氧树脂灌封可减少内部机械应力并限制湿气和污染物侵入，据纳微称其导热性是硅凝胶的十倍；大电流压接引脚每引脚载流能力是标准压接连接的两倍，并可选预涂导热界面材料(TIM)。该系列计划按纳微AEC-Plus可靠性基准进行资格认证(该基准超出AEC-Q101和JEDEC要求)；G4H08MT23GB4(HC)系列样品(含大电流变体和预涂TIM选项)现已可提供，工程师还可申请EVB-UHVSIC-GB-E-DPT-1双脉冲测试系统。原文未说明价格或供货量产时间表。
据Omdia在2026年10月22日Evertiq华沙博览会发布的2025年数据，前十大半导体供应商收入增长超过30%（30.4%，达5621亿美元），约为行业其余厂商增速的近三倍，占一个总值约831亿美元（原文写作USD 831 billion，即8310亿美元）、增长23.3%的创纪录市场的近68%（67.6%）。Nvidia收入增加529亿美元至1503亿美元，增长54.3%，份额从约14.5%升至超过18%（18.1%），对第二名三星电子的领先优势从223亿美元扩大到645亿美元，接近原来的三倍，并贡献了全行业增长的大约三分之一。三星收入增长14.2%至858亿美元，份额从11.1%降至10.3%，对SK海力士的领先从278亿美元缩至185亿美元。SK海力士增长42.3%至672亿美元升至第三；Micron以56.3%的增速（增加164亿美元至456亿美元）从第七升至第五，超过Broadcom和Qualcomm；Broadcom增长28.0%至395亿美元但保持第六；Qualcomm增长11.6%至389亿美元却从第五跌至第七，份额从5.2%降至4.7%；AMD增长33.4%至327亿美元仍列第九；Apple的344亿美元是Omdia对其自研芯片活动的估值而非对外销售；Intel是前十中唯一收入下滑的公司，下降3.7%至485亿美元，从第三降至第四，份额从7.5%降至5.8%。2023至2025年全行业收入增长约53%，前十增长约90%，其余合计约8%；Nvidia与三星、SK海力士、Micron三家存储大厂合计份额从2023年的24%升至2025年的42%。据Omdia，DRAM市场两年内从2023年的略超500亿美元增至2025年的超过1500亿美元，仅2025年就增长超过50%；Omdia分析师Lino Jeng表示AI服务器不仅需要更多HBM，也需要显著更多的系统内存尤其是DDR5；Evertiq的Ewelina Bednarz指出，随着厂商将产能转向HBM和高容量服务器DRAM，其他内存类型供应趋紧、价格在HBM之外也上涨，且数据衡量的是收入而非出货量，价格和产品组合解释了大部分增长。Omdia九月更新数据显示2026年上半年行业收入达7520亿美元，约为2025全年的90%，第二季度单季超过4250亿美元，环比增长超过31%，存储占第二季度市场的一半以上，DRAM、NAND和NOR均创季度收入纪录；剔除存储后环比增长略超10%（历史第二季度平均略超3%）。SIA报告称截至2026年8月全球半导体销售额年初至今突破1万亿美元，为首次达到该水平，8月销售额1597亿美元，同比增长144.3%，为连续第18个月增长，SIA预计2026全年销售额将超过1.6万亿美元；SIA数据基于世界半导体贸易统计（WSTS），与Omdia方法不同，两组数字不可直接比较。
美光在10月21日于投资者关系网站举行的技术与产品网络研讨会上宣布，将跳过原规划的NAND一代，加速其3D NAND技术路线图，以更快提供额外裸片容量、速度和能效。据Blocks & Files于2026年10月22日(周四15:48 UTC)报道，美光目前出货第九代G9 NAND,采用276层，首款采用该技术的2650客户端SSD于2024年7月发布。总裁兼首席技术与产品官Scott DeBoer表示，美光将直接从G9跳到G11,并称该存储器经过优化、面向未来AI产品。与G9相比，G11位密度翻倍、I/O速度提升最高1.5倍、传输一位所需能量减少25%;G11将采用晶圆对晶圆键合技术，层数超过400层，计划于明年下半年量产，更多细节将于明年临近发布时公布。该媒体 Bootsnote指出，G10(原规划300+层)已于2026年10月被放弃，G11对应原规划的400+层代际。DeBoer还介绍了可能基于G11的未来产品方向：高IOPS的SLC小区块AI级NAND(约2500万至1亿IOPS量级)和高带宽AI级NAND(类似HBM的TSV堆叠结构，置于加速器附近)，下一代SSD容量最高可达512TB。此外，据BNP Paribas分析师引述，美光HBM4 36GB 12-high已于2026年3月进入量产，HBM4E正在向关键客户送样，公司目标2027年量产HBM4E、2028年HBM5、2029年HBM5E、2030年HBM6,并宣布vHBM和vEIM两条新线目标2028年量产。跳代的原因，按美光说法是为更快提供额外裸片容量、速度和能效并优化AI产品；该媒体另行发表评论认为跳代属营销性质，是对三星、SK hynix及Sandisk/Kioxia代际命名的回应，此为媒体观点而非美光自述。
10 月 22 日消息，MINISFORUM（铭凡）推出基于英特尔酷睿 3 处理器 304 五核 "Wildcat Lake" 的 M2 Slim 迷你主机。铭凡此前已推出使用同一处理器的 M2 Air；两款产品整体规格类似，但 M2 Slim 由 CSO-DIMM 内存插槽改为板载 LPDDR5X-7467，新增板载 UFS 3.1 闪存支持，PCIe Gen4 M.2 SSD 盘位从 4 通道降至 2 通道，并取消 1 个全功能 USB-C 10Gbps。M2 Slim 三维 112×112×37.15 (mm)，质量 0.44kg，内置英特尔 AX211 无线网卡（支持 Wi-Fi 6E 与蓝牙 5.4），提供 2 个 2.5GbE RJ-45、1 个 USB-C 40Gbps、2 个 HDMI 2.0 接口及 microSD 读卡器。此为产品发布类背景资讯，对元器件采购价格无直接影响。
意法半导体（STMicroelectronics）扩展其MasterGaN集成晶体管/驱动器产品系列，新增MasterGaN7器件，内置650V增强型GaN晶体管，最大电流额定值为6A。新系列面向电源适配器、充电器、工业照明设备和太阳能微型逆变器等应用，帮助设计人员提升效率和功率密度。MasterGaN7以半桥配置连接两个650V GaN晶体管，并搭配高压高频栅极驱动器，采用与其他MasterGaN器件共享引脚和封装尺寸的QFN封装；其引入低压差（LDO）稳压器以稳定栅极驱动电压，并具备带超快速唤醒的引脚驱动关断模式以降低无负载功耗。新器件传播延迟为45ns，最短导通时间短，开关频率最高可达2MHz，仅需少量外部磁性和无源元件即可完成电路设计，有助于缩小电路面积、降低BOM成本并最大化功率密度，还集成自举二极管为高侧驱动器供电。所有MasterGaN器件支持有源钳位反激、不对称半桥、反向降压、谐振LLC、功率因数校正（PFC）变换器和DC-AC逆变器等多种拓扑，并集成防交叉导通互锁、欠压锁定（UVLO）和热关断等保护功能。原文未说明价格或供货时间。
Meta于周四在监管文件中披露，截至今年9月底公司已承诺的未来支出总额约达8250亿美元，较今年7月披露的约7000亿美元大幅攀升，短短数月内新增逾千亿美元承诺；其中尚未计入资产负债表的经营性及融资性租约价值达3557亿美元，涵盖从今年剩余时间至2036年陆续生效的数据中心及能源基础设施租约，另有截至9月30日的4545亿美元不可撤销短期及长期合同，主要涉及第三方云算力采购、数据中心能源协议及Reality Labs部门的消费硬件产品；公司还承诺在五年内购买最高147亿美元的云计算容量，但该金额或因云服务商向其他客户出售容量而有所减少。据ICE Data Services数据，周四Meta五年期CDS价格单日最高上涨8.9个基点，升至约119.3个基点，创该合约上市交易以来盘中最高纪录，公司债券相对美国国债息差走阔；Oracle、微软、博通等公司的CDS价格亦同步走高，显示对科技行业债务风险的警惕情绪在蔓延。此前Meta于周三发布季度财报时上调全年资本支出计划，并宣布新设一类无投票权股票作为未来收购及其他支出的潜在融资工具；第三季度自由现金流转负至负21.2亿美元，为公司2012年上市以来约14年中首次出现赤字，净利润大幅低于分析师预期，尽管营收和AI业务势头超预期。周四美股开盘后Meta跌约7%。原文明确指出此次市场波动的直接导火索是Meta在季报后披露的最新支出承诺数据，并指出市场担忧科技巨头为AI扩张持续举债将加剧债券市场压力。
据小鹏汽车官方10月22日分享，10月21日至23日，2026世界智能网联汽车大会（WICV）在北京亦庄举办。10月21日，小鹏集团董事长、CEO何小鹏在大会"巅峰对话"环节表示，L4技术落地大概在2028年下半年，需要全体系软硬件一起开发；面对欧洲复杂路况，小鹏是将L4的模型能力用于满足靠边停车、在未曾见过的复杂路段符合当地法律法规与文化等。小鹏汽车官方表示，小鹏第二代VLA基于统一技术底座，已实现L2至L4能力贯通，进一步向更高阶自动驾驶拓展。据IT之家昨日报道，何小鹏还表示自动驾驶下半场将出现三个重大变化：软件形态从原来的软件转向AI模型与数据，硬件形态转向覆盖芯片、底盘、座舱、自驾到整车的全能力硬件耦合；法规与场景重心变化，未来全球将推动L2、L3、L4相关法规并探索L4、L5落地场景；下半场将出现安全碰撞里程、用户全场景覆盖率、用户愿意付费的比例三个核心指标。
Teradyne于2026年10月12日宣布推出UltraFLEXplus S系列，将其半导体测试平台扩展至边缘人工智能制造经济性领域，系列首款产品为UltraFLEXplus S24，一个面向工程和生产测试的24槽位系统。目标客户包括管理多样化产品和波动产量的集成器件制造商以及外包半导体组装和测试(OSAT)提供商。据Teradyne称，S系列与四模块UltraFLEXplus Q系列共享仪表模块生态系统、IG-XL软件环境和测试程序库，并支持面向汽车、工业和消费类应用的器件在三种温度下测试。S24具体针对微控制器、多媒体处理器和边缘AI器件。文章指出，兼容性可帮助客户复用已开发、调试和验证的测试程序，紧凑设计可能帮助制造商在现有厂房内增加合适的测试产能，但实际效益取决于具体器件和配置、完整测试单元与工厂布局，以及能否转化为更强的客户采纳尚取决于可验证的客户经济性。
据IT之家 10 月 22 日报道，OPPO Find 系列产品负责人卓世杰宣布，OPPO Find X10 系列当天起正式登陆全球超过 60 个国家和地区。此前一天，OPPO 在海外市场推出 Find X10 全球版机型，12GB+256GB 版本售价为 1,099 英镑（约合 9,834 元人民币）/ 1,299 欧元（约合 9,749 元人民币）。全球版配备 6.59 英寸 LTPO AMOLED 屏幕、搭载联发科天玑 9600M 芯片（台积电 3nm 工艺）、12GB LPDDR5X 内存、最高 512GB UFS 4.1 存储、三星 ISOCELL HPE/HP5/JN5 摄像头组合，以及 7150mAh 硅碳负极电池，支持 80W 有线快充、50W 无线充电。文中提到 Find X10 国行版采用 8000mAh 电池，全球版相比缩减 850mAh，且全球版缺少 16GB+1TB 高配版本。原文未说明原因。
天孚通信公告称，公司为CPO技术路线配套的FAU、ELS等产品在性能、良率及交付保障等方面已具备较好基础，会根据客户需求持续提产；NPO相关配套产品目前处于样品阶段；CPO/NPO的提产节奏近期未出现明显变化。公司计划明年进行无源器件扩产，将同时覆盖可插拔光模块和CPO/NPO方向，称二者均有较强的需求支撑，公司将统筹资源配置，在保障现有业务增长的同时积极支持新技术方向的导入与放量。公司还表示，目前发布的相关进出口政策未对光器件产品进行约束，不涉及对公司业务产生影响；公司在泰国建有量产基地，能满足客户全球多基地扩产的需要。
三星电子正在调整先进芯片制造业务的资源分配，将部分4纳米生产能力转向HBM基底芯片，同时计划采用2纳米工艺制造下一代外置5G调制解调器M2800。该芯片由三星系统LSI部门开发，预计于2027年完成研发，目标是配合2028年推出的Galaxy S28系列手机，与下一代Exynos 2800处理器共同工作；此前三星的外置调制解调器主要采用4纳米工艺。根据目前披露的信息，三星仍计划使用4纳米工艺生产标准HBM产品的基底芯片，并非所有相关产品都立即转向2纳米。此外，英伟达的定制化HBM项目NVHBM要求相关供应商采用台积电3纳米工艺制造基底芯片，三星、SK海力士及美光等厂商参与该合作；行业消息称，三星正在验证利用自家2纳米工艺制造NVHBM基底芯片的可行性，以便在台积电先进制程产能紧张时拥有替代方案，相关计划仍处于验证阶段，尚不能视为已确定的大规模量产安排。文章还指出，目前尚无证据表明高通已决定将某一款旗舰骁龙处理器交给三星以2纳米工艺生产，三星能否获得订单取决于良率、性能、功耗、成本及高通的可靠性要求，相关报道提出的是一种可能的发展方向而非已确定的商业合作结果。原文将上述调整的原因归结为人工智能计算需求持续增长带来的HBM市场需求迅速扩大，正在改变半导体产业的产能配置。
自沃什出任美联储主席以来，其多次强调AI驱动的生产率革命将压低长期通胀，使美联储能在通胀不失控前提下更早降息。但FOMC内部存在明显分歧：沃勒、古尔斯比、库克等官员强调当前AI基建投资主要体现为需求冲击，GPU、HBM等芯片及存储产品需求旺盛，叠加数据中心建设、电力供应和建筑劳动力等产能约束，可能加剧核心商品与能源价格上行压力，且AI相关投入品需求缺乏弹性，价格压力可能持续2-3年并向更广泛经济溢出。此前9月FOMC会议纪要显示，与会者将'激增的AI相关投资'列为通胀压力来源。此外，短期内AI投资扩张可能通过抬升实际利率、通胀预期及期限溢价推高长期利率，使美债收益率面临上行风险；中期一旦数据中心资本开支增速放缓、AI供应商融资链条转弱，AI投资可能转为拖累，迫使美联储降息应对。
今日光通信板块整体回调，联讯仪器股价出现大跌。公司方面表示目前生产经营活动正常有序，订单交付工作正常开展。面向800G、1.6T高速光模块测试的采样示波器、误码分析仪、时钟恢复单元等核心测试仪器是今年交付的主力产品，市场需求旺盛；公司为全球第二家推出1.6T光模块全部核心测试仪器的厂商，产能扩充正按业务需求稳步推进。此前披露的业绩预告显示，2026年前三季度实现净利润19亿元至21亿元，同比增长1866%至2072.95%。
Semtech将根据一项扩大的多年期协议，投资于Tower Semiconductor的专用硅锗(SiGe)产能。该产能覆盖Tower位于美国、以色列和日本的晶圆厂，将支持Semtech在AI数据中心光与铜互连组件方面不断增长的业务。两家公司已合作20年；Semtech的信号完整性产品，包括跨阻放大器(TIA)、调制器和激光驱动器以及线性均衡器，基于Tower的SiGe工艺技术制造，用于光模块和有源铜缆。公司方面称，产能分布在三个地区为Semtech提供更好的供应保障和地理多元化；该协议建立在现有生产之上，并正值Semtech预期其SiGe产品需求将在更多客户项目和终端市场中增长之际。两家公司还在面向未来互连代际的联合技术路线图上合作。两家公司未披露Semtech的投资规模或其获得的产能数量。
美光于2026年10月22日宣布放弃未来的4F² DRAM架构，结束约二十年的研究。公司称该架构没有有意义的密度优势、会增加制造复杂性和成本，并存在根本性的扩展限制；美光CTO Scott DeBoer表示电容器间距而非晶体管标称面积决定DRAM位密度，并称4F²在超过某一点后没有可持续的扩展路径，最终将由3D DRAM取代。美光承认4F²技术上可行且已制造过基于该架构的实验性器件。4F²理论上较6F²减少约33%单元面积、可将每片晶圆的存储单元数量提高50%，但美光认为这些理论优势在实践中不一定转化为更高密度。美光计划继续扩展传统6F² DRAM，通过缩小电容器间距和工艺节点提升位密度，其1δ工艺计划于2027年下半年进入量产，位密度较前代提升mid-20%（20%中段），并计划在未来DRAM世代采用High-NA EUV光刻；公司同时在开发多代3D DRAM生产节点，但未披露何时进入商业生产。据TechInsights，三星和SK海力士仍在路线图中保留4F²存储单元。
10月以来A股与港股再度进入下行通道：本周四个交易日内A股沪指跌1.57%，港股恒指跌超5%，恒科指和创业板指跌均超7%；主导下跌的是前期强势的科技、算力、新能源赛道。文中指出，包括成熟制程代工、半导体设备材料、算力硬件的AI链核心标的是本轮下跌中外资抛压最重的板块之一，下跌原因一是跟随全球AI周期杀估值，二是市场把长期国产替代趋势当短期题材炒作后无差别抛售；同时称这些核心公司订单、客户验证稳步推进、现金流健康。文章将下跌根源归为资金流动性问题而非基本面：10月22日为离岸信托补税90天窗口截止日，资金在最后窗口抛售；10年期美债收益率近期维持在5%上方、最高一度突破5.2%；南向资金10月22日单日净卖出超92亿港元，北向资金持续流出；国内经济弱复苏、政策以结构性托底为主。当日腾讯跌穿400港元、阿里跌穿100港元。文章称当前核心赛道PE处于近5年历史11.44%分位点，与2022年10月底部（当时恒生科技指数从高点回撤超70%、见底后两个月从2720点最高涨至5830点）驱动逻辑相似，但认为本轮难以复刻暴力深V反转，更可能是震荡式、阶梯式修复；真正的拐点需要美债收益率明确见顶回落（美联储给出暂停加息甚至降息指引）与国内超预期稳增长、稳消费政策或核心行业政策拐点两个条件共振。
10月22日，光通信板块整体大跌，光模块龙头'易中天'组合同步重挫：新易盛跌12.28%，较年内高点回撤超56%；中际旭创跌8.76%，较年内高点回撤超56%，全天成交额超173亿元、位居A股第一；天孚通信跌8.36%。华盛昌、崇达技术跌停，剑桥科技、联讯仪器、源杰科技等跌幅靠前，CPO、铜缆高速连接、PCB、元件、先进封装等概念整体低迷，原文未说明下跌原因。针对股价波动，源杰科技回应生产经营、订单交付、产能扩建正常开展，面向数据中心领域的CW激光器是今年交付的主力产品，市场需求旺盛，其光电通讯半导体芯片和器件研发生产基地二期项目投资总额约12.51亿元，土建工程、部分洁净室及相关配套设施已完成建设，首批生产设备预计近期进厂，预计2026年底至2027年初开始形成产能；新易盛回应经营正常有序，订单交付正常开展，800G和1.6T是今年交付的主力产品，订单交付及产能扩充正按业务需求推进；东山精密表示生产经营一切正常，产品交付有序推进；中际旭创在互动平台表示生产经营一切正常，供应链稳定，产能利用率充足，能够正常获取订单并保质保量交付。