美联储内部对AI通胀效应存分歧：GPU、HBM等芯片及存储产品需求旺盛，短期或推高长期利率，中期开支放缓或迫使降息

自沃什出任美联储主席以来，其多次强调AI驱动的生产率革命将压低长期通胀，使美联储能在通胀不失控前提下更早降息。但FOMC内部存在明显分歧：沃勒、古尔斯比、库克等官员强调当前AI基建投资主要体现为需求冲击，GPU、HBM等芯片及存储产品需求旺盛，叠加数据中心建设、电力供应和建筑劳动力等产能约束，可能加剧核心商品与能源价格上行压力，且AI相关投入品需求缺乏弹性，价格压力可能持续2-3年并向更广泛经济溢出。此前9月FOMC会议纪要显示，与会者将'激增的AI相关投资'列为通胀压力来源。此外，短期内AI投资扩张可能通过抬升实际利率、通胀预期及期限溢价推高长期利率，使美债收益率面临上行风险；中期一旦数据中心资本开支增速放缓、AI供应商融资链条转弱，AI投资可能转为拖累，迫使美联储降息应对。

来源：华尔街见闻 · 2026/10/22 · 查看原始来源