意法半导体在集成高效率功率产品系列中新增MasterGaN7器件

意法半导体（STMicroelectronics）扩展其MasterGaN集成晶体管/驱动器产品系列，新增MasterGaN7器件，内置650V增强型GaN晶体管，最大电流额定值为6A。新系列面向电源适配器、充电器、工业照明设备和太阳能微型逆变器等应用，帮助设计人员提升效率和功率密度。MasterGaN7以半桥配置连接两个650V GaN晶体管，并搭配高压高频栅极驱动器，采用与其他MasterGaN器件共享引脚和封装尺寸的QFN封装；其引入低压差（LDO）稳压器以稳定栅极驱动电压，并具备带超快速唤醒的引脚驱动关断模式以降低无负载功耗。新器件传播延迟为45ns，最短导通时间短，开关频率最高可达2MHz，仅需少量外部磁性和无源元件即可完成电路设计，有助于缩小电路面积、降低BOM成本并最大化功率密度，还集成自举二极管为高侧驱动器供电。所有MasterGaN器件支持有源钳位反激、不对称半桥、反向降压、谐振LLC、功率因数校正（PFC）变换器和DC-AC逆变器等多种拓扑，并集成防交叉导通互锁、欠压锁定（UVLO）和热关断等保护功能。原文未说明价格或供货时间。

来源：EE Journal · 2026/10/22 · 查看原始来源