SK hynix发布面向SSD控制器的超轻量化H-TPU：面积仅为传统CPU核心的4%、功耗仅2.5%，或支持未来HBF应用
SK hynix发布用于SSD控制器的超轻量化H-TPU处理器，其面积仅为传统CPU核心的4%、功耗仅为2.5%。该架构旨在缓解存储瓶颈，并可能支持未来的HBF应用。原文未说明价格或供应影响。
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SK hynix发布用于SSD控制器的超轻量化H-TPU处理器，其面积仅为传统CPU核心的4%、功耗仅为2.5%。该架构旨在缓解存储瓶颈，并可能支持未来的HBF应用。原文未说明价格或供应影响。
三星电子与SK海力士正在开发新存储技术以应对AI系统中日益增长的瓶颈。三星正在探索一种将高带宽内存（HBM）直接堆叠在图形处理器上方的设计（zHBM）；SK海力士则在推进高带宽闪存（HBF），以扩展AI推理的内存容量。以上均为开发/探索阶段的计划，原文未说明时间表或量产安排。
SK海力士于周五表示，已展示其下一代人工智能（AI）内存技术，旨在将AI基础设施的边界扩展到传统高带宽内存（HBM）之外；相关技术于当地时间周二至周四在美国加州举行的OCP全球峰会2026上发布。该公司展区分为两部分：前区为“存储展区”，展示旗舰产品；后区为规模更大的“系统演示区”，重点呈现支持下一代服务器生态系统的存储解决方案。高级副总裁Kim Ho-sik介绍了MARS（以存储为中心的AI机架级系统），这是一种解耦式机架级架构，旨在实现计算资源与存储资源的无缝协同；并重点介绍了高带宽闪存（HBF）取得的进展。该公司还发布了基于Compute Express Link（CXL）3.2标准的第二代256GB存储产品，与上一代产品相比带宽提升至两倍以上，能效提高约30%。
SK海力士参加了2026年10月12日至15日在加州圣何塞举行的OCP全球峰会，展示了下一代内存解决方案并提出以内存为中心的AI时代服务器系统方向。展会现场，SK海力士公开了第二代CMM-DDR5（256GB，基于CXL 3.2），称与上一代相比带宽提高一倍以上（80GB/s）、能效提升约30%；并演示了CXL池化内存在AI代理服务、KV缓存共享等场景的效果。原文说明的背景是：随着AI处理的数据量爆炸式增长，数据瓶颈成为新的挑战。SK海力士还展示了HBM4/HBM4E/HBM3、HBF、服务器DDR5 RDIMM（256GB/128GB/96GB/64GB）及eSSD产品组合。文中另提及去年9月SK海力士与NAVER Cloud签署业务协议，以及PS1110 E3.S与PS1101 E3.S目前处于按序开发中。
据Wccftech报道，一位韩国半导体工程师（X账号@TTHUEONE）指控特斯拉在与三星的AI5和AI6芯片代工合同中要求获取三星内部晶圆厂信息及审计权，同时大幅压低代工价格；该工程师还指控Terafab项目从三星位于得州的Taylor晶圆厂挖走大量员工，并称特斯拉之所以转向Samsung Foundry是因为TSMC未满足其要求。此前本周早些时候，马斯克曾称赞美光在存储芯片未来价格上'合理'，并称其他厂商'敲诈'，被普遍解读为对三星的批评。背景方面：Business Post曾在3月警示Terafab（厂址距三星Taylor厂约30分钟车程）可能加剧对人才和设备以及知识产权/制程诀窍的竞争；Financial News于10月12日报道三星已开始从韩国抽调先进制程良率工程师赴Taylor厂并扩大当地招聘，为计划2027年的2nm量产做准备，目标2026年底前投运，特斯拉是关键客户之一；Seoul Economic Daily在9月报道三星已在Taylor厂试产特斯拉AI5芯片，良率验证进行中，2027年全面量产。AsiaToday早前报道称特斯拉AI5/AI6订单预计支撑Taylor厂初期产能利用率，且TSMC可能参与Terafab或使三星争取未来订单复杂化。TSMC董事长魏哲家确认正就Terafab进行讨论但结果不确定，并强调涉及TSMC的晶圆厂须由其自身运营；而据路透社，马斯克在10月7日表示其公司将自建自营Terafab，TSMC可能转租部分设施而非承担运营角色。
据ZDNet报道，SK hynix发布了超轻量级事务处理单元(H-TPU)架构，用于SSD数据面控制与事务处理，将存储控制任务分布在数十个紧凑的H-TPU集群上。据副总裁Koo In-jae（负责SoC设计）介绍，H-TPU取消超标量与乱序执行等复杂CPU特性，采用简化的四段流水线，使处理器面积降至传统CPU核心的约4%、功耗降至约2.5%，且仅激活所需模块。SK hynix还计划基于H-TPU引入硬件自动化(HWA)，将指令处理、数据地址查找、临时缓冲区复制等重复性存储控制任务交给专用硬件电路。SK hynix预期基于H-TPU的控制器架构可与面向AI工作负载的高带宽闪存(HBF)互补；AI推理高度读密集，读写比可达约30万比1，AI编译器与运行时可提前告知HBF SoC数据处理需求以预取数据。另据韩联社报道，三星已于2026年7月开始量产基于PCIe 6.0的企业级SSD PM1763，采用新开发的4nm控制器与第九代V-NAND，性能为前代的两倍以上、能效超过1.8倍。
据ZDNet援引业内消息，三星考虑为OLED Galaxy智能手机所用显示驱动IC（DDI）增加GlobalFoundries作为第二家代工伙伴，可能结束UMC的独家代工地位；GlobalFoundries代工的DDI最早或于2027年底出现在Galaxy智能手机中，部分中低端Galaxy A系列机型或率先采用，三星据报正在评估GlobalFoundries的22nm或28nm节点，其在新加坡和德国拥有兼容制造设施。背景原因：自2025年下半年以来成熟制程需求超过供给，UMC无法承接额外订单；据ZDNet，三星在7月发布Galaxy Z Fold8后因需求超预期要求加快DDI生产，但UMC因22nm DDI产能已达上限而无法满足，三星因此将9月Galaxy Z Fold8零部件计划产量削减10%，将延后产量移至10月。另据Economic Daily News，机构投资者预计UMC 12英寸产能利用率到2026年底达93%，受三星System LSI与联咏22/28nm DDI订单及55/65nm Apple Mac相关芯片需求支撑；TrendForce称部分产能受限的12英寸成熟制程节点2026年第二至第三季度出现5–10%涨价迹象，2027年预计更大范围涨价。以上均为报道/评估或预期，非已确定事项。
2026年10月15日，SK hynix disaggregating SSD controller cores，开发H‑TPUs（Hynix‑Tensor Processing Units）以离载主控制器CPU的低级读写命令处理、元数据管理和缓冲区控制，计划在其下一代企业级SSD及Storage Next SSD控制器中部署H‑TPU。
第28届半导体展（SEDEX 2026）于10月14日至16日在首尔江南区COEX会展中心举办，为期三天，三星电子与SK海力士在展会上共同展出第七代高带宽内存HBM4E及新一代存储技术。三星HBM4E采用10纳米级第六代（1c）DRAM搭配4纳米制程基础裸片，单引脚传输速率14Gbps至最高16Gbps，较HBM4提升超20%；最高带宽达3.6TB/s，12层堆叠版本容量48GB，较上代增加30%以上；三星还计划推出8层32GB与16层64GB版本，并已于今年5月向全球客户送样12层版本。SK海力士展出的HBM4E最高传输速率同样达16Gbps，能效较HBM4提升逾20%，热阻降低约17%，采用先进MR-MUF工艺，6月已向主要客户送样12层48GB版本并开展性能验证。三星还展出zHBM概念产品，结合下一代晶圆键合技术，内存密度可达HBM5的10倍以上、能效提升3倍，同时展出面向边缘AI的LPDDR-PIM与zNAND-O方案。SK海力士提出HBF（高带宽闪存），目标容量约为HBM的10倍，采用UCIe开放接口标准。SK海力士开发总裁安铉在主题演讲中表示，预计2030年AI基础设施性能将较今年增长约20倍。
SK海力士计划于2027年1月敲定高带宽闪存（HBF）的技术规格，并正在开发新存储技术以应对AI推理系统中日益增长的瓶颈。该公司还在探索将DRAM直接堆叠在AI处理器上的方式，以提升性能和能效。上述内容均为计划/探索阶段，尚属未来目标而非已实现结果。
据路透社援引消息人士报道，SK海力士正寻求美国政府批准，通过其美国子公司Solidigm在大连NAND闪存工厂的未使用空间（2023年完工但因存储市场低迷而设备安装未完成的Mod B区域）加装额外设备以扩大在中国生产，作为在美国投资建厂的筹资条件，扩建业务将用于资助一座新的美国NAND制造工厂；Solidigm还考虑最早明年进行首次公开募股以筹集额外资金。但SK海力士对路透社表示，大连Mod B的设备安装是在与美国政府协商并获其授权下进行的，公司并非寻求扩大Mod B产能，Solidigm拒绝置评。背景方面：2025年9月，美国商务部撤销了允许SK海力士和三星在中国设施无需个别出口许可证即可获得美国芯片制造设备的特别授权，称将继续允许维持现有运营所需的设备出货，但不打算批准用于产能扩张或技术升级的出口；2025年12月，据韩联社报道，华盛顿为三星和SK海力士中国设施2026年的美国芯片制造设备出货授予年度批准，但据路透社报道，针对大连工厂的授权限制了设备数量，且2027年额外美国设备与技术的批准尚未签发。据The Bell报道，随着NAND厂商增加堆叠层数，先进蚀刻设备的获取尤为重要，使用较旧的工具可能需要额外加工步骤，降低生产率并提高制造成本；据路透社报道，大连NAND工厂使用来自Lam Research、应用材料和KLA等美国主要供应商的设备。
SK hynix公布了名为Hynix Transaction Processing Unit (H-TPU)的自研微核心计划，旨在降低对高功耗CPU核心的依赖。该计划于ISOCC 2026（国际SoC设计会议）上由公司SoC设计副总裁Koo In-jae披露，尚属计划而非已落地产品：H-TPU尚未在实际企业级SSD控制器产品中得到验证，且未给出日期。H-TPU采用四级顺序执行流水线，置于集群中处理读写命令处理、元数据管理与缓冲控制等重复性I/O工作，总数量超过100颗；管理任务仍留给传统Arm CPU，是卸载而非替代。据称每颗H-TPU功耗仅约为通用CPU核心的2.5%，面积约为其4%（报道未指明对比所用的CPU核心）。报告所称原因是SSD控制器CPU在功耗和面积上已达极限，且PCIe带宽每代翻倍而控制器CPU时钟和控制能力无法跟上。SK hynix据报道计划将H-TPU应用于其NAND产品（包括下一代企业级SSD控制器）以及高带宽闪存（HBF），据报道HBF预计明年推出；H-TPU据报道已用于Nvidia与SK hynix合作的AIN P项目（Nvidia称为'Storage Next'）。
CXMT公布4F² DRAM架构计划，目标2026年底量产DDR5 RDIMM，且二季度全球DRAM份额升至9.5%。该架构较传统6F²缩小33%面积，使CXMT在技术路线上领先SK海力士和三星约两年。
全球DRAM价格，因竞争加剧及潜在产能扩张。
高盛12日发布研报指出，随着AI推理需求快速增长，存储容量不足成为算力效率瓶颈；高带宽闪存（HBF）有望缓解内存墙并降低AI基础设施成本。在GPU采用率15%-50%情况下，HBF潜在市场规模可达400亿至1500亿美元。高盛看好闪迪和SK海力士的HBF技术领先，维持买入评级；三星电子亦有望受益；美光因侧重DRAM/HBM，直接受益较低，维持中性评级。
SK海力士推出内存中心AI机架系统，TTFT提速5倍；HBF扩产14倍以缓解内存短缺。
产能大幅提升缓解供应压力。
SK 海力士于 10 月 12 日正式推出 SSD 专用处理器架构 H-TPU，该架构功耗仅约为传统 CPU 的 2.5%（占用面积约为 CPU 核心的 1/25），是一个可编程处理器，专门用于控制 SSD 数据平面和处理事务，不用于 AI 计算。SK 海力士计划将 H-TPU 应用于其 NAND 存储器产品线，包括下一代企业级固态硬盘（eSSD）控制器，并预计与明年发布的高带宽闪存（HBF）结合以实现协同效应。
SK Hynix在2026年10月12日于仁川松岛Convensia举行的ISOCC 2026上，由副总裁Koo In-je披露了自研用于固态硬盘(SSD)的小型处理器Hynix Transaction Processing Unit (H-TPU)的架构与性能。该技术将传统上由通用CPU处理的重复性任务分配到超过100个H-TPU上并行处理，据SK Hynix称，单个H-TPU的功耗约为标准通用CPU核心的2.5%（四十分之一），芯片面积约为其4%（二十五分之一）；主通用CPU保留用于错误恢复、异常处理和存储策略管理等复杂任务。公司还开发了包括专用编译器在内的软件工具。SK Hynix计划将该技术应用于多条NAND闪存产品线，首先用于下一代企业级SSD(eSSD)控制器，随后集成到面向AI的下一代存储架构Storage Next（处理低至512字节的数据单元，为传统4KB单元的八分之一）以及计划于明年发布的高带宽闪存(HBF)中；这些应用仍属计划，尚未表明已实施。
英伟达下一代Rubin Ultra的HBM层数或从16层砍至8层，同时HBF闪存凭借低成本高容量优势试图分食市场。文章指出受限于工艺良率和散热，单纯堆叠HBM难度增加，而HBF虽延迟高但适合非高频数据。
混合存储架构或成远期解，存力产业链话语权面临重构。
Marvell高管指出，推理模型驱动KV缓存需求在过去九个月内增长约10倍，铜连接已逼近性能极限。随着数据中心规模突破物理限制，单机架内存无法满足需求，算力扩张正从单纯芯片竞争转向互连与内存的系统级博弈。
光学互连、定制化SerDes及内存扩展技术成为下一阶段算力扩张核心变量，相关供应商将持续受益。
SK海力士在AI Infra Summit 2026展示了HBF、PIM/AiMX及SALT-KV等下一代AI内存技术。该技术旨在填补HBM与SSD之间的空白，以适应推理时代的算力需求。
关注：此次展示主要聚焦技术愿景，尚未披露具体产能规划或价格影响。