三星电子与SK海力士开发新存储技术缓解AI内存瓶颈：三星探索HBM直接堆叠于图形处理器上方的设计，SK海力士推进高带宽闪存HBF扩展AI推理内存容量

三星电子与SK海力士正在开发新存储技术以应对AI系统中日益增长的瓶颈。三星正在探索一种将高带宽内存（HBM）直接堆叠在图形处理器上方的设计（zHBM）；SK海力士则在推进高带宽闪存（HBF），以扩展AI推理的内存容量。以上均为开发/探索阶段的计划，原文未说明时间表或量产安排。

来源：DigiTimes Asia · 2026/10/15 · 查看原始来源