Toray测试150°C薄膜电容,散热结构减半
Toray Industries成功测试150°C耐高温薄膜电容原型,散热结构尺寸减半。该技术解决了高功率驱动系统中的热稳定性问题,对飞行汽车等新兴领域至关重要。
长期利好耐高温薄膜电容需求,推动高功率应用设计优化。
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Toray Industries成功测试150°C耐高温薄膜电容原型,散热结构尺寸减半。该技术解决了高功率驱动系统中的热稳定性问题,对飞行汽车等新兴领域至关重要。
长期利好耐高温薄膜电容需求,推动高功率应用设计优化。
Resonac半导体材料CTO指出面板级封装面临五大材料挑战,并计划建设510x515mm试产线。随着先进封装技术重塑半导体价值链,材料创新成为关键突破点。
该技术进展对短期供需无直接影响,属长期研发背景信息。
文章提出了一种在按下按钮时改变数字电位器(DPOT)设置的电路设计。该设计用于替代释放按钮时才改变设置的方案。此为纯技术设计思路,对供应链无实质影响。
CXMT在AMD平台实现DDR5-8800超频,逼近SK海力士顶尖水平。尽管CXMT首颗DDR5 IC于2025年11月才发布,但已获Colorful等品牌采用。
技术突破显示国产存储竞争力提升,但短期对现货价格影响有限。
北京大学团队开发出首个全碳纳米管CFET数字逻辑电路,峰值电压增益达164。该成果采用无掺杂CMOS技术解决了驱动能力失配问题,展示了高稳定性与低功耗特性。
标志着碳纳米管作为后硅时代通道材料的重大技术进展,但短期内无商业量产影响。
Fraunhofer IZM展示了基于SiC MOSFET和AMB芯片嵌入技术的500 kW/l逆变器模块。该技术通过PCB嵌入和铜顶层金属化降低寄生电感,提升功率密度和热性能。
SiC功率器件封装技术,但当前对现货价格影响中性,属于研发里程碑。
SMTC开发CPO用Micro LED芯片并进入样品验证阶段。其与湖南大学合作推进该技术。
该技术突破为未来MicroLED在CPO领域的应用奠定基础,但短期内对供需无直接影响。
CSA Catapult开发定制SiC功率模块用于SONATA电动滑行系统,目标功率密度达15 kW/kg。该项目由英国航空技术研究所资助,旨在通过再生制动技术提升航空能效。
SiC功率模块长期技术发展,但短期对现货价格无直接影响。
韩华半导体正在开发W2W混合键合设备以支持前端及先进封装工艺。该设备旨在服务逻辑芯片市场,并计划对标行业龙头EV Group的精度水平。此举标志着韩华在先进封装领域的技术布局,需关注后续量产时间表对供应链格局的影响。
三家固态变压器初创公司融资2.8亿美元,多家巨头加码该技术。该技术利用SiC/GaN等宽禁带半导体,旨在替代传统变压器以实现800V DC数据中心配电。
长期功率半导体需求增长,但当前现货价格无直接影响。
三星2nm制程良率据报约为55%,低于60%的稳定量产门槛,后端处理后有效良率预计降至40%。高通因此选择台积电N2P工艺生产其下一代旗舰芯片,三星则获得特斯拉及DeepX订单。
三星良率提升速度将决定其代工业务盈利及供应链多元化格局。
英特尔代工服务发布19微米厚GaN芯粒,单片集成功率晶体管与硅基数字逻辑,耐压78V,射频截止频率超300GHz。该技术基于300mm硅基氮化镓工艺,旨在突破硅基器件在高功率/高频场景的物理极限。
/利多/关注: 中性——此为远期研发里程碑,对当前组件供应、价格及交易决策无直接影响。
SK keyfoundry完成450-2300V SiC平面MOSFET工艺平台开发。此举旨在争夺下一代化合物功率半导体代工市场。
此为技术研发里程碑,对当前现货交易无直接供需或价格影响。
英特尔EMIB封装技术因台积电CoWoS产能紧张而获得关注,其供应链投资随之复苏。该技术路线预计在2026年下半年迎来关键转折点。
此为针对先进封装供应的长期、间接的产能多元化布局,对当前价格无直接影响。
Leyard、Unilumin等头部厂商正将冷屏技术作为产品核心,以应对超高清时代下P0.7以下间距显示屏的散热与功耗挑战。该趋势受碳中和目标及中国显示能效强制标准GB 21520-2023驱动,使LED驱动IC的价值被重新定义。
此为长期技术趋势,对驱动IC价格及供应无直接、可量化的短期交易影响。
罗姆半导体发布采用其最新SiC MOSFET的三相逆变器电路参考设计图,旨在加速工业设备和可再生能源系统的SiC方案采用。此举为技术推广行为,旨在降低工程师设计门槛并推广其自身SiC产品。
此为市场与技术支援活动,对SiC组件的供应、需求及价格无直接即时影响。
无晶圆厂公司CGD凭借其ICeGaN方案赢得现代汽车创新挑战赛,瞄准电动汽车牵引逆变器功率模块。该技术被视为高功率EV市场中碳化硅(SiC)方案的一种潜在成本替代品。
此为特定设计公司的技术验证,未对当前主流功率半导体组件的供应、库存或现货价格产生直接影响。
CISSOID与EDAG集团宣布建立战略合作伙伴关系,旨在加速开发用于电动汽车的下一代碳化硅牵引逆变器。此举旨在结合CISSOID的高可靠性功率半导体技术与EDAG的工程服务能力,以缩短产品开发周期。
此为长期研发进展,对当前元器件供应、价格及交易库存决策无直接影响。
英飞凌推出基于沟槽的碳化硅超结技术概念,其CoolSiC产品线电压覆盖400V至3.3kV。该技术基于其在硅基CoolMOS和碳化硅沟槽MOSFET领域的积累。
此为技术研发进展,未提及产能、价格或供应变化,对现有碳化硅元件交易无直接影响。
VisIC与AVL合作开发用于电动汽车的GaN逆变器技术,宣称其性能与成本优于碳化硅。此举旨在推动GaN在电动汽车高压应用中的商业化进程。
此为长期研发合作,未涉及具体产能、价格或供应变动,对当前交易无直接影响。
爆款新品里,到底装了谁的芯片?拆开,一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |