Fraunhofer展示500kW/l SiC逆变器
Fraunhofer IZM展示了基于SiC MOSFET和AMB芯片嵌入技术的500 kW/l逆变器模块。该技术通过PCB嵌入和铜顶层金属化降低寄生电感,提升功率密度和热性能。
利多
SiC功率器件封装技术,但当前对现货价格影响中性,属于研发里程碑。
- 相关厂商
- Fraunhofer IZM、Mitsubishi Electric、AT&S、Infineon Technologies
- 影响评分
- 10 / 100,低影响
Fraunhofer IZM展示了基于SiC MOSFET和AMB芯片嵌入技术的500 kW/l逆变器模块。该技术通过PCB嵌入和铜顶层金属化降低寄生电感,提升功率密度和热性能。
SiC功率器件封装技术,但当前对现货价格影响中性,属于研发里程碑。
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长期功率半导体需求增长,但当前现货价格无直接影响。
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此为远期研发趋势,未提及具体厂商产能、价格变动或供应中断,对短期交易无直接影响。
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此为远期研发里程碑,对当前SiC芯片或PCB的供应、价格及库存无直接影响。
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