Toshiba推出3300V高压SiC MOSFET模块
Toshiba推出3300V高压SiC MOSFET模块，额定电流达800A。Vishay新增50-150A 650V超结MOSFET模块，工作温度范围宽达-55至+150℃。
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新功率模块发布通常预示着产能扩充或技术迭代，短期对现货价格影响中性，但利好相关产业链。
- 相关厂商
- Toshiba、Vishay、Skyworks
- 料号
- Si829x3300V SiC MOSFET Module
- 影响评分
- 25 / 100，低影响
Toshiba推出3300V高压SiC MOSFET模块，额定电流达800A。Vishay新增50-150A 650V超结MOSFET模块，工作温度范围宽达-55至+150℃。
新功率模块发布通常预示着产能扩充或技术迭代，短期对现货价格影响中性，但利好相关产业链。
东芝推出IX800FXF2YMS4 3300V/800A SiC MOSFET模块，采用第三代技术及银烧结工艺。该产品主要面向轨道交通、UPS等高功率应用场景。
新产品发布，暂无供需或价格变动信号。
Raysolve、Starksemi及LEKIN在CIOE 2026展示雷射微显示光互连方案，Starksemi出货样品且带宽达2.5GHz。随着AI算力需求激增，该技术正从概念验证转向商用部署。
该技术商业化进程对GaN-on-Si及光模块产业链的潜在需求拉动。
东芝推出IX800FXF2YMS4，一款用于工业设备的第三代3300V SiC MOSFET模块。该产品针对铁路车辆和可再生能源系统进行了优化。
该产品展示了东芝在高压SiC领域的持续技术升级。
STMicroelectronics推出SLLIMM Compact系列，首款20A模块STGI15C60S体积缩小30%。该模块专为空调、热泵等家电的低中功率电机驱动设计。
新产品发布，但短期内对现货价格无直接影响。
TSMC 计划 2026 年量产 COUPE CPO 解决方案，实现 200Gbps 操作。该技术通过 SoIC 垂直堆叠电子与光子芯片，提升能效并降低延迟。
TSMC 硅光子代工业务及 AI 互联供应链。
NoMIS Power演示了首款6.5kV大尺寸SiC MOSFET，阻断电压超8kV，导通电阻90mΩ，目前处于样品阶段。该产品计划于2026年第四季度量产，并扩展至10kV及以上的高压SiC器件路线图。
高压SiC器件路线图延伸，但量产时间较晚，对当前供需无直接影响。
英伟达宣布Spectrum-X光子学进入量产，专为AI工厂设计。该技术将激光器数量减少4倍、功耗降低5倍。
利好光模块及激光器供应链，如Lumentum和天孚通信。
Qorvo宣布推出用于国防和航空航天应用的SOI射频开关及数字步进衰减器，旨在简化设计并降低BOM复杂度。该产品组合通过消除负电压轨需求，实现了比传统GaAs方案更优的性能。
此举有望提升Qorvo未来营收并抢占传统射频控制市场份额。
Vishay推出四款3000W TVS二极管系列，采用DFN6546A封装并具备湿焊边设计。新品针对汽车ADAS及工业自动化领域，提供高达+185°C的高温工作能力。
新品量产供货，满足新兴市场需求。
Vishay推出的VETH100A1DD1 ESD保护二极管通过了IEEE 10BASE-T1S合规测试，电容低于1 pF。
该器件兼容10BASE-T1S、100BASE-T1和1000BASE-T1，为汽车以太网总线提供信号完整性保护。
Scintil Photonics宣布LEAF Light光引擎进入量产，并获NVIDIA投资。公司利用Tower Semiconductor的硅光产线解决AI算力网络瓶颈。
AI光模块需求增长，硅光产业链产能扩张预期增强。
博世推出第三代SiC芯片并向车企提供样品，旨在提升电动汽车续航与效率。此举顺应了数据中心与电动汽车对高效率功率半导体的迫切需求。
车规级SiC市场长期发展。
利特弗尔宣布扩大高压TVS二极管产品线，并展示超小型SMT开关。此举旨在响应市场对微型化及高可靠性元器件的需求。
新产能释放对现有供应链格局的潜在影响。
某公司预计其10G/25G VCSEL光通信芯片将于年内获得正式订单，其砷化镓太阳能电池已批量用于G60千帆星座等商业卫星。此为该公司在光通信与商业航天领域的研发进展。
/利空/关注: 中性。此为远期产品规划，对现有现货市场供需及价格无直接影响。
意法半导体推出两款用于GaN晶体管的专用半桥栅极驱动器STDRIVEG212（220V）和STDRIVEG612（600V），千颗单价1.25美元起。此举旨在解决GaN晶体管相比硅器件更窄的栅极电压耐受性问题。
此为常规产品发布，增加了市场供应，对现有元器件价格及供应无直接影响。
意法半导体发布两款工业级GaN半桥栅极驱动器STDRIVEG212/612，千片单价1.25美元起。新产品集成智能保护功能，针对运动控制和电源转换应用。
此为常规产品发布，对现有元件供需及价格无直接影响。
罗姆开发新款ESD保护二极管，适用于AI服务器等10Gbps高速接口。此举为常规产品迭代，旨在满足高性能计算需求。
/利多/关注: 中性，新品发布未提及产能、价格或供应变动，对现货交易无直接影响。
Renesas推出首款双向650V d-mode氮化镓开关TP65B110HRU，用于光伏逆变器及AI数据中心。该器件通过集成直流阻断功能，可替代传统背对背FET，将单级拓扑效率提升至97.5%以上。
新器件有望改变电源架构，但短期供应与价格影响尚不明朗。
东芝推出DTMOSVI 600V HSD N沟道MOSFET，RDS(ON)*Qg降低36%。针对数据中心服务器和UPS应用，优化栅极设计。
新产品发布，暂无供需缺口或价格变动。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |