NuAxi半导体贸易情报
低影响影响力评分：10/100
NoMIS Power演示6.5kV SiC MOSFET，量产定于2026年Q4
NoMIS Power演示了首款6.5kV大尺寸SiC MOSFET，阻断电压超8kV，导通电阻90mΩ，目前处于样品阶段。该产品计划于2026年第四季度量产，并扩展至10kV及以上的高压SiC器件路线图。关注：高压SiC器件路线图延伸，但量产时间较晚，对当前供需无直接影响。
SiC MOSFETSiC JBSFETSiC IGBT
SiCHigh VoltageRoadmapSampling
来源：Power Electronics News · 2026/8/14 · 查看原始来源
查看 NuAxi 完整情报 →
实时定价、供应信号与 AI 分析，为半导体贸易商而生