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东芝推出DTMOSVI 600V HSD MOSFET,RDS(ON)*Qg降36%

东芝推出DTMOSVI 600V HSD N沟道MOSFET,RDS(ON)*Qg降低36%。针对数据中心服务器和UPS应用,优化栅极设计。关注:新产品发布,暂无供需缺口或价格变动。

Power MOSFETsDTMOSVI 600V
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来源:Electronics Weekly · 2026/3/27 · 查看原始来源

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