NuAxi半导体贸易情报
低影响影响力评分:25/100
东芝推出DTMOSVI 600V HSD MOSFET,RDS(ON)*Qg降36%
东芝推出DTMOSVI 600V HSD N沟道MOSFET,RDS(ON)*Qg降低36%。针对数据中心服务器和UPS应用,优化栅极设计。关注:新产品发布,暂无供需缺口或价格变动。
Power MOSFETsDTMOSVI 600V
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来源:Electronics Weekly · 2026/3/27 · 查看原始来源
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