NuAxi半导体贸易情报
低影响影响力评分：15/100
Renesas推出首款双向GaN开关TP65B110HRU
Renesas推出首款双向650V d-mode氮化镓开关TP65B110HRU，用于光伏逆变器及AI数据中心。该器件通过集成直流阻断功能，可替代传统背对背FET，将单级拓扑效率提升至97.5%以上。关注：新器件有望改变电源架构，但短期供应与价格影响尚不明朗。
GaN SwitchesMOSFETs
GaNNew ProductSolarAI Data Center
来源：EE Journal · 2026/3/27 · 查看原始来源
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