Toshiba推出3300V高压SiC MOSFET模块
Toshiba推出3300V高压SiC MOSFET模块，额定电流达800A。Vishay新增50-150A 650V超结MOSFET模块，工作温度范围宽达-55至+150℃。
关注
新功率模块发布通常预示着产能扩充或技术迭代，短期对现货价格影响中性，但利好相关产业链。
- 相关厂商
- Toshiba、Vishay、Skyworks
- 料号
- Si829x3300V SiC MOSFET Module
- 影响评分
- 25 / 100，低影响
Toshiba推出3300V高压SiC MOSFET模块，额定电流达800A。Vishay新增50-150A 650V超结MOSFET模块，工作温度范围宽达-55至+150℃。
新功率模块发布通常预示着产能扩充或技术迭代，短期对现货价格影响中性，但利好相关产业链。
微芯与Navitas推出800V DC至6V DC参考设计，采用GaNFast FETs与dsPIC33AK DSC。该设计旨在提升AI数据中心功率密度与效率，符合OCP 800V标准。
Renesas推出8x8mm双面散热650V氮化镓器件，瞄准800V AI数据中心。该封装设计旨在提升高压数据中心转换器的功率密度。
此举有助于解决AI服务器高功率转换器的散热瓶颈。
奇瑞捷豹路虎神行者8今日交付，全系搭载高通骁龙8397芯片及华为ADS5智驾。该车由华为、宁德时代与捷豹路虎联合开发，采用800V高压平台。
该车型交付确认了对高通车规芯片及华为智驾方案的增量需求。
MediaTek发布2nm Dimensity 9600 Pro以降低内存使用。在内存成本高企背景下，该芯片旨在减少内存占用。
DRAM短期需求，关注移动端芯片架构优化趋势。
大众安徽与众 08 猎影版 SUV 上市，搭载高通 SA8295P 芯片及双图灵芯片。新车基于 800V 平台，配备 95kWh 电池，支持 0 速激活 NOA。
新车上市增加对高通座舱芯片及高性能计算芯片的需求。
大众与众08猎影版将于9月12日上市，标配双图灵芯片，总算力达1500TOPS。该车基于800V平台打造，搭载宁德时代电池，定位中大型纯电SUV。
高算力车载芯片需求，但新车上市对现货价格影响中性。
Aratas America LLC推出G3VH高压SiC MOSFET继电器，支持1800V和3300V负载电压。该继电器利用SiC技术实现高电压耐受能力和低导通电阻，适用于半导体测试设备等场景。
信号。
一汽-大众ID. AURA T6开启盲订，搭载地平线征程6H芯片及800V高压平台。新车定位中型SUV，采用国产智驾方案。
（新车发布，暂无供应链价格变动）。
三星推出针对800V直流系统的1000V C0G及X7 MLCC。该产品主要应用于ADAS和SoC电源轨。
车规MLCC在800V平台的技术迭代趋势。
Exxelia推出1200V航空电容及磁元件，HEICO通过收购CalRamic扩充高压陶瓷电容组合。此次扩容旨在满足800V航空平台对高电压元件日益增长的需求。
HEICO收购CalRamic将改变高压电容供应链格局，但短期内对现货价格影响中性。
英飞凌推出首款针对AI数据中心HV DC总线的24kW SiC BBU参考设计。该设计采用650V和1200V SiC技术，功率密度达450W/in3，效率超99%。
此设计有望加速数据中心向高压直流架构转型，利好英飞凌SiC产品需求。
英伟达自研800V电源柜定于3Q26就绪，以支持Rubin Ultra的660kW功率密度需求。该产品旨在解决下一代AI服务器的电力基础设施瓶颈。
未来功率半导体需求，但当前现货价格无直接影响。
法拉利发布Luce电动概念车，采用800V架构与四电机动力总成。该车型由LoveFrom设计，旨在探索未来电动超级跑车的方向。
此为概念车，暂无供应链实质影响。
EPC发布EPC91123评估板，实现800VDC至12.5VDC、6kW隔离转换。该产品专为支持NVIDIA MGX AI工厂生态系统设计，适配800VDC服务器架构。
GaN功率器件长期需求，但当前现货价格无直接波动。
Power Integrations发布两款基于1700V GaN技术的AI数据中心辅助电源参考设计。该方案针对NVIDIA Kyber平台，可将电路板面积和BOM减少约30%。
长期利好AI服务器高压GaN需求，但短期无直接价格或现货供应影响。
东芝开始出货1200V SiC MOSFET TW007D120E样品，RDS(on)较现有产品降低58%。该器件专为AI数据中心和可再生能源设计，采用QDPAK封装以提升散热性能。
预计2026年量产，将提升数据中心电源转换效率。
长安启源上市A06与Q05两款年度改款车型，起售价8.99万元。新车搭载800V SiC平台、联发科4nm车规芯片MTK 8676、地平线征程6M智驾芯片及宁德时代高密度电芯。
对车规SiC、LFP电池及ADAS芯片构成增量需求；利空：未提及供应链中断或价格直接影响，属常规产品迭代。
Vishay推出汽车级光隔离MOSFET驱动器VODA1275，典型开路电压20V，交货期8周，单价1.20美元起。该器件针对800V以上电池系统，旨在简化预充电路和BMS设计。
新品发布可能影响长期设计需求，但未提供现货短缺或价格变动的直接交易信号。
Renesas推出首款双向650V d-mode氮化镓开关TP65B110HRU，用于光伏逆变器及AI数据中心。该器件通过集成直流阻断功能，可替代传统背对背FET，将单级拓扑效率提升至97.5%以上。
新器件有望改变电源架构，但短期供应与价格影响尚不明朗。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |