光宝在Nvidia MGX活动上展示800VDC电源技术
光宝科技获邀参加2026年开放计算项目(OCP)全球峰会期间的Nvidia MGX生态系统大会，与Nvidia及全球生态伙伴共同展示AI基础设施进展。在OCP展览中，光宝展示了其800VDC Power Rack和800V-to-50V Power Brick，强调其在下一代AI电力基础设施方面的能力。
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光宝科技获邀参加2026年开放计算项目(OCP)全球峰会期间的Nvidia MGX生态系统大会，与Nvidia及全球生态伙伴共同展示AI基础设施进展。在OCP展览中，光宝展示了其800VDC Power Rack和800V-to-50V Power Brick，强调其在下一代AI电力基础设施方面的能力。
据快科技10月17日消息，广汽埃安全新车系Ray的首款车型Ray7当晚在北京国家速滑馆"冰丝带"正式开启预售，共推出5款车型，预售价12.88万至15.88万元。该车定位"大5米超级纯电轿车"，车身尺寸4960/1900/1455mm，轴距2920mm，全系800V平台，后置单电机最大功率180kW，电池由宁德时代提供并融合埃安弹匣电池2.0技术，提供45.58kWh和62.98kWh两种容量，CLTC续航分别为530km和702km。智能座舱搭载高通骁龙8295P座舱芯片，配24GB运存和128GB闪存；智驾采用与文远知行L4同源的端到端大模型，并搭载华为DriveONE多合一电驱、全球首发的华为EMB全电线控制动及华为iTRACK动态扭矩分配系统。原文未说明原因，文中提及预售价低于此前外界预期的15万级。该新闻属于整车产品发布背景信息，不构成半导体价格或供需变化的直接证据。
Microchip Technology推出辐照耐受型氮化镓(GaN)点-of-load(POL)转换器POL-05-20S-T,面向航天处理系统。该器件可提供最高20A连续输出电流，采用紧凑表贴封装，尺寸为1.51 × 1.51 × 0.45英寸，重量25 g,输入电压范围4.75 V至13.2 V,输出可在0.7 V至5 V之间调节，工作温度范围为满载时−55°C至+100°C。辐照耐受规格方面，Microchip规定了总电离剂量(TID)高达50 krad暴露前后的电气参数，并在线性能量转移(LET)高达43 MeV·cm²/mg水平下对单粒子效应(SEE)进行了表征。该产品面向FPGA、微控制器、ASIC等处理密集型器件的核芯电压轨等大电流、快速瞬变负载，现已有量产数量的供货。
Navitas Semiconductor宣布与NVIDIA合作开发一款24 kW、800 VDC转12 VDC的电源传输板(PDB),面向下一代AI数据中心基础设施，基于Navitas的GaNFast技术，支持NVIDIA MGX生态系统，可将电源直接传送给高性能计算处理器(xPU)。该方案计划在2026年OCP全球峰会的NVIDIA AI Factory MGX Wall合作伙伴展示区展出。此板为Navitas此前与NVIDIA合作发布的20 kW、800 V转6 V电源板的后续产品，两者均支持高压直流配电过渡及GaN和SiC技术在AI基础设施中的应用。新板设计目标为最高24 kW输出、满载效率97%、功率密度超过2,000 W/in³,采用NVIDIA 400 mm × 60 mm外形规格，可集成在计算主板靠近xPU处；采用单级转换架构，直接将800 VDC转换为12 VDC,省去常规50 V转12 V中间总线转换器(IBC)级，减少转换步骤、功率损耗和元件数量；12 V输出向VRM供电。初级侧功率级使用16颗NV6034 GaNFast FET(650 V耐压、18 mΩ导通电阻)，采用堆叠半桥拓扑和8 mm × 8 mm双冷却DFN封装。
德州仪器（TI）推出ADC34DSO75，一款3吉样本每秒（GSPS）的模数转换器（ADC），设计用于检测AI数据中心中的瞬态电源事件，支持纳秒级分辨率的连续、低功耗、基于事件的远程监测，并在2026年OCP全球峰会上与新高压电源管理和时钟解决方案一同展出。TI还推出LMI800PS，一款800V隔离热插拔控制器，集成了此前需五颗独立集成电路实现的功能，将隔离偏置电源与PMBus遥测整合于单一封装，使板面积减少超过60%，支持±400V和800V两种配电架构，具备5kVrms增强隔离和超过8mm的爬电距离。TI还重点介绍了基于体声波（BAW）的LMK6B振荡器，在625MHz下抖动为9.6fs，支持数据传输速率向3.2Tbps提升的高速网络系统。此外，TI将展示面向NVIDIA MGX AI工厂生态系统的800V直流电源解决方案，包括热插拔保护以及采用氮化镓（GaN）功率级的800V转12V和800V转6V DC/DC转换，并定于2026年10月15日在加利福尼亚州圣何塞的OCP全球峰会上进行关于800V数据中心DC/DC设计考量、拓扑比较与权衡的技术演讲。
IT之家 10 月 10 日消息，红旗天工 07 于当晚上市，限时权益价区间 16.79-19.79 万元，其中 640 Max 为 16.79 万元起、730 Ultra 为 17.29 万元起、680 四驱 Ultra 为 19.79 万元起。新车搭载司南智驾方案，CLTC 工况最高纯电续航可达 730km，全系标配 800V 高压平台，电量 10%-80% 快充仅需 12 分钟。电池由中汽新能供应，采用磷酸铁锂材料；车机内置高通 8397 芯片，智驾配备 384 线动态可变焦激光雷达。
Toshiba推出3300V高压SiC MOSFET模块，额定电流达800A。Vishay新增50-150A 650V超结MOSFET模块，工作温度范围宽达-55至+150℃。
新功率模块发布通常预示着产能扩充或技术迭代，短期对现货价格影响中性，但利好相关产业链。
Navitas Semiconductor与Microchip Technology已开发出面向AI数据中心机柜电源系统的800V DC转6V DC参考设计，基于开放计算项目(OCP) 800 V DC架构。该设计结合Navitas GaNFast™氮化镓功率器件与Microchip数字电源控制及硬件安全技术。主功率级采用16颗NV6034器件（额定650V、17 mΩ导通电阻），以堆叠半桥配置工作，GaN FET采用DFN 8×8 mm双面散热封装。控制部分使用Microchip dsPIC33AK256MPS306系列数字信号控制器（200 MHz 32位处理器、双精度浮点单元、78 ps高分辨率PWM、高达40 MSPS的12位ADC）。该平台目标为满载、1 MHz开关频率下峰值效率高达96%，功率密度为2,100 W/in³；架构将传统的800V转50V与50V转6V两级转换合并为单一转换器，实现比手机薄约20%的低矮外形，旨在与GPU板紧密集成。安全方面集成Microchip TA100 CryptoAuthentication™器件，dsPIC33AK平台还支持CNSA Suite 2.0后量子密码算法相关的加密功能。参考平台将包含评估硬件、软件和设计文档，并将于2026年10月12日至15日在加州圣何塞举行的Microchip OCP活动上展示。
ETRI研究员Bae Sung-beom指出，AI数据中心增长导致全球电力短缺，需采用高电压网络。NVIDIA的800V直流架构推动数据中心采用SiC和GaN等化合物半导体以提升效率。
SiC和GaN在高压高功率场景的应用趋势，长期利好功率半导体需求。
微芯与Navitas推出800V DC至6V DC参考设计，采用GaNFast FETs与dsPIC33AK DSC。该设计旨在提升AI数据中心功率密度与效率，符合OCP 800V标准。
Renesas推出8x8mm双面散热650V氮化镓器件，瞄准800V AI数据中心。该封装设计旨在提升高压数据中心转换器的功率密度。
此举有助于解决AI服务器高功率转换器的散热瓶颈。
英飞凌将向伊顿提供碳化硅器件用于其800V数据中心固态变压器。该合作旨在提升连接AI数据中心与电网的电力转换效率与可靠性。
SiC功率器件在数据中心高功率场景的渗透率。
奇瑞捷豹路虎神行者8今日交付，全系搭载高通骁龙8397芯片及华为ADS5智驾。该车由华为、宁德时代与捷豹路虎联合开发，采用800V高压平台。
该车型交付确认了对高通车规芯片及华为智驾方案的增量需求。
MediaTek发布2nm Dimensity 9600 Pro以降低内存使用。在内存成本高企背景下，该芯片旨在减少内存占用。
DRAM短期需求，关注移动端芯片架构优化趋势。
Navitas拟以2.328亿美元收购Claros，旨在强化GaN与SiC策略并覆盖800V基础设施至AI处理器的功率交付。此举将增强Navitas在高功率半导体领域的市场地位。
并购交易有助于提升Navitas在GaN和SiC供应链中的整合能力与产品竞争力。
大众安徽与众 08 猎影版 SUV 上市，搭载高通 SA8295P 芯片及双图灵芯片。新车基于 800V 平台，配备 95kWh 电池，支持 0 速激活 NOA。
新车上市增加对高通座舱芯片及高性能计算芯片的需求。
大众与众08猎影版将于9月12日上市，标配双图灵芯片，总算力达1500TOPS。该车基于800V平台打造，搭载宁德时代电池，定位中大型纯电SUV。
高算力车载芯片需求，但新车上市对现货价格影响中性。
Aratas America LLC推出G3VH高压SiC MOSFET继电器，支持1800V和3300V负载电压。该继电器利用SiC技术实现高电压耐受能力和低导通电阻，适用于半导体测试设备等场景。
信号。
Yole预测xEV功率器件市场2031年将达145亿美元，SiC MOSFET年复合增长率达21.5%。受800V高压架构普及及中国BEV需求驱动，SiC和GaN技术份额快速提升，但SiC制造端面临产能过剩压力。
SiC与GaN需求持续扩张，高压器件前景广阔；关注：SiC制造端产能过剩风险可能抑制价格涨幅。
华泰证券研报指出，随着AI超节点机柜功率突破500kW，800V直流方案正从优选走向必选。这一趋势将推动HVDC、SST及功率半导体需求。
相关电源厂商及功率器件公司。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |