NuAxi半导体贸易情报
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东芝开始出货1200V SiC MOSFET样品，RDS(on)降58%
东芝开始出货1200V SiC MOSFET TW007D120E样品，RDS(on)较现有产品降低58%。该器件专为AI数据中心和可再生能源设计，采用QDPAK封装以提升散热性能。关注：预计2026年量产，将提升数据中心电源转换效率。
SiC MOSFET
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来源：Power Electronics News · 2026/5/25 · 查看原始来源
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