NuAxi半导体贸易情报
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英飞凌推出首款24kW SiC BBU设计
英飞凌推出首款针对AI数据中心HV DC总线的24kW SiC BBU参考设计。该设计采用650V和1200V SiC技术，功率密度达450W/in3，效率超99%。关注：此设计有望加速数据中心向高压直流架构转型，利好英飞凌SiC产品需求。
SiC BBUSiC MOSFET
SiCAI数据中心BBU高压直流
来源：Semiconductor Today · 2026/6/29 · 查看原始来源
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