ST推出20A模块体积缩小30%
STMicroelectronics推出SLLIMM Compact系列，首款20A模块STGI15C60S体积缩小30%。该模块专为空调、热泵等家电的低中功率电机驱动设计。
利多
新产品发布，但短期内对现货价格无直接影响。
- 相关厂商
- STMicroelectronics
- 料号
- STGI15C60S
- 影响评分
- 10 / 100，低影响
STMicroelectronics推出SLLIMM Compact系列，首款20A模块STGI15C60S体积缩小30%。该模块专为空调、热泵等家电的低中功率电机驱动设计。
新产品发布，但短期内对现货价格无直接影响。
Arm发布面向代理AI的新平台，宣称AI性能提升1.7倍且单线程性能提升15%。该平台旨在为边缘和云端提供统一架构以支持AI代理。
（技术规格发布，无直接价格/供应影响）。
Vishay推出XFD11KxxCA系列双向TVS器件，峰值脉冲电流达207.1A。该器件采用DO-218AC封装，具备低箝位电压特性，覆盖33V至85V的汽车电气架构。
目前样品及量产供货，交期12周，将增强汽车及工业领域的过压保护能力。
TSMC 计划 2026 年量产 COUPE CPO 解决方案，实现 200Gbps 操作。该技术通过 SoIC 垂直堆叠电子与光子芯片，提升能效并降低延迟。
TSMC 硅光子代工业务及 AI 互联供应链。
Aratas America LLC推出G3VH高压SiC MOSFET继电器，支持1800V和3300V负载电压。该继电器利用SiC技术实现高电压耐受能力和低导通电阻，适用于半导体测试设备等场景。
信号。
NoMIS Power演示了首款6.5kV大尺寸SiC MOSFET，阻断电压超8kV，导通电阻90mΩ，目前处于样品阶段。该产品计划于2026年第四季度量产，并扩展至10kV及以上的高压SiC器件路线图。
高压SiC器件路线图延伸，但量产时间较晚，对当前供需无直接影响。
特斯拉AI5芯片在三星代工厂完成流片，将采用2nm工艺量产，集成12颗SK海力士内存。该芯片由三星和台积电双线代工，马斯克预计将成为史上产量最大的芯片之一。
三星代工与SK海力士，高产能预期将推高相关供应链需求。
Stackpole扩展CSSU系列高功率金属合金电流检测电阻，新增0.5 mΩ和20 mΩ规格。该系列具备低电阻、低TCR及AEC-Q200认证，适用于电池管理、汽车电子及工业电源等高电流场景。
（中性）：无短缺或价格变动，仅产品线扩充。
罗姆半导体推出TSC3PAK顶部冷却封装，尺寸为14.00 × 18.58 × 3.50 mm。该封装旨在结合自动贴装与接近TO-247-4L的热耗散，适用于电动汽车和工业系统。
其能否解决SiC封装瓶颈或提升自动化效率。
Vishay扩展ILHB车规磁珠系列，电流提升至6A。该产品涵盖0402至1206尺寸，满足汽车及工业领域需求。
无直接价格影响。
英飞凌推出IGK048B041S和IGK120B041S两款CoolGaN BDS开关，PCB面积减82%。新器件针对便携式电源系统，具备更低导通电阻和漏电流。
推动英飞凌GaN产品线扩展及300mm晶圆制造产能落地。
SK海力士推出iHBM散热方案，将HBM热阻降低30%。该方案通过在D2D PHY区域集成ICE散热元件，解决高功率密度下的散热瓶颈，并利用MR-MUF技术实现量产。
HBM需求及价格，提升AI芯片在高高温高压环境下的稳定性。
STMicroelectronics推出两款100W VIPerGaN高压转换器，分别支持3.5A和4.2A电流限制。该器件集成700V GaN晶体管与QFN封装，专为家电、智能照明及USB-C PD适配器等应用设计，提供高功率密度与能效。
新GaN电源管理芯片上市，利好ST及GaN产业链。
京瓷AVX发布新款48V汽车级多层压敏电阻。新品支持-55°C至175°C宽温运行，并通过VDA-320认证。
新品上市增加市场供应，短期内对现货价格无显著影响。
京瓷宣布商业化用于先进AI芯片封装的新型多层陶瓷芯基板，将于2026年5月在ECTC上展示。该产品旨在解决高性能封装中的翘曲问题，以满足数据中心对更高集成度的需求。
/利空/关注: 此为远期技术发布，对当前组件供应、价格及采购决策无直接影响。
特斯拉展示AI5芯片样品，性能提升40倍并采用SK海力士GDDR6/7内存。该芯片已流片，属于未来技术里程碑。
AMD在中国开启Ryzen 9 9950X3D2双版本预购，起售价899美元。该处理器采用Zen 5架构，双CCD均堆叠3D V-Cache，总缓存达208MB，功耗200W。
高端桌面CPU市场，但短期内对现货价格影响中性，主要面向生产力工作站需求。
罗姆推出两款新型通用运算放大器系列TLRx728和BD728x，输入失调电压分别为150µV和1.6mV，适用于汽车、工业和消费领域。此举属于常规产品线更新，旨在提供更广泛的封装和通道数选择，未提及产能、价格或供应变化。
/利多/关注: 中性，新品发布不构成对现有市场供需或价格的直接影响。
东芝推出DTMOSVI 600V HSD N沟道MOSFET，RDS(ON)*Qg降低36%。针对数据中心服务器和UPS应用，优化栅极设计。
新产品发布，暂无供需缺口或价格变动。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |