TrendForce：AI推动晶圆代工扩产潮，按地区梳理8英寸与12英寸产能及新建计划，含台积电在台湾的17个新建阶段
TrendForce发文称AI正在推动一波晶圆代工扩产潮，其按地区梳理了8英寸与12英寸产能及新建产能计划，其中包括台积电在台湾的17个新建阶段。该内容为发布于2026年10月21日的推文，属于产能扩张计划的信息整理，原文未说明原因以外的原因或实施进度细节。
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TrendForce发文称AI正在推动一波晶圆代工扩产潮，其按地区梳理了8英寸与12英寸产能及新建产能计划，其中包括台积电在台湾的17个新建阶段。该内容为发布于2026年10月21日的推文，属于产能扩张计划的信息整理，原文未说明原因以外的原因或实施进度细节。
恒光股份公告，其控股子公司湖南恒曜新材料有限公司拟投资建设年产1万吨纳米硅材料项目，项目产品为气相二氧化硅，总投资额不超过1.1亿元。该项目目前处于拟投资状态，尚属计划，原文未说明建设周期及投产时间。据公告，项目建成后能够释放现有三氯氢硅生产线产能，解决公司“氯碱平衡”问题，并且公司能够消纳项目副产的盐酸。
日本富士胶片正在扩大极紫外(EUV)光刻胶产能，以深化与三星电子的合作。公司在美国子公司总裁Brian O'Donnelly表示，富士胶片正在平泽生产EUV光刻胶，尽管尚未进入全面量产，但部分EUV光刻胶产品已通过主要客户的认证测试。富士胶片在静冈（日本，先进光刻胶开发与生产主基地）和平泽（韩国，邻近三星，用于最先进产品）两地扩建了EUV光刻胶生产设施，两地EUV光刻胶生产与检测设备于2025年10月开始运行。原文未明确说明平泽工厂何时进入全面量产。公司称人工智能（AI）正在推动2纳米及以下工艺材料需求，先进制程扩张增加了ArF和EUV光刻胶需求，此为扩张的原因。此外，富士胶片还在三星天安园区附近扩建CMP抛光液产能，计划增产约30%，新增设施定于2027年上半年开始运行，该公司在铜互连CMP抛光液领域持有全球最大市场份额。富士胶片还计划在美国得克萨斯州卡罗尔顿（邻近三星Taylor厂）等地布局，并考虑在韩国进一步扩充制造布局的多种方案。
Taesung于10月21日表示，其参加10月20日在台湾台北开幕的TPCA Show 2026，展示用于制造FC-BGA基板和玻璃基板的关键工艺设备技术，包括用于孔填充的铜电镀设备和表面处理技术，以及玻璃基板的TGV加工设备和垂直显影、蚀刻、电镀系统。该公司称该设备用于制造更大、更高层数的FC-BGA基板，且AI服务器与高性能半导体市场正在扩大。Taesung近期已签署协议向一家全球主要半导体封装基板制造商供应FC-BGA设备，并收到一家韩国主要基板制造商的意向书(LOI)，拟购买用于SOCAMM模块生产的铜电镀设备；目前正与国内外客户就玻璃基板设备的量产供应进行最终阶段的洽谈。为满足不断增长的需求，Taesung已在新天安工厂建立量产体系，其产能超过现有安山工厂的六倍。今年TPCA Show吸引约670家全球公司，占用1830个展位。
10月20日美股收盘后，SpaceX公布上市后的第二份季报：三季度收入146亿美元，同比增长161%；AI业务收入从去年同期的8.1亿美元增至76亿美元，为去年同期的九倍多，已超过星链所在的连接业务成为公司最大收入来源，并较财报前市场一致预期的63亿美元高出20%。其中70亿美元来自算力出租和AI软件（含8月并入的编程工具Cursor贡献的6亿美元），5.4亿美元为X平台广告；去掉Cursor后，算力出租和AI软件收入比二季度增长192%。AI业务调整后EBITDA为49.5亿美元，相当于收入的65%，上一季度为11.5亿美元；按会计准则经营利润4.3亿美元，一年前该业务亏损17亿美元。算力规模从一年前的0.6吉瓦增至9月底的1.7吉瓦，公司预计10月底接近2.2吉瓦、今年底达2.5至3吉瓦。CFO在业绩会上称，按现在的价格新部署算力不到一年即可回本（8月的二季度业绩会上也曾说过），且现在价格比上一季度所谈区间上限略高；马斯克称明年出现半年回本也"不是不可能"。财报公布后芯片股盘后集体上涨，次日海力士在首尔涨5.8%；10月21日美股盘前SpaceX涨8.5%，超微电脑和戴尔分别涨12.4%和5.2%，Vertiv涨4.3%。此前财报发布前的两周，10月2日至16日纳斯达克100指数跌5.3%，CoreWeave跌31.5%，海力士自6月高点至10月20日已跌59%。文章还提及：连2022年发布的英伟达H100，现租金都高于刚上市时；按彭博一致预期，海力士今年市盈率3.6倍、三星4.7倍，美光、闪迪按下一财年分别为5.1倍和6.1倍；分析师预计海力士明年利润比今年多34%，三星多51%。
据报道，英伟达及其供应链合作伙伴宣布扩大产能，以加速AI基础设施建设，均属计划而非已实现。英伟达计划未来三年将基板产能提升至目前的2.5倍；KYEC将获得英伟达11亿美元预付款，用于在美国建设新设施；安靠科技（Amkor）计划到2028年底将先进封装产能提升逾300%。此外，英伟达计划将半导体测试产能从2026年到2027年翻倍，并于2027年2月在新加坡启动大规模测试生产。原文未说明原因以外，来源为财联社报道。
据路透社援引知情人士的媒体爆料，三星电子和SK海力士正推进在华工厂的技术升级，目标是生产更先进制程的芯片，该消息为知情人士披露的升级计划。其中，三星正在推进其中国工厂的技术升级，以期实现286层NAND闪存芯片的生产，这一层数代表当前NAND存储技术的前沿水平，若落地将标志三星在华产能的显著技术跃升；SK海力士同样被指正在对其中国生产设施实施升级，升级方向与三星相近，旨在提升中国工厂的芯片技术规格。SK海力士在中国无锡拥有DRAM芯片工厂，并持有原英特尔大连NAND工厂的部分资产。同时，中国本土制造商长江存储也在技术层面取得新进展，路透社报道称其追赶步伐未因外部压力明显放缓，进展将进一步加剧全球NAND市场竞争。原文未说明两家公司升级计划的具体时间表。
三星电子正计划将其4nm产能转向HBM，其下一代移动调制解调器M2800将转用2nm工艺生产。腾出的4nm产能将主要用于支持HBM基底裸片（base dies）的生产，该裸片位于HBM堆叠底部并负责控制功能。原文未说明此次产能调整的原因。
AI与高性能计算(HPC)的快速发展推动PCB向更高层数、更高密度和更高性能材料方向演进，引发上游材料与设备的无明确结束时点的短缺。覆铜板(CCL)、铜箔与钻头的关键供应商正在推出覆盖未来3-4年的产能扩张计划；标题显示扩张延续至2029年之后。上述扩产为计划状态，原文未说明具体扩产规模、投资金额或是否已落地。
据报道，三星4纳米和5纳米工艺的良率相对稳定。由于近期客户订单激增，三星电子晶圆代工业务部门的4纳米工艺产能已接近饱和，公司正加大销售力度，力求为其5纳米工艺争取更多客户，且5纳米工艺还能提高现有生产设施的利用率。业内人士预计，4纳米工艺利用率的提高和新的5纳米订单将有助于三星晶圆厂近期业绩的提升。相比之下，三星在下一代旗舰级2纳米工艺上争取重要客户仍面临挑战：三星电子正在与全球大型科技公司洽谈基于2纳米工艺的半导体生产合同，但部分谈判进度有所滞后。原文说明，尖端工艺不仅需要对良率进行验证，还需要对能效、知识产权以及稳定的量产能力进行全面验证，因此从签订合同到实现量产需要相当长的时间。（新浪财经）
据快科技10月21日消息，行业内部人士透露，被英伟达实质性收购后的Groq正在积极评估将其下一代芯片中的SRAM替换为DRAM，并计划引入3D堆叠DRAM封装技术。Groq计划采用名为3DS的方案，利用TSV技术在DRAM芯片内部打穿数千个微型孔洞进行垂直互连，在保持现有DRAM标准接口协议的前提下以存储容量扩张为主要目标，这与追求极致数据交换速率的HBM侧重点不同。此举旨在摆脱传统SRAM架构在容量上的局限，以应对超大规模AI模型的推理需求；其现有LPU架构依赖的SRAM容量极小，在千亿级参数模型时存在不足。该方案目前处于计划/评估阶段。
日媒《日刊工业新闻》当地时间昨日（10月21日报道）称，Canon（佳能）计划到2029年将其面向半导体后端工艺的光刻机产能较当前水平提升50%。该计划为报道所援引的消息，属计划状态，尚未确认实施。佳能正在开发用于先进封装工艺的i线光刻设备，并开发了一种分辨率达0.8μm（800nm）的大尺寸基板光刻机台，能处理510×515(mm)基板，具备高对准精度和大视场角。佳能半导体设备事业部负责人三浦圣也在接受采访时表示，无掩膜直写图案化方案目前暂时还不是i线光刻机在RDL生产领域的直接竞争对手。原文未说明原因。
谷歌CEO皮查伊在《Big Technology Podcast》访谈中确认，谷歌云业务"在任何给定时刻"都在为支持前沿AI开发而放弃短期收入，并称这已是当下现实而非未来战略承诺；前沿模型是"不可谈判的第一优先级"。旗舰模型Gemini 4 Argon上线72小时消耗25万亿Token，为上一代Gemini 3.0同期的三倍并创谷歌历史纪录。他证实全行业算力短缺：每家公司的实际需求都是两年前规划产能的2倍，数据中心从决策到投产存在2至3年的刚性滞后，而智能体任务的爆发完全超出了两年前的需求预测，因此客户今天想锁定2027年的算力"极其困难"；他还认为亚马逊CEO贾西"云算力已卖空到2028年"的说法合理。在RSI问题上，皮查伊称距离"自主失控的终局"仍相当遥远，当前处于AI智能体与人类研究员协同工作的过渡期。谷歌已将TPU试验芯片送入太阳同步轨道探索太空数据中心，该项目处于"两到三年"的早期阶段，团队正在等待太空TPU首次成功运行的"Hello World"信号。
据行业报道，三星电子代工业务尚未与全球主要科技公司敲定2nm制程合同，同时需求已推动其4nm产线接近满载产能。公司正扩大努力争取新的5nm订单，以期提升成熟制程的利用率并改善代工业务的盈利能力。2nm客户签约仍处于未完成状态，4nm接近满载为已观察到的状态，原文将4nm接近满载归因于需求。
Topoint Technology 表示正在为其精密 PCB 钻孔业务布局，以应对来自 AI 服务器、高性能计算和高速传输应用的不断增长的需求。在 TPCA Show 2026 上，该公司展示了针对先进材料（包括 ABF 载板、石英布和 PTFE）的工具与加工技术，同时概述了其在台湾和中国的产能扩张计划。该扩张为计划性质，原文未给出扩产规模或时间表。
据韩国经济日报援引未具名业界消息报道，受欧洲电动汽车需求走强以及部分生产线转向储能系统（ESS）的提振，LG新能源位于波兰弗罗茨瓦夫的工厂产能利用率提升，并有望在第四季度实现营业利润扭亏为盈。该工厂第三季度的产能利用率已升至60%至65%区间，创下自2024年第三季度以来的最高水平。通常情况下，当该工厂的产能利用率达到60%-70%初段区间时，即可实现盈亏平衡。第四季度盈利为预期目标，尚非已实现结果。
苹果周二宣布，未来三年将向宾夕法尼亚州休斯顿市的Perryman Company投入最高1亿美元，用于生产苹果产品所用钛材，其中包括售价1999美元的折叠手机iPhone Duo。苹果正在为新款折叠机型iPhone Duo新增一家美国钛金属供应商，同时扩大iPhone 18 Pro摄像头组件的本土产能，以此推进在美国本土扩大制造业务的计划。标题指出当前供货持续紧张。该投资为计划状态，未来三年分期投入。
特斯拉透露其第三代人形机器人Optimus（擎天柱）已做好大规模量产准备。业内专家表示，作为特斯拉重点布局的长期增长方向，Optimus若顺利进入量产爬坡阶段，有望拉动我国执行器、减速器、传感器等零部件需求释放，不少上游厂商已提前筹备产能。同时，硬件可靠性、物理AI算法泛化能力、成本控制、行业合规标准及数据闭环建设仍是人形机器人产业发展的核心约束。量产尚未实际落地，属于量产准备就绪、爬坡待实现状态。
据路透社报道，随着AI需求从DRAM延伸至NAND，且中国厂商YMTC竞争加剧，三星与SK海力士正计划升级其中国NAND工厂：三星计划将西安工厂从约200层升级至286层V9 NAND（内部项目代号“Monami”）；SK海力士大连厂已获准生产最高240层NAND，据报正计划从现有192层技术升级至240层或以上，并可能寻求美国批准用于300层以上技术的研发。TrendForce估计，中国约占三星NAND总产出的30–35%，占SK海力士的40–45%。但美国出口管制仍是主要障碍：两家公司须每年申请许可证才能在中国工厂安装美国产设备，且华盛顿在2025年表示不会批准当地的技术升级或产能扩张；两公司向路透社确认升级正在与华盛顿密切协调下进行，但拒绝披露详细生产计划。竞争方面，YMTC的NAND产品以160层和232层为主，已限量生产294层芯片并计划突破300层。此外据首尔经济日报，三星已将约60%的V-NAND产能转向V9（286层），向NVIDIA加大出货，并开始V10 NAND的量产与供货，下一代V11（目标约500层）研发正在加速；据Bloter，SK海力士正加快转向321层NAND，该技术在2026年第二季度已成为其最大NAND生产板块，预计到年底其国内约一半NAND产能将转向321层产品。
据路透社报道，马斯克在一场SpaceX电话会议上表示，其半导体制造项目Terafab目标在2028年第三季度实现量产，但他承认第三或第四季度均有可能，并称该时间表“非常激进”，因为美国的先进逻辑芯片工厂通常需要三年或更长时间建造。在量产之前，Terafab计划于2027年5月或6月前后在奥斯汀研发设施生产首款使用SRAM电路的功能性测试芯片。设备供应仍是主要挑战，尤其是来自ASML以及Applied Materials、KLA等美国供应商；当被问及SpaceX是否已向ASML订购EUV光刻机时，马斯克未直接回答，但感谢ASML等供应商加快设备交付。据路透社报道，ASML预计即使计划扩大EUV产能，到2028年需求仍将超过供给。据The Elec报道，特斯拉和SpaceX正与韩国半导体材料、零部件和设备供应商洽谈建立Terafab供应链，多家公司已签署保密协议，其中HPSP和Hanmi Semiconductor是仅有的两家被公开与Terafab联系在一起的韩国设备供应商；但据报道Terafab寻求比中国竞争对手更低的价格。关于制造伙伴，TSMC董事长兼CEO魏哲家确认双方仍在讨论，但强调任何涉及TSMC的工厂必须由TSMC运营，这与马斯克10月7日关于其公司将自建自营Terafab（可能允许TSMC转租空间而不承担运营角色）的说法存在分歧；另据路透社援引彭博报道，Intel CEO陈立武表示公司将继续参与Terafab。