被曝遭英伟达实质性收购后，Groq计划在下一代芯片中以3D堆叠DRAM替换SRAM以提升显存规格

据快科技10月21日消息，行业内部人士透露，被英伟达实质性收购后的Groq正在积极评估将其下一代芯片中的SRAM替换为DRAM，并计划引入3D堆叠DRAM封装技术。Groq计划采用名为3DS的方案，利用TSV技术在DRAM芯片内部打穿数千个微型孔洞进行垂直互连，在保持现有DRAM标准接口协议的前提下以存储容量扩张为主要目标，这与追求极致数据交换速率的HBM侧重点不同。此举旨在摆脱传统SRAM架构在容量上的局限，以应对超大规模AI模型的推理需求；其现有LPU架构依赖的SRAM容量极小，在千亿级参数模型时存在不足。该方案目前处于计划/评估阶段。

来源：快科技 · 2026/10/20 · 查看原始来源